制造半导体器件的方法技术

本发明专利技术公开了一种制造半导体器件的方法。根据本发明专利技术的实施例，通过在具有粘性箔片的框架上布置多个半导体器件来制造半导体器件。多个半导体器件被附接至粘性箔片。利用二氧化碳雪喷射和/或激光工艺将多个半导体器件从具有粘性箔片的框架移除。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术总体涉及一种方法,更为具体地涉及一种从晶圆载体(wafer carrier)上分离半导体器件的方法。
技术介绍
半导体器件可用于许多电子和其他应用。半导体器件可包括形成于半导体晶圆上的集成电路。可替换地，半导体器件可形成为单片器件，例如分立器件。通过在半导体晶圆上放置多种材料薄膜、将材料薄膜图案化、掺杂半导体晶圆的选择区域等，在半导体晶圆上形成半导体器件。在传统的半导体制造工艺中，大量半导体器件都制造在单个晶圆上。器件级和互连级制造工艺完成后，将晶圆上的半导体器件分离。例如，晶圆可进行切割分离(单独化，singulation)。在切割分离过程中，晶圆被机械地和/或化学地处理，且半导体器件进行物理分离以形成单个裸片。分离开的裸片再被粘附到具有粘性箔片(adhesive foil)的框架上，此粘性箔片在切割分离工艺中被用来保持晶圆。分离开的裸片被分别从晶圆框架中挑选出来进行测试，封装过程中将好的(无缺陷的)单元放进载带(或其他合适衬底)中。但这样的工艺消耗时间且可能成为总产量的制约瓶颈。
技术实现思路
本专利技术的示意性实施例基本解决了或避免了这些和其他问题，且基本获得了技术优势本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：将多个半导体器件布置在具有粘性箔片的框架上，所述多个半导体器件附接于所述粘性箔片；以及利用二氧化碳雪喷射将所述多个半导体器件从具有所述粘性箔片的所述框架移除。

【技术特征摘要】
2011.10.04 US 13/252,8161.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括 将多个半导体器件布置在具有粘性箔片的框架上，所述多个半导体器件附接于所述粘性箔片；以及 利用二氧化碳雪喷射将所述多个半导体器件从具有所述粘性箔片的所述框架移除。2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述多个半导体器件包括多个塑料封装。3.根据权利要求1所述的方法，其中，利用超音速喷嘴产生所述二氧化碳雪喷射。4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述二氧化碳雪喷射包括内喷射和围绕所述内喷射的外喷射。5.根据权利要求4所述的方法，其中，所述外喷射包括净化压缩空气或氮气，并且其中所述内喷射包括二氧化碳雪和气体。6.根据权利要求1所述的方法，其中，移除所述多个半导体器件的步骤包括利用所述二氧化碳雪喷射来移除具有所述粘性箔片的所述框架与所述多个半导体器件之间的粘合剂。7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述多个半导体器件包括多个裸片，所述方法进一步包括 提供包括所述多个裸片的晶圆；以及 将所述晶圆切割分离成所述多个裸片，其中，将多个半导体器件布置在具有粘性箔片的框架上的步骤包括使所述框架附接有所述粘性箔片以用于承载所述多个裸片，并且其中，移除所述多个半导体器件的步骤包括移除所述多个裸片。8.根据权利要求7所述的方法，其中，所述晶圆的直径为大约4”至大约12”，并且其中，大约I分钟至大约20分钟内从具有所述粘性箔片的所述框架移除所述多个裸片。9.根据权利要求7所述的方法，其中，切割分离所述晶圆的步骤包括将所述晶圆放置在载体上、打薄所述晶圆、以及切割所述晶圆，并且其中，具有所述粘性箔片的所述框架附接有所述多个裸片。10.根据权利要求7所述的方法，其中，切割分离所述晶圆的步骤包括在切割所述晶圆之后打薄所述多个裸片。11.根据权利要求7所述的方法，进一步包括 识别所述多个裸片中的待与所述多个裸片中的剩余裸片分离的第一裸片；以及 在移除所述多个裸片之前，在不移除所述多个裸片中的所述剩余裸片的情况下，利用激光工艺从具有所述粘性箔片的所述框架脱离所述第一裸片。12.根据权利要求11所述的方法，其中，脱离所述第一裸片的步骤包括每次一个地顺序移除所述第一裸片中的每一个。13.根据权利要求12所述的方法，其中，所述激光工艺使用光束直径为大约Iym至大约50 μ m的聚焦激光束。14.根据权利要求11所述的方法，其中，脱离所述第一裸片的步骤包括利用所述激光工艺同时移除所述第一裸片中的多于一个的裸片。15.根据权利要求14所述的方法，其中，所述激光工艺采用光束直径为大约O.5mm至大约IOmm...

【专利技术属性】
技术研发人员：塞巴斯蒂安·贝恩里德，阿道夫·科勒，斯特凡·马滕斯，马蒂亚斯·沃佩尔，
申请(专利权)人：英飞凌科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：