【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种集成电路(IC)元件,尤其涉及一种用于集成电路元件 的高速、低功率输入緩冲器,— 集成电路元件包括诸如动态随机记忆体 (DRAM),同步DRAM,同步静态随机记忆体(SRAM)之类的记忆体。
技术介绍
集成电路之间的信号发送通常是由使用多种信号发送协定中的一个来 完成。大多数协定都指定一参考电压(VREF)。当输入电压(VIN)高于VREF 准位一特定电压(Vih)时,输入电压的有效逻辑准位为"高";当输入电 压低于VREF准位一特定电压(Vil )时,输入电压的有效逻辑准位为"低"。 用于高速记忆体界面应用的线脚系列终端逻辑(Stub Series-Terminated Logic; SSTL)界面标准,也是使用这种协定的一个例子。故若能提供一输 入緩冲器,其和传统电路设备相比,需要较弱的功率准位并同时显示出较 高的操作速度,是相当有益的。
技术实现思路
本专利技术揭露了一种用于集成电路元件的高速、低功率的输入緩沖器,其 中输入电压(VIN)耦接到PMOS晶体管和應0S晶体管。依据本专利技术的输入緩沖器,在校准相位操作期间而非在主动操作^t式时, ...
【技术保护点】
一种集成电路输入缓冲器,其特征在于其包括: 输入终端,接收输入电压信号; 输出终端,当该输入缓冲器处于操作阶段时,提供输出电压信号,以回应该输入电压信号;以及 参考电压接线端,当该输入缓冲器处于可选操作校准阶段时,提供参考电压信号给该输入缓冲器。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员:道格拉斯布莱恩巴特乐,
申请(专利权)人:茂德科技股份有限公司新加坡子公司,
类型:发明
国别省市:SG[新加坡]
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