切割方法、集成电路元件的检查方法、基板保持装置和粘接薄膜制造方法及图纸

本发明专利技术公布了切割方法、集成电路元件的检查方法、基板保持装置和粘接薄膜。将例如用紫外线减少粘接性的第一粘接薄膜（２２），展开在比晶片尺寸大的环形框架（２１）的内侧，在其上面贴附晶片（Ｗ）。将通过加热，使两面的粘接性都减小的第二粘接薄膜（４）贴附在板状的夹具（３）上；将该第一薄膜贴附在该薄膜上，然后进行切割。在这种情况下，由于晶片成为贴附在夹具上的状态，因此各芯片的相对位置不偏移。因此，将每个夹具搬入检查装置中，使芯片的电极垫和探测器的位置一致，可以成批地检查多个芯片。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及多个集成电路元件纵横配置的半导体基板的切割方法、切割后检查集成电路元件的电气特性的方法、这些方法中使用的基板保持装置和可以在该基板保持装置中采用的粘接薄膜。
技术介绍
在一系列的制造工序结束的半导体晶片(以下称为“晶片”)上，纵横配置着多个集成电路元件。这些元件利用例如图13所示的先前的切割方法分离成单个的元件。即在比晶片W尺寸大的环状框架11的一面侧，采用贴附有粘接层(例如，上面12a上粘附有粘接性的薄膜12(100～200微米)的保持件10。在该粘接薄膜12的粘接面12a上贴附有晶片W的该保持件10，安放在夹头台面13上。通过使转动刀片14沿着划分各集成电路芯片C的划线行走，可以分离各个元件C(为方便起见，集成电路元件和芯片均用相同的符号“C”表示)。将保持件10从夹头台面13搬出。在与各个芯片C对应的位置上利用从粘接薄膜12的下面侧突出的装置的突出作用，将芯片C从粘接薄膜上一个一个地剥离。搬运装置将剥下的芯片C搬送至下一个工序。现有二种情况检查分离的芯片C的电气特性的情况，和在芯片C上不附着引线框，而直接安装的情况。在这些情况中，搬运装置将芯片C一个一个地送入检查装置内，进行检查。在从晶片W上分离出来的芯片C上不附加引线框进行检查的情况下，将与粘接薄膜12成粘接状态的多个芯片C，即在切割状态下的多个芯片C作成一批(同时)进行测试，可使检查效率提高。但是，在切割工序中，切断刃14在粘接薄膜12的中间切入。这时，各个芯片C的相对位置偏离最大可达数百个微米(μm)，而且，位置偏移的状况不规则。由于是在粘接薄膜12上加张力的状态下，贴附晶片W，因此当切入粘接薄膜12时，该部位的晶片没有支承，成为变形的主要原因。由于这样，不能将处在切割状态下的多个芯片编成一批(同时)进行测试。由于这样，总的检查时间长，使检查效率降低。另外，当搬运装置搬送例如1.5mm左右的四方形的小芯片时，容易产生故障。本专利技术是考虑到这些问题而提出的。本专利技术的实施方式提供了可以提高集成电路芯片的检查效率的切割方法，检查方法，和可在这些方法中使用的基板保持装置和粘接薄膜。另外，所谓的两面带是众所周知的。但是不知有通过使其两面的粘接性有差别而扩大其用途的技术。
技术实现思路
本专利技术的其他目的和优点。在以下的说明书中叙述，其一部分可自己从说明中了解，或在本专利技术的实行中得到。本专利技术的该目的和优点，可通过特别指定的装置的组合实现。根据本专利技术的第一观点，提供了一种多个集成电路元件纵横配置的半导体基板的切割方法，该方法具有下述特点半导体基板背面的至少是配置着集成电路元件的全部区域，通过至少一层具有粘接性的粘接层，与板状的夹具粘接(通过给该粘接层加能量，减少该粘接层的粘接性)；通过用切断装置切断该半导体基板，分离各个集成电路元件。根据本专利技术的第二观点，提供了一种在半导体基板上形成的多个集成电路芯片的检查方法，该检查方法具有下述特点通过在整个至少是配置着集成电路元件的领域上配置的至少一层粘接层，使多个集成电路元件在其表面配置的半导体基板的背面，与板状的夹具粘接；利用切断装置切断该半导体基板，将该多个集成电路元件分离成单个的集成电路元件(利用该粘接层，该切断的半导体基板粘接在该夹具上)；使粘接在该夹具上的半导体基板与配置在该夹具的上方空间中的探测器位置一致；在使探测器与集成电路元件的电极垫接触的状态下，检查集成电路元件的电气特性。根据本专利技术的第三观点，提供了一种保持配置着多个集成电路元件的半导体基板的基板保持装置，该基板保持装置具有尺寸比半导体基板大的框架；在该框架上展开的粘接薄膜，该粘接薄膜的一个面为与半导体基板的背面粘接的表面；板状的夹具(该粘接薄膜的另一个面与该夹具粘接)。根据本专利技术的第一、第二和第三观点提供的半导体基板的切割方法、集成电路芯片的检查方法和基板保持装置，优选分别采用下述(1)-(12)中的任何一点。将(1)-(12)的多个点组合采用也优选。(1)该至少一层粘接层为两个面都具有粘接性的粘接薄膜。(2)该粘接薄膜的两面为第一面和第二面，用于减少第一面和第二面的粘接性而加入的能量的种类及其大小中的一项是不同的。(3)粘接薄膜的第二面为夹具侧，第一面为半导体基板侧，用于减少第二面的粘接性所加入的能量，比用于减少第一面的粘接性而加入的能量小。(4)该粘接层为第一粘接薄膜和第二粘接薄膜的层叠结构(第一粘接薄膜粘接于半导体基板侧，其半导体基板侧的面的粘接性通过加入规定的能量减小；第二粘接薄膜粘接夹具侧，其两个面的粘接性，由加入与该规定能量不同的能量减小)；第一粘接薄膜向比半导体基板尺寸大的环状框架内侧展开。(5)各个集成电路芯片的分离是在将夹具放置在夹头台面上的状态下进行的。(6)粘接薄膜的一个面的粘接性通过加热减小，另一个面的粘接性通过紫外线照射减小。(7)粘接薄膜的半导体基板侧的粘接性通过加热减小，夹具侧的粘接性通过紫外线减小。(8)粘接薄膜的两个面的粘接性利用紫外线减小，使粘接性减小的紫外线的波长不同。(9)夹具用可透过紫外线的材料制成。(10)粘接薄膜两个面的粘接性，利用加热减小，为了减小夹具侧的粘接性的加热温度，比为了减小半导体基板侧的粘接性的加热温度低。(11)粘接薄膜如下薄膜的层叠结构粘结于半导体基板侧，利用紫外线，半导体基板侧的面的粘接性减少的第一粘接薄膜；和粘结于夹具侧，其二个面的粘接性利用加热而减少的第二粘接薄膜。(12)粘接薄膜向比半导体基板尺寸大的环形框架的内侧展开。根据本专利技术的第2个观点提供的集成电路芯片的检查方法，优选具有下述(13)或(14)。该检查方法，将下述(13)和(14)组合也优选。(13)在检查了集成电路元件的电气特性后，和在将第一种能量加在粘接薄膜的第二面上以后，从夹具上剥离粘接薄膜；在将第二种能量加在粘接薄膜的第一面以后，从粘接薄膜上剥离集成电路元件。(14)在检查集成电路芯片的电气特性后，顺序进行加热夹具，从第二粘接薄膜剥离第一粘接薄膜，和用紫外线照射第一粘接薄膜，从第一粘接薄膜剥离集成电路芯片。根据本专利技术的第四观点，提供了集成电路芯片的检查方法。该检查方法优选具有下述(15)-(17)。将(15)-(17)中的任何组合也可以。(15)将配置着多个集成电路元件的半导体基板的背面吸着在夹头台面上，在该夹头台面的吸附表面上有在与各集成电路元件的位置对应的位置上配置的吸引孔，和多条槽，该槽在与用于使配置在该半导体基板上的多个集成电路元件分离成单个集成电路元件的划线对应的位置形成；通过利用切断装置切断该半导体基板，将该多个集成电路元件分离为单个的集成电路元件；再将分离的多个集成电路元件吸着在夹头台面上；使吸着在该夹头台面上的半导体基板，和配置在夹头台面的上方空间中的探测器的位置一致；在探测器与集成电路元件的电极垫接触的状态下，检查集成电路元件的电气特性。(16)配置着该多个集成电路元件的半导体基板的背面，通过薄膜，吸附在夹头台面上。(17)在检查集成电路芯片的电气特性时，在使探测器同时与多个集成电路芯片的电极垫接触的状态下，成批地检查多个集成电路芯片的电气特性。附图说明图1A、1B为表示在本专利技术的方法中使用的晶片保持件的说明图。图2为表示本专利技术的方法的实施方式的工序图。图3A、3B为表示本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种多个集成电路元件纵横配置的半导体基板的切割方法，其特征为：将半导体基板背面的至少是配置着集成电路元件的全部区域，通过至少一层具有粘接性的粘接层，与板状的夹具粘接；通过给该粘接层加能量，减少该粘接层的粘接性；通过用切断装置 切断该半导体基板，分离各个集成电路元件。

【技术特征摘要】
JP 2002-3-4 057772/20021.一种多个集成电路元件纵横配置的半导体基板的切割方法，其特征为将半导体基板背面的至少是配置着集成电路元件的全部区域，通过至少一层具有粘接性的粘接层，与板状的夹具粘接；通过给该粘接层加能量，减少该粘接层的粘接性；通过用切断装置切断该半导体基板，分离各个集成电路元件。2.如权利要求1所述的切割方法，其特征为，该至少一层粘接层为其两面都有粘接性的粘接薄膜。3.如权利要求2所述的切割方法，其特征为，该粘接薄膜的两面为第一面和第二面，用于减少第一面和第二面的粘接性而加入的能量的种类及其大小中的一项是不同的。4.如权利要求3所述的切割方法，其特征为，粘接薄膜的第二面为夹具侧，第一面为半导体基板侧，用于减少第二面的粘接性所加入的能量，比用于减少第一面的粘接性而加入的能量小。5.如权利要求1所述的切割方法，其特征为，该粘接层为第一粘接薄膜和第二粘接薄膜的层叠结构，其中，第一粘接薄膜与半导体基板侧粘接，半导体基板侧的面的粘接性通过加入规定的能量而减小；第二粘接薄膜与夹具侧粘接，其两个面的粘接性，通过加入与该规定能量不同的能量减小；第一粘接薄膜在比半导体基板尺寸大的环状框架内侧展开。6.一种在半导体基板上形成的多个集成电路芯片的检查方法，其特征为通过至少在配置着集成电路元件的整个领域上配置至少一层粘接层，使多个集成电路元件在其表面配置的半导体基板的背面，与板状的夹具粘接；利用切断装置切断该半导体基板，将该多个集成电路元件分离成单个的集成电路元件，在此，利用该粘接层，将该切断的半导体基板粘接在该夹具上；使粘接在该夹具上的半导体基板与配置在该夹具上部空间中的探测器位置一致；在使探测器与集成电路元件的电极垫接触的状态下，检查集成电路元件的电气特性。7.如权利要求6所述的检查方法，其特征为，该至少一层粘接层为其两面都有粘接性的粘接薄膜。8.如权利要求7所述的检查方法，其特征为，该粘接薄膜的两面为第一面和第二面，用于减少第一面和第二面的粘接性而加入的能量的种类及其大小中的一项是不同的。9.如权利要求7所述的检查方法，其特征为，粘接薄膜的第二面为夹具侧，第一面为半导体基板侧，用于减少第二面的粘接性所加入的能量，比用于减少第一面的粘接性而加入的能量小。10.如权利要求8所述的检查方法，其特...

【专利技术属性】
技术研发人员：竹腰清，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]