【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种制造半导体激光二极管的方法，更具体地，涉及一种，通过该方法可保护垂直于激光振荡层并具有清洁表面的激光发射面。
技术介绍
随着对高密度信息写入的需求的增加，对发射可见光谱中的光的半导体发光二极管(LED)的需要也在增加。结果，在可见光谱中发射激光的各种类型的半导体激光二极管(以下称为“LD”)得以出现。其中，III-V族氮化物半导体LD因为其直接转移方法和其可能的兰色激光振荡而吸引了特别的注意，在该方法中，激光振荡的几率较高。通常，为了制造具有低阈值电压和高功率的半导体LD，必须切割半导体LD以使半导体LD的激光发射面垂直于振荡层并具有清洁的表面。在切割半导体LD的过程中，激光的亮度极大地降低，并且如果激光发射面不垂直于振荡层且具有粗糙的表面，则激光在激光发射面上散射。在这种情况下，半导体LD的临界电流和临界电压都有所增加。根据现有技术的与半导体LD的上述切割相关的半导体LD分离方法将参照图1和2说明。在兰宝石衬底2上顺序形成n型GaN基化合物半导体层4、其中产生激光的GaN基有源层6、以及p型GaN基化合物半导体层8。预定的蚀刻工艺形成多个半...
【技术保护点】
一种分离半导体激光二极管的方法，该方法包括： （ａ）在一衬底上形成ｎ型化合物半导体层； （ｂ）在ｎ型化合物半导体层上形成具有ｎ型化合物半导体层的多个半导体激光二极管，使得半导体激光二极管的激光发射区彼此相连； （ｃ）在半导体激光二极管和用于彼此连接半导体激光二极管的激光发射区周围，去除ｎ型化合物半导体层和形成半导体激光二极管的材料层； （ｄ）在半导体激光二极管之间的衬底背部形成垂直横穿激光发射区的基础切割线；以及 （ｅ）沿各基础切割线彼此分离半导体激光二极管。
【技术特征摘要】
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