【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及用于光电子学的半导体芯片，尤其涉及发射辐射的半导体芯片，它具有-一个有源薄膜层且尤其基于In1-x-yAlxGayP(其中0≤x≤1，0≤y≤1，x+y≤1)的薄膜层，在该薄膜层中形成一个发射光子的区域，-一个用于薄膜层的载体衬底，它设置在该薄膜层的背对芯片发射方向的那侧上并与该薄膜层连接。本专利技术还涉及同时制造许多这样的半导体芯片的方法。
技术介绍
衬底本身是半导体芯片的一部分并且是薄膜层的机械支承层即薄膜层的主要支承元件，薄膜层本身在与衬底相对的那侧上不再有自支承层。基于In1-x-yAlxGayP(其中0≤x≤1，0≤y≤1，x+y≤1)的薄膜层意味着，薄膜层具有许多层，它们由搀杂或未搀杂的In1-x-yAlxGayP(其中0≤x≤1，0≤y≤1，x+y≤1)系材料制成。US5008718和US5367580公开了上述类型的半导体芯片。为了制造上述类型的半导体芯片，通常通过外延方法在一个衬底上涂敷上一个有源半导体层序列。然后，在该有源半导体层序列的表面上，固定着一个载体衬底。其上淀积着该半导体层序列的基底的至少一部分被去除掉。最好在该载体...
【技术保护点】
用于光电子学的半导体芯片，尤其是发射辐射的半导体芯片，它具有－一个有源薄膜层（２），在该薄膜层中形成一个发射光子的区域（３），－一个用于薄膜层（２）的载体衬底（１），它设置在该薄膜层（２）的背对芯片发射方向的那侧上并与该薄膜 层连接，其特征在于，在该有源薄膜层（２）中，从载体衬底（１）起地形成有至少一个孔洞（８），通过该孔洞在载体衬底（１）和薄膜层（２）之间的分界处形成许多个台面（４）。
【技术特征摘要】
DE 2000-8-8 10038671.7;DE 2000-11-30 10059532.41.用于光电子学的半导体芯片，尤其是发射辐射的半导体芯片，它具有-一个有源薄膜层(2)，在该薄膜层中形成一个发射光子的区域(3)，-一个用于薄膜层(2)的载体衬底(1)，它设置在该薄膜层(2)的背对芯片发射方向的那侧上并与该薄膜层连接，其特征在于，在该有源薄膜层(2)中，从载体衬底(1)起地形成有至少一个孔洞(8)，通过该孔洞在载体衬底(1)和薄膜层(2)之间的分界处形成许多个台面(4)。2.如权利要求1所述的半导体芯片，其特征在于，孔洞(8)的横截面随着离开载体衬底(1)而变小。3.如权利要求1或2所述的半导体芯片，其特征在于，该有源薄膜层具有一个基于In1-x-yAlxGayP(其中0≤x≤1，0≤y≤1，x+y≤1)的层序列。4.如权利要求1所述的半导体芯片，其特征在于，如此深地形成孔洞(8)，即有源区(3)被孔洞分断开。5.如前述权利要求之一所述的半导体芯片，其特征在于，通过许多个孔洞(8)，只在构成薄膜层(2)的产生辐射的区域的区域内形成台面(4)。6.如前述权利要求之一所述的半导体芯片，其特征在于，由有源区(3)发出的光子的至少一条轨迹(18)从当时的台面(4)通向相邻台面(4)之一。7.如权利要求5或6所述的半导体芯片，其特征在于，台面(4)向着载体衬底逐渐缩小。8.如权利要求7所述的半导体芯片，其特征在于，台面(4)具有凹侧面(13)。9.如权利要求5-8之一所述的半导体芯片，其特征在于，台面(4)成截金字塔形。10.如权利要求5-9之一所述的半导体芯片，其特征在于，有源区(3)设置在台面(4)的与覆层(5)相邻的那一半中。11.如权利要求5-10之一所述的半导体芯片，其特征在于，覆层(5)对由有源区(3)发出的光子是尽可能透明的。12.如权利要求5-11之一所述的半导体芯片，其特征在于，覆层(5)是高度搀杂的。13.如权利要求4-12之一所述的半导体芯片，其特征在于，台面(4)被一个反射层(9，10)覆盖住。14.如权利要求13所述的半导体芯片，其特征在于，该反射层具有一个垫有一绝缘层(9)的金属化层(10)。15.如前述权利要求之一所述的半导体芯片，其特征在于，有源薄膜层(2)具有5微米-50微米的厚度。16.如权利要求15所述的半导体芯片，其特征在于，有源薄膜层(2)具有5微米-25微米的厚度。17.如前述权利要求之一所述的半导体芯片，其特征在于，所述的至少一个孔洞(8)的深度大于薄...
【专利技术属性】
技术研发人员：S伊莱克，A普勒斯尔，K施特罗伊贝尔，W维格莱特，R维尔斯，
申请(专利权)人：奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司，
类型：发明
国别省市：DE[德国]
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