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本发明公布了切割方法、集成电路元件的检查方法、基板保持装置和粘接薄膜。将例如用紫外线减少粘接性的第一粘接薄膜（２２），展开在比晶片尺寸大的环形框架（２１）的内侧，在其上面贴附晶片（Ｗ）。将通过加热，使两面的粘接性都减小的第二粘接薄膜（４）贴...
该专利属于东京毅力科创株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过东京毅力科创株式会社授权不得商用。

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