切割方法、集成电路元件的检查方法、基板保持装置和粘接薄膜制造方法及图纸

本发明专利技术公布了切割方法、集成电路元件的检查方法、基板保持装置和粘接薄膜。将例如用紫外线减少粘接性的第一粘接薄膜（２２），展开在比晶片尺寸大的环形框架（２１）的内侧，在其上面贴附晶片（Ｗ）。将通过加热，使两面的粘接性都减小的第二粘接薄膜（４）贴附在板状的夹具（３）上；将该第一薄膜贴附在该薄膜上，然后进行切割。在这种情况下，由于晶片成为贴附在夹具上的状态，因此各芯片的相对位置不偏移。因此，将每个夹具搬入检查装置中，使芯片的电极垫和探测器的位置一致，可以成批地检查多个芯片。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及多个集成电路元件纵横配置的半导体基板的切割方法、切割后检查集成电路元件的电气特性的方法、这些方法中使用的基板保持装置和可以在该基板保持装置中采用的粘接薄膜。
技术介绍
在一系列的制造工序结束的半导体晶片(以下称为“晶片”)上，纵横配置着多个集成电路元件。这些元件利用例如图13所示的先前的切割方法分离成单个的元件。即在比晶片W尺寸大的环状框架11的一面侧，采用贴附有粘接层(例如，上面12a上粘附有粘接性的薄膜12(100～200微米)的保持件10。在该粘接薄膜12的粘接面12a上贴附有晶片W的该保持件10，安放在夹头台面13上。通过使转动刀片14沿着划分各集成电路芯片C的划线行走，可以分离各个元件C(为方便起见，集成电路元件和芯片均用相同的符号“C”表示)。将保持件10从夹头台面13搬出。在与各个芯片C对应的位置上利用从粘接薄膜12的下面侧突出的装置的突出作用，将芯片C从粘接薄膜上一个一个地剥离。搬运装置将剥下的芯片C搬送至下一个工序。现有二种情况检查分离的芯片C的电气特性的情况，和在芯片C上不附着引线框，而直接安装的情况。在这些情况中，搬运装置将芯片C一个一个地送入本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种多个集成电路元件纵横配置的半导体基板的切割方法，其特征为：将半导体基板背面的至少是配置着集成电路元件的全部区域，通过至少一层具有粘接性的粘接层，与板状的夹具粘接；通过给该粘接层加能量，减少该粘接层的粘接性；通过用切断装置 切断该半导体基板，分离各个集成电路元件。

【技术特征摘要】
JP 2002-3-4 057772/20021.一种多个集成电路元件纵横配置的半导体基板的切割方法，其特征为将半导体基板背面的至少是配置着集成电路元件的全部区域，通过至少一层具有粘接性的粘接层，与板状的夹具粘接；通过给该粘接层加能量，减少该粘接层的粘接性；通过用切断装置切断该半导体基板，分离各个集成电路元件。2.如权利要求1所述的切割方法，其特征为，该至少一层粘接层为其两面都有粘接性的粘接薄膜。3.如权利要求2所述的切割方法，其特征为，该粘接薄膜的两面为第一面和第二面，用于减少第一面和第二面的粘接性而加入的能量的种类及其大小中的一项是不同的。4.如权利要求3所述的切割方法，其特征为，粘接薄膜的第二面为夹具侧，第一面为半导体基板侧，用于减少第二面的粘接性所加入的能量，比用于减少第一面的粘接性而加入的能量小。5.如权利要求1所述的切割方法，其特征为，该粘接层为第一粘接薄膜和第二粘接薄膜的层叠结构，其中，第一粘接薄膜与半导体基板侧粘接，半导体基板侧的面的粘接性通过加入规定的能量而减小；第二粘接薄膜与夹具侧粘接，其两个面的粘接性，通过加入与该规定能量不同的能量减小；第一粘接薄膜在比半导体基板尺寸大的环状框架内侧展开。6.一种在半导体基板上形成的多个集成电路芯片的检查方法，其特征为通过至少在配置着集成电路元件的整个领域上配置至少一层粘接层，使多个集成电路元件在其表面配置的半导体基板的背面，与板状的夹具粘接；利用切断装置切断该半导体基板，将该多个集成电路元件分离成单个的集成电路元件，在此，利用该粘接层，将该切断的半导体基板粘接在该夹具上；使粘接在该夹具上的半导体基板与配置在该夹具上部空间中的探测器位置一致；在使探测器与集成电路元件的电极垫接触的状态下，检查集成电路元件的电气特性。7.如权利要求6所述的检查方法，其特征为，该至少一层粘接层为其两面都有粘接性的粘接薄膜。8.如权利要求7所述的检查方法，其特征为，该粘接薄膜的两面为第一面和第二面，用于减少第一面和第二面的粘接性而加入的能量的种类及其大小中的一项是不同的。9.如权利要求7所述的检查方法，其特征为，粘接薄膜的第二面为夹具侧，第一面为半导体基板侧，用于减少第二面的粘接性所加入的能量，比用于减少第一面的粘接性而加入的能量小。10.如权利要求8所述的检查方法，其特...

【专利技术属性】
技术研发人员：竹腰清，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]