半导体器件制造技术

本发明专利技术的课题是，提供防止了用于进行电源线的桥式整流的半导体元件遭到破坏的功率集成电路器件。本发明专利技术制成了将ＨＮＭＯＳ晶体管（４）的漏电极与ＮＭＯＳ晶体管（２１）的栅电极连接，经电阻（３２）对ＮＭＯＳ晶体管（２１）的漏电极施加逻辑电路电压ＶＣＣ，对ＮＭＯＳ晶体管（２１）的源电极施加接地电位的结构。于是，借助于用接口电路（１）监测ＮＭＯＳ晶体管（２１）的漏电位Ｖ２，间接地监测了电位ＶＳ。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体器件，特别是涉及高耐压的功率集成电路器件。技术背景功率集成电路器件(HVIC:高压IC)是在以电动机控制为首的机 电领域中，为求得高性能、低成本而不可或缺的器件。例如，HVIC可以被用作为了进行电源线的桥式整流而使用的IGBT (绝缘栅型双极晶体管)等功率晶体管的栅驱动电路。在该HVIC中， 当高电位侧(高侧)和低电位侧(低侧)的IGBT同时处于开态(称为 发射穿通(Shoot-through)现象)时，桥臂(电源线)之间呈短路状 态，大的电流流过IGBT, IGBT遭到损坏。为防止这种现象发生，对HVIC进行控制，使得高电位側的栅驱动 器输出与低电位侧的栅驱动器输出互补地进行输出，可是，由于实际 上并未对栅驱动器的输出进行监测，所以例如当在从高电位側的栅驱 动器输出的状态(高电位侧IGBT处于开态)下由负载等的故障引起高 电位侧IGBT与低电位侧IGBT的连接节点的电位(称为电位VS)与接 地电位(GND)短路(接地故障)时，高电位侧IGBT呈短路状态，因 而必须立即关断，但是，因为HVIC不能判断电位VS成为GND，故而高 电位側的栅驱动器仍继续进行输出本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件，对串联连接的、插在高电位的主电源电位与低电位的主电源电位之间的第一和第二开关器件进行驱动控制，其特征在于，具备：　高电位部，包含对在上述第一和第二开关器件中成为高电位侧开关器件的导通／非导通进行控制的控制部；　低电位侧逻辑电路，设置在以上述低电位的主电源电位为基准进行工作的低电位部上，并根据从外部施加的信号，生成具有表示上述高电位侧开关器件导通的第一状态和表示上述高电位侧开关器件非导通的第二状态的控制信号，同时根据上述控制信号，对应于上述第一和第二状态，产生第一和第二脉冲信号；　第一和第二电平移位部，将上述第一和第二脉冲信号向上述高电位部进行电平移位，并分别得到第一和第二电平移...

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员：清水和宏，
申请(专利权)人：三菱电机株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]