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出自包括晶圆180的半导体基板的电子器件12的镭射单一化是使用出自2个波长范围的多达3个镭射150、160、170所实行。使用出自2个波长范围的多达3个镭射150、160、170允许以晶粒附着膜184所固持的晶圆180的镭射单一化而避免由单...
该专利属于伊雷克托科学工业股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过伊雷克托科学工业股份有限公司授权不得商用。

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