温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明的课题是，提供防止了用于进行电源线的桥式整流的半导体元件遭到破坏的功率集成电路器件。本发明制成了将ＨＮＭＯＳ晶体管（４）的漏电极与ＮＭＯＳ晶体管（２１）的栅电极连接，经电阻（３２）对ＮＭＯＳ晶体管（２１）的漏电极施加逻辑电路电压ＶＣＣ...
该专利属于三菱电机株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三菱电机株式会社授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。