半导体芯片的制造方法技术

在将由通道划分的区域中形成了电路的半导体晶片Ｗ分割成各个电路的半导体芯片的情况下，通过靠激发而降低粘结力的粘结片，在支承板（１３）上粘贴半导体晶片Ｗ的表面，使半导体晶片Ｗ的背面（１０）露出，对与支承板（１３）一体的半导体晶片Ｗ的背面（１０）进行研磨，在将背面（１０）向上保持的状态下，将研磨结束的与支承板（１３）一体的半导体晶片Ｗ分割成半导体芯片Ｃ，激发粘结片，使粘结力下降，将半导体芯片Ｃ从支承板（１３）中拆下。由于半导体晶片和半导体芯片始终被支承在支承板上，所以可以防止发生破损、变形等。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及在对半导体晶片的背面进行研磨后，进行切割而形成半导体芯片的过程中，用于防止半导体晶片和半导体芯片产生破损、变形等的。
技术介绍
如图14所示，对在由通道S划分的多个区域C中形成了电路的半导体晶片W的背面进行研磨，形成期望的厚度之后，将通道S纵横地切割而形成IC、LSI等的半导体芯片。在对背面进行研磨时，由于表面侧被研磨装置保持，所以为了保护表面上形成的电路，通常在表面上粘贴保护带。此外，为了实现各种电子装置的小型化、薄型化，在将半导体晶片W的厚度例如很薄地研磨至100μm以下的情况下，研磨后的半导体晶片W像纸那样柔软，难以处理，所以为了容易进行其后的运送，通过将半导体晶片W的表面粘贴支承在刚性强的支承板上，从而容易进行运送。但是，在使用切割装置切割因背面研磨变薄的半导体晶片中，由于将半导体晶片从支承板中剥离而需要重贴在切割带上，所以在剥离或粘贴时有损伤半导体晶片的危险。特别是对于通过研磨其厚度在100μm以下、50μm以下非常薄地形成的半导体晶片来说，不损伤地重贴非常困难。此外，例如在日本特开平10-284449号公报中公开的专利技术中，在半导体晶片的表面粘贴在保持本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体芯片的制造方法，该方法用于半导体晶片的分割，将通过通道划分的区域中形成了电路的半导体晶片分割成各个电路的半导体芯片，该方法包括：通过靠激发而粘结力下降的粘结片，在支承板上粘贴半导体晶片的表面，使该半导体晶片的背面露出的支承 板一体化工序；对与该支承板一体的半导体晶片的背面进行研磨的研磨工序；在背面向上保持的状态下对与该研磨工序结束的该支承板一体的半导体晶片进行切割，分割成半导体芯片的切割工序；以及　激发该粘结片来降低粘结力，将该半导体芯 片从该支承板中拆卸的分离工序。

【技术特征摘要】
JP 2002-4-11 109178/20021.一种半导体芯片的制造方法，该方法用于半导体晶片的分割，将通过通道划分的区域中形成了电路的半导体晶片分割成各个电路的半导体芯片，该方法包括通过靠激发而粘结力下降的粘结片，在支承板上粘贴半导体晶片的表面，使该半导体晶片的背面露出的支承板一体化工序；对与该支承板一体的半导体晶片的背面进行研磨的研磨工序；在背面向上保持的状态下对与该研磨工序结束的该支承板一体的半导体晶片进行切割，分割成半导体芯片的切割工序；以及激发该粘结片来降低粘结力，将该半导体芯片从该支承板中拆卸的分离工序。2.如权利要求1所述的半导体芯片的制造方法，其中，在粘结片中含有靠激发产生气体的气体...

【专利技术属性】
技术研发人员：福冈正辉，畠井宗宏，林聪史，大山康彦，檀上滋，北村政彦，矢嶋兴一，
申请(专利权)人：积水化学工业株式会社，株式会社迪思科，
类型：发明
国别省市：JP[日本]