半导体分离器件外壳封装结构制造技术

本实用新型专利技术公开了一种半导体分离器件外壳封装结构，特征在于，在底板的一平面上设有框架，在框架的两侧壁上设有引线；所述底板的两端设有向内部延伸的圆弧形槽口；所述引线为两条引线，每条引线为一端相互连接，另一端略伸入到框架内部并固定在框架上的三条引线。通过以上设置，本实用新型专利技术可有效减小器件外壳占用面积，减少体积，提高散热均匀性，提高外壳耗散功率、便于批量封装生产半导体分离器件外壳封装结构，可广泛应用于电子封装领域。（*该技术在2016年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种半导体分离器件方形功率金属外壳封装结构，尤其涉及一种应用于替代半导体分离器件大功率B2-01B、 B2-01C型(SJ2849-88、 SJ2852-88标准)金属外壳封装结构。
技术介绍
目前，半导体分离器件大功率金属外壳封装结构为B2-01B-Z、 B2-01C-Z型(SJ2849-88、 SJ2852-88标准)。其外壳由两部分组 成，底座外形为菱形结构，帽体为圆形结构。底座与帽体封装时 不便于批量封装生产，只能单体一只一只封装；底座与帽体封装 后在线路板上安装时占用面积较大，散热性不均匀，不便于在线 路板上设计安装位置。诸城市电子封装有限责任公司为了解决这 些金属外壳封装结构先天性不足，参考国外一种类似方形金属外 壳封装产品进行设计。国外这种类似方形金属外壳封装产品腔体 外观呈倒梯形，为一次冲压成型后与底板烧结而成。由于这种外 壳封装产品底面与底板接触面积小，又有冲制底面，造成使用过 程中热量的传导产生一定的阻滞，而影响芯片工作过程产生热量 的传导。因为外壳设计先天性原因从而限制了产品的功率耗散， 而致器件失效和性能恶化其中的一个主要原因是输出面因过热而 烧毁本文档来自技高网...

【技术保护点】
半导体分离器件外壳封装结构，其特征在于：在底板的一平面上设有框架，在框架的两侧壁上设有引线；所述底板的两端设有向内部延伸的圆弧形槽口；所述引线为两条引线，每条引线一端相互连接，另一端为略伸入到框架内部并固定在框架上的三条引线。

【技术特征摘要】
1、半导体分离器件外壳封装结构，其特征在于在底板的一平面上设有框架，在框架的两侧壁上设有引线；所述底板的两端设有向内部延伸的圆弧形槽口；所述引线为两条引线，每条引线一端相互连接，另一端为略伸入到框架内部并固定在框架上的三条引线。2、 根据权利要求1所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：封煜新，
申请(专利权)人：封煜新，
类型：实用新型
国别省市：37[中国|山东]