【技术实现步骤摘要】
技术介绍
1.专利
本专利技术是关于一种包含至少一种氧化剂及固体催化剂的化学机械抛光浆料。化学机械抛光浆料是单独使用或与其它化学药品及磨料并用以抛光与半导体制造过程相关的金属层及薄膜。本专利技术尤其关于适用于抛光多金属层及薄膜(其中叠层或薄膜之一是由铝、铜、铜-铝合金、及钨构成而另一层，或薄膜是由钛、钽或含钛或钽的合金如氮化钛或氮化钽构成)的化学机械抛光浆料。本专利技术也关于使用抛光浆料的方法，包含使浆料暴露在能源中，以激活固体催化剂。本专利技术还关于包含抛光垫基材及至少一种固体催化剂的抛光垫，以及关于用含固体的抛光垫抛光金属部件的方法。2.相关技术的叙述集成电路是由在硅基材之中或之上形成的上百万个活性装置而组成。开始相互分离的活性装置经连接形成功能性电路及组件。装置是通过使用熟知的多重相互连接而互连的。相互连接的结构一般具有金属化的第一层、内连层、金属化第二层、及有时的第三与后续的金属化层。层间的介质体如掺杂及不掺杂的二氧化硅(SiO2)，是用于在硅基材或孔中电分离不同的金属化层。不同的相连层间的电连接是通过使用金属化通道(vias)而制成。美国专利第4,78...
【技术保护点】
一种抛光垫，包含ａ）抛光垫基材；及ｂ）至少一种不均质固体催化剂。
【技术特征摘要】
US 2001-1-22 09/766,7501.一种抛光垫，包含a)抛光垫基材；及b)至少一种不均质固体催化剂。2.如权利要求1的抛光垫，其中，不均质固体催化剂为非金属。3.如权利要求2的抛光垫，其中，非金属固体催化剂为光活化催化剂。4.如权利要求2的抛光垫，其中，非金属固体催化剂具有式MxOy，其中M为Ti、Ta、W、V、Nb、Zr及其混合物，其中的x及y各独立地为大于0的数。5.如权利要求4的抛光垫，其中，非金属固体催化剂为TixOy。6.如权利要求4的抛光垫，其中，非金属固体催化剂是选自TiO2、Ti2O3及其混合物。7.如权利要求2的抛光垫，其中，非金属固体催化剂在抛光垫中的含量在约0.005至约20.0wt％之间。8.如权利要求2的抛光垫，其中，非金属固体催化剂为TiO2及Ti2O3的混合物，且在抛光垫中的含量为约1.0至约10.0wt％。9.如权利要求2的抛光垫，其中，非金属固体催化剂的平均粒径低于约1微米。10.一种抛光垫，包含a)抛光垫基材；及b)约0.005至约20.0wt％的选自TiO2、Ti2O3及其混合物的光活化非金属固体催化剂。11.如权利要求10的抛光垫，还包含至少一种磨料。12.如权利要求11的抛光垫，其中，光活化非金属固化催化剂是支承在磨料上。13.如权利要求11的抛光垫，其中，磨料为至少一种选自氧化铝、氧化铈、氧化锗、二氧化硅、氧化钛、氧化锆及其混合物中的金属氧化物，其中，磨料与光活化固化催化剂不是同样的化合物。14.如权利要求13的抛光垫，其中，金属氧化物磨料是选自二氧化硅、氧化铝及其混合物，且其中金属氧化物磨料在抛光垫中的含量在约0.1至约20.0wt％之间。15.一种用于抛光包含至少一种金属部分的基材表面的方法，包括的步骤为(a)通过将至少一种非金属固体催化剂加入抛光垫基材中而制备抛光垫；(b)将含有氧化剂的溶液施加到抛光垫，加到基材表面或加到二者之中；(c)使抛光垫与基材表面接触；及(d)通过使抛光垫相对于基材移动，从基材表面移除至少部分金属部分。16.如权利要求15的方法，其中，非金属固体催化剂为光活化催化剂。17.如权利要求15的方法，其中，非金属固体催化剂具有式MxOy，其中M为Ti、Ta、W、V、Nb及其混合物，其中的x及y各独立为大于0的数。18.如权利要求15的方法，其中，非金属固体催化剂为TixOy。19.如权利要求15的方法，其中，非金属固体催化剂是选自TiO2、Ti2O3及其混合物中。20.如权利要求15的方法，其中，非金属固体催化剂在抛光...
【专利技术属性】
技术研发人员：布赖恩L米勒，王淑敏，
申请(专利权)人：卡伯特微电子公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]
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