【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种等离子体处理容器内部件，具体涉及用于形成有含卤素的处理气体的等离子环境的等离子体处理容器内的、例如沉积保护罩(depo-shield)、排气板、聚焦环、电极板、静电吸盘、处理容器内壁材料等等离子体处理容器内部件。
技术介绍
在半导体和液晶显示器等的制造过程中，多采用使用等离子体的等离子处理，但在这种等离子处理中，在处理容器内使用以C4F8或NF3等氟化物、BCl3或SnCl4等氯化物、HBr等溴化物为主的含卤素的气体，所以存在处理容器内部件明显易腐蚀损耗等问题。因此，人们强烈需求例如沉积保护罩、排气板、聚焦环、电极板、静电吸盘、处理容器内壁材料等等离子体处理容器内部件具有耐等离子体性。对此，作为这种等离子体处理容器内部件，有人提出一种方案，它是在由Al、Al合金、Al氧化物、石英等构成的基材表面形成Al2O3或Y2O3等耐蚀性高的喷镀膜，以提高处理容器内部件的耐等离子体性(例如参照专利文献1)。另外，在基材与喷镀膜之间还形成有阳极氧化膜。而为了提高与喷镀膜的结合性，则通过等离子处理等有意使基材或阳极氧化膜的表面粗糙，而可期有锚定效应，从而防止...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种等离子体处理容器内部件，具有基材和在其表面通过喷镀陶瓷而形成的膜，其特征在于，构成所述膜的陶瓷含有选自B、Mg、Al、Si、Ca、Cr、Y、Zr、Ta、Ce和Nd中的至少1种元素，其中，至少一部分由树脂进行封孔处理。2.一种等离子体处理容器内部件，具有基材和在其表面通过喷镀陶瓷而形成的膜，其特征在于，所述膜具有第1陶瓷层和第2陶瓷层，所述第1陶瓷层由含有选自B、Mg、Al、Si、Ca、Cr、Y、Zr、Ta、Ce和Nd中的至少1种元素的陶瓷构成；所述第2陶瓷层由含有选自B、Mg、Al、Si、Ca、Cr、Y、Zr、Ta、Ce和Nd中的至少1种元素的陶瓷构成，所述第1和第2陶瓷层至少一方的至少一部分由树脂进行封孔处理。3.如权利要求1所述的等离子体处理容器内部件，其特征在于，所述树脂选自SI、PTFE、PI、PAI、PEI、PBI和PFA。4.一种等离子体处理容器内部件，具有基材和通过在其表面喷镀陶瓷而形成的膜，其特征在于，构成所述膜的陶瓷含有选自B、Mg、Al、Si、Ca、Cr、Y、Zr、Ta、Ce和Nd中的至少1种元素，其至少一部分由溶胶凝胶法进行封孔处理。5.一种等离子体处理容器内部件，具有基材和通过在其表面喷镀陶瓷而形成的膜，其特征在于，所述膜具有第1陶瓷层和第2陶瓷层，所述第1陶瓷层由含有选自B、Mg、Al、Si、Ca、Cr、Y、Zr、Ta、Ce和Nd中的至少1种元素的陶瓷构成；所述第2陶瓷层由含有选自B、Mg、Al、Si、Ca、Cr、Y、Zr、Ta、Ce和Nd中的至少1种元素的陶瓷构成，所述第1和第2陶瓷层的至少一方的至少一部分由溶胶凝胶法进行封孔处理。6.如权利要求4所述的等离子体处理容器内部件，其特征在于，所述封孔处理使用选自属于周期表第3a族的元素中的元素进行。7.如权利要求1～6任一项所述的等离子体处理容器内部件，其特征在于，所述陶瓷选自B4C、MgO、Al2O3、SiC、Si3N4、SiO2、CaF2、Cr2O3、Y2O3、YF3、ZrO2、TaO2、CeO2、Ce2O3、CeF3和Nd2O3中的至少1种。8.一种等离子体处理容器内部件，具有基材和在其表面形成的膜，其特征在于，所述膜具有通过喷镀陶瓷而形成的主层，和由含有选自B、Mg、Al、Si、Ca、Cr、Y、Zr、Ta、Ce和Nd中的元素的陶瓷构成的屏蔽性涂层。9.如权利要求8所述的等离子体处理容器内部件，其特征在于，所述屏蔽性涂层由选自B4C、MgO、Al2O3、SiC、Si3N4、SiO2、CaF2、Cr2O3、Y2O3、YF3、ZrO2、TaO2、CeO2、Ce2O3、CeF3和Nd2O3中的至少1种陶瓷构成。10.如权利要求8所述的等离子体处理容器内部件，其特征在于，所述屏蔽性涂层为其至少一部分由树脂进行封孔处理后的喷镀膜。11.如权利要求10所述的等离子体处理容器内部件，其特征在于，所述树脂选自SI、PTFE、PI、PAI、PEI、PBI和PFA。12.如权利要求8所述的等离子体处理容器内部件，其特征在于，所述屏蔽性涂层为其至少一部分由溶胶凝胶法进行封孔处理后的喷镀膜。13.如权利要求12所述的等离子体处理容器内部件，其特征在于，所述封孔处理使用选自属于周期表第3a族中的元素进行。14.一种等离子体处理容器内部件，具有基材和在其表面形成的膜，其特征在于，所述膜具有通过喷镀陶瓷而形成的主层；和由形成于所述基材与所述主层之间的工程塑料构成的屏蔽性涂层。15.如权利要求14所述的等离子体处理容器内部件，其特征在于，所述工程塑料为选自PFFE、PI、PAI、PEI、PBI、PFA、PPS、POM的塑料。16.如权利要求8～15任一项所述的等离子体处理容器内部件，其特征在于，所述主...
【专利技术属性】
技术研发人员：三桥康至，中山博之，长山将之，守屋刚，长池宏史，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：
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