可变电容元件及内置可变电容元件的集成电路制造技术

一种可变电容元件，包括：　　　　埋入电极层，在半导体衬底的上表面区域部分由导电型与所述半导体衬底不同的半导体层形成；　　　　布线层，与在所述埋入电极层的上方形成的所述埋入电极层的引出部连接；　　　　一对电容绝缘膜，分别在所述埋入电极层的除所述引出部以外的区域部分之上形成，所述区域部分在一个平面上具有相对且邻近的侧面；　　　　绝缘体层，在所述一对电容绝缘膜的与上述邻近的侧面相垂直的各个外侧面相连接的区域形成；　　　　一对导电体层，分别在各自的电容绝缘膜和各自的绝缘体层上形成；及　　　　布线层，分别与所述绝缘体层上的所述一对导电体层的引出部连接；　　　　通过分别改变所述埋入电极层和所述一对导电体层之间的电压，可分别改变所述埋入电极层和所述一对导电体层之间的电容值。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及可变电容元件，特别涉及用于高频电路的集成电路中所内置的可变电容元件。
技术介绍
近年来，随着携带电话等移动通信市场的发展，以电路的小型化、低成本化为目的，电感器、电容器等以往是分立部件的元件的IC集成化十分重要。这样的元件之一是可变电容元件。可变电容元件用于改变振荡电路的振荡频率用途等。在这样的现有技术中，有包含具备电容器切换单元的VCO电路的频率合成器(例如参照日本特开2001-339301号公报)、频带转换的集成电压控制振荡器(例如参照日本特开2001-196853号公报)、附带使用可变电容元件的频率校正功能的电压控制振荡器(例如参照日本特开2001-352218号公报)。图6A表示在现有IC上构成的可变电容元件的平面结构。图6B表示图6A的B-B剖面。在图6A、图6B中，301是p型硅衬底，302是n型埋入电极层，303是n型表面电极层，304、309是第1、第2栅电极层，305、310是第1、第2栅极氧化膜。306、311是第1、第2栅电极侧的通孔(via)，307、312是第1、第2栅电极侧的布线层，308是绝缘体层，313是n型埋入电极侧的通孔，314是本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：平冈幸生，儿岛裕贵，
申请(专利权)人：松下电器产业株式会社，
类型：发明
国别省市：