烧蚀加工方法技术
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及对半导体晶片等被加工物照射激光光束来施以烧蚀加工的。
技术介绍
对于表面形成有通过预定分割线(分割予定9 4 > )分开的1C、LS1、LED等多种器件的硅晶片、蓝宝石晶片等晶片，利用切削装置或激光加工装置等加工装置将其分割成单个的器件，所分割出的器件广泛用于移动电话、个人电脑等各种电子设备中。在晶片的分割中，广泛采用的的切割方法是使用被称为切割锯的切削装置的切割方法。在该切割方法中，使利厚度为30iim左右的切削刀以30000rpm左右的高速旋转向晶片切入来对晶片进行切削，将晶片分割成单个的器件，其中，所述切削刀是用金属或树脂固定了金刚石等磨料粒而成的。另一方面，近年来，有提案提出了对于晶片照射相对于晶片具有吸收性的波长的脉冲激光光束来进行烧蚀加工从而形成激光加工槽，利用制动装置沿着该激光加工槽切断晶片来分割成单个器件的方法(日本特开平10-305420号公报)。在基于烧蚀加工的激光加工槽的形成中，与基于切割锯的切割方法相比，可使加工速度迅速，同时即使对由蓝宝石或SiC等硬度高的材料形成的晶片也可以比较容易地进行加工。另外，由于可以将加工槽...
【技术保护点】
一种烧蚀加工方法，其为对被加工物照射激光光束来施以烧蚀加工的烧蚀加工方法，该方法的特征在于，其具备保护膜形成工序与激光加工工序，保护膜形成工序中，将混入了对于激光光束的波长具有吸收性的粉末的液态树脂涂布至被加工物的至少要进行烧蚀加工的区域，来形成掺入有该粉末的保护膜；激光加工工序中，在实施了该保护膜形成工序之后，对被加工物的形成了该保护膜的区域照射激光光束来施以烧蚀加工。
【技术特征摘要】
2011.10.06 JP 2011-2217051.一种烧蚀加工方法，其为对被加工物照射激光光束来施以烧蚀加工的烧蚀加工方法，该方法的特征在于，其具备保护膜形成工序与激光加工工序， 保护膜形成工序中，将混入了对于激光光束的波长具有吸收性的粉末的液态树脂涂布至被加工物的至少要进行烧蚀加工的区域，来形成掺入有该粉末的保护膜； 激光加工工序中，在...
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。