用于改善晶圆单一化的方法及装置制造方法及图纸

出自包括晶圆180的半导体基板的电子器件12的镭射单一化是使用出自2个波长范围的多达3个镭射150、160、170所实行。使用出自2个波长范围的多达3个镭射150、160、170允许以晶粒附着膜184所固持的晶圆180的镭射单一化而避免由单波长切块所引起的问题。特别而言，使用出自2个波长范围的多达3个镭射150、160、170允许半导体晶圆180的有效率切块而避免关联于镭射处理晶粒附着带184的碎片与热问题。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术是关于电子基板镭射单一化的观点。特别而言，本专利技术是关于出自包括晶圆的半导体基板的电子器件之镭射单一化，其使用出自二个波长范围的多达3个镭射。更特别而言，本专利技术是关于出自包括以晶粒附着膜所固持的晶圆的基板的电子器件之有效率单一化而避免关联于镭射处理晶粒附着膜的问题。
技术介绍
电子器件几乎是在大的基板上并行构成多个复制的电路或器件所构成。特别而言，仰赖半导体材料的器件是在由硅、锗、蓝宝石、砷化镓、磷化铟、钻石或陶瓷所形成的晶圆上所构成。此晶圆需要经单一化成为个别的器件。单一化可由镭射或钻石锯在晶圆划线且随后为分裂或切块所实现。划线(scribing)的定义为用镭射或钻石锯在晶圆的表面上或体内产生修正区域，镭射或钻石锯有利于裂解且因此利于邻近划线的晶圆之分离。切块(dicing)的定义为用镭射或钻石锯在晶圆中实行贯穿切割或接近贯穿切割以使得随后可用最小的力量来将晶圆分离成为个别的器件。图I显示典型的晶圆10，其含有由正交的道14、16所分离的多个器件12。道(street)是在晶圆中为蓄意没有主动电路的区域，在没有损坏主动电路的情况下而允许在道区域中的划线或切块。晶本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：大迫康，奉曹，达瑞·芬恩，安德鲁·虎柏，詹姆士·欧布莱恩，
申请(专利权)人：伊雷克托科学工业股份有限公司，
类型：
国别省市：