【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
技术介绍
随着相继的半导体技术的产生，晶片直径往往增加而晶体管的尺寸减小，导致了在晶片处理中越来越高的精确度和可重复性的需要。半导体衬底材料，如硅晶片，通过其中包括真空室的使用的技术进行处理。这些技术包括非等离子体的应用，如电子束蒸发；以及等离子体的应用，如溅射淀积、等离子体增强化学气相沉积(PECVD)、抗蚀剂剥离和等离子体蚀刻。用于等离子体处理系统的良好的衡量标准包括吞吐量和衬底温度的稳定性。衬底温度影响在衬底上制备的器件的临界尺寸，因此当需要稳定的衬底温度时，衬底温度不能显著漂移，例如在处理配方中的步骤中。另一方面，对于在处理配方中的不同的处理步骤，最优选的衬底温度可显著地不同。衬底温度的变化率直接影响吞吐量。因此，在处理步骤之间快速改变衬底温度，同时在处理步骤中保持稳定的衬底温度的能力是所希望的。由于需要与等离子体处理系统使用的无线电频率能量兼容，基于电气的加热方式是复杂的，其 需要定制过滤装置以保护电加热器的功率和控制系统。就功率的连接而论，也存在设计和实施方面的挑战。此外，为了优化加热均匀性对有关加热器布局的挑战可能是非常显著的。
技术实现思路
一种用于衬底支...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：安东尼·里奇，绍拉·乌拉尔，迈克·康，马修·布舍，
申请(专利权)人：朗姆研究公司，
类型：
国别省市：
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