处理装置和处理方法制造方法及图纸

由ＴＭＰ（２２）、干式泵（２３）构成连接到处理室（１３）的排气线路（１５）。处理室（１３）和ＴＭＰ（２２）通过第一排气管（２５）连接，而ＴＭＰ（２２）和干式泵（２３）通过第二排气管（２８）连接。测定部（２４）监视流过第二排气管（２８）的排气气体中的ＴｉＣｌ↓［４］或ＮＨ↓［３］的分压。在处理室（１３）内，将两种处理气体交替供给规定时间，如果供给的一种处理气体的排气气体中的分压减少至规定值，则控制装置（１２）开始另一种处理气体的供给。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及在半导体晶片等被处理体上实施成膜处理等规定的处理的。
技术介绍
目前，随着半导体集成电路的微细化、高集成化，进行着形成于基板等基板表面的布线沟等的图形微细化。因此，在形成薄膜作为布线金属的衬底膜等情况下，需要在微细的布线沟内以均匀、良好的敷层方式形成非常薄的膜。根据这样的需要，近年来，作为能够以良好的膜质量形成原子层等级的膜的方法，开发了被称为原子层堆积法(Atomic Layer DepositionALD)的方法。ALD例如由以下工序构成。在以下所示的例中，说明在形成了布线图形(布线沟)的基板表面上，使用四氯化钛气体和氨气，形成氮化钛构成的衬底膜的情况。首先，在处理室内容纳基板，对处理室内抽真空。接着，向处理室内导入四氯化钛。由此，基板表面上四氯化钛分子吸附在多原子层中。然后，用惰性气体清洁处理室内，由此，残留在基板表面上吸附的大致一原子层的四氯化钛分子，从处理室内除去四氯化钛。在清洁后，向处理室内导入氨气。由此，吸附在基板表面上的四氯化钛分子和氨分子发生反应，在基板的表面上形成大致一原子层的氮化钛层。此时，在形成的氮化钛层上，氨分子吸附在多原子层中。然后，用惰本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种处理装置（１１），其特征在于，包括：　　　　处理部件（１４、５０），配有处理室（１３），在所述处理室（１３）内对被处理体实施规定的处理；　　　　第一排气部件（２２），被连接到所述处理室（１３），将所述处理室（１３）内部排气至规定的真空压力；　　　　第二排气部件（２３），被连接到所述第一排气部件（２２），对所述处理室（１３）内部进行排气，直至达到所述第一排气部件（２２）可工作的压力；　　　　信息取得部件（２４、５６、６１），被配置在所述第一排气部件（２２）和所述第二排气部件（２３）之间，取得与从所述处理室（１３）排气的排气气体中的规定物质有关的信息；以及　　　　控制部件（１２），根据所述信息...

【技术特征摘要】
JP 2002-1-17 8465/20021.一种处理装置(11)，其特征在于，包括处理部件(14、50)，配有处理室(13)，在所述处理室(13)内对被处理体实施规定的处理；第一排气部件(22)，被连接到所述处理室(13)，将所述处理室(13)内部排气至规定的真空压力；第二排气部件(23)，被连接到所述第一排气部件(22)，对所述处理室(13)内部进行排气，直至达到所述第一排气部件(22)可工作的压力；信息取得部件(24、56、61)，被配置在所述第一排气部件(22)和所述第二排气部件(23)之间，取得与从所述处理室(13)排气的排气气体中的规定物质有关的信息；以及控制部件(12)，根据所述信息取得部件(24、56、61)取得的所述信息，判别所述处理室(13)内的状态并控制所述处理部件。2.一种处理装置，其特征在于，包括处理部(14、50)，配有处理室(13)，在所述处理室(13)内对被处理体实施规定的处理；第一排气部(22)，通过第一排气管(25)被连接到所述处理室(13)，将所述处理室(13)内部排气至规定的真空压力；第二排气部(23)，通过直径比所述第一排气管(25)更小的第二排气管(28)被连接到所述第一排气部(22)的排气侧，对所述处理室(13)内部进行排气，直至达到所述第一排气部(22)可工作的压力；信息取得部(24、56、61)，取得与从所述处理室(13)排气的、流过所述第二排气管(28)的排气气体中的规定物质有关的信息；以及控制部(12)，根据所述信息取得部(24、56、61)取得的所述信息，判别所述处理室(13)内的状态并控制所述处理部(14、50)。3.如权利要求2所述的处理装置，其特征在于，还包括测定管(30)，从所述第二排气管(28)分支，对流过所述第二排气管(28)的所述排气气体进行分流；所述信息取得部(24、56、61)从流过所述测定管(30)的所述排气气体中取得所述信息。4.如权利要求2所述的处理装置，其特征在于，所述信息取得部(24、56、61)配有测定所述规定物质浓度的红外分光分析装置(24)或质量分析装置(61)，所述控制部(12)根据所述信息取得部(24、56、61)测定的所述物质的浓度，控制所述处理部(14、50)。5.如权利要求2所述的处理装置，其特征在于，所述信息取得部(24、56、61)配有测定所述排气气体中的碎片物质的分布的红外分光分析装置(24)，所述控制部(12)根据所述信息取得部(24、56、61)测定的所述碎片物质的分布，控制所述处理部(14、50)。6一种处理装置，其特征在于，包括处理室(13)；气体供给部件(14、50)，被连接到所述处理室(13)，将多种处理气体中的一种处理气体向所述处理室(13)内供给规定时间；第一排气部件(22)，被连接到所述处理室(13)，将所述处理室(13)内部排气至规定的真空压力；第二排气部件(23)，被连接到所述第一排气部件(22)，对所述处理室(13)内部进行排气，直至所述第一排气部件(22)可工作的压力；测定部件(24、56、61)，被配置在所述第一排气部件(22)和所述第二排气部件(23)之间，测定从所述处理室(13)排气的排气气体中的所述处理气体的量；以及控制部件(12)，根据所述测定部件(24、56、61)测定的所述处理气体量，通过所述气体供给部件(14、50)控制其他处理气体的供给。7.如权利要求6所述的处理装置，其特征在于，所述控制部件(12)在所述排气气体中的所述处理气体的量减少到规定量时，通过所述气体供给部件(14、50)开始向所述处理室(13)内部供给其他处理气体。8.一种处理装置，其特征在于，包括处理室(13)，在内部对被处理体进行规定的处理；清洁部件(50)，供给用于使所述处理室(13)内部清洁化的清洁气体，对所述处理室内部进行清洁；第一排气部件(22)，被连接到所述处理室(13)，将所述处理室(13)内部排气至规定的真空压力；第二排气部件(23)，被连接到所述第一排气部件(22)，对所述处理室(13)内部进行排气，直至所述第一排气部件(22)可工作的压力；信息取得部件(24、56、61)，被配置在所述第一排气部件(22)和所述第二排气部件(23)之间，取得与从所述处理室(13)排气的排气气体中的污染物质有关的信息；以及控制部件(12)，根据...

【专利技术属性】
技术研发人员：河南博，松冈孝明，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]