半导体芯片的制造方法技术

在将由通道划分的区域中形成了电路的半导体晶片Ｗ分割成各个电路的半导体芯片的情况下，通过靠激发而降低粘结力的粘结片，在支承板（１３）上粘贴半导体晶片Ｗ的表面，使半导体晶片Ｗ的背面（１０）露出，对与支承板（１３）一体的半导体晶片Ｗ的背面（１０）进行研磨，在将背面（１０）向上保持的状态下，将研磨结束的与支承板（１３）一体的半导体晶片Ｗ分割成半导体芯片Ｃ，激发粘结片，使粘结力下降，将半导体芯片Ｃ从支承板（１３）中拆下。由于半导体晶片和半导体芯片始终被支承在支承板上，所以可以防止发生破损、变形等。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及在对半导体晶片的背面进行研磨后，进行切割而形成半导体芯片的过程中，用于防止半导体晶片和半导体芯片产生破损、变形等的。
技术介绍
如图14所示，对在由通道S划分的多个区域C中形成了电路的半导体晶片W的背面进行研磨，形成期望的厚度之后，将通道S纵横地切割而形成IC、LSI等的半导体芯片。在对背面进行研磨时，由于表面侧被研磨装置保持，所以为了保护表面上形成的电路，通常在表面上粘贴保护带。此外，为了实现各种电子装置的小型化、薄型化，在将半导体晶片W的厚度例如很薄地研磨至100μm以下的情况下，研磨后的半导体晶片W像纸那样柔软，难以处理，所以为了容易进行其后的运送，通过将半导体晶片W的表面粘贴支承在刚性强的支承板上，从而容易进行运送。但是，在使用切割装置切割因背面研磨变薄的半导体晶片中，由于将半导体晶片从支承板中剥离而需要重贴在切割带上，所以在剥离或粘贴时有损伤半导体晶片的危险。特别是对于通过研磨其厚度在100μm以下、50μm以下非常薄地形成的半导体晶片来说，不损伤地重贴非常困难。此外，例如在日本特开平10-284449号公报中公开的专利技术中，在半导体晶片的表面粘贴在保持带上的状态下进行研磨和切割，所以不需要从研磨转移到切割时的重贴，但在切割后，从切割带中剥离半导体芯片时，有产生半导体芯片破裂和破碎等破损、变形等的危险。
技术实现思路
因此，本专利技术的目的在于，在对半导体晶片进行研磨，将该半导体晶片进行切割来制造半导体芯片时，防止在半导体晶片和半导体芯片中产生破损、变形等。本专利技术提供，该方法用于半导体晶片的分割，将通过通道划分的区域中形成了电路的半导体晶片分割成各个电路的半导体芯片，该方法包括通过靠激发而粘结力下降的粘结片，在支承板上粘贴半导体晶片的表面，使该半导体晶片的背面露出的支承板一体化工序；对与该支承板一体的半导体晶片的背面进行研磨的研磨工序；在背面向上保持的状态下对与该研磨工序结束的该支承板一体的半导体晶片进行切割，分割成半导体芯片的切割工序；以及激发该粘结片来降低粘结力，将该半导体芯片从该支承板中拆卸的分离工序。而且，这种将以下条件作为附加的主要条件在粘结片中包含靠激发产生气体的气体产生剂；激发是紫外线，气体产生剂靠该紫外线而产生气体；在分离工序中，仅对要从支承板分离的半导体芯片照射紫外线；粘结片含有在从丙烯酸系、烯烃系、聚碳酸酯系中选择至少一种以上的树脂中偶氮化合物构成的气体发生剂；支承板由透明或半透明的材质构成；支承板由玻璃构成，其厚度在0.5mm至2.5mm内；在支承板的外周部中，形成表示通道位置的对准标记。根据这样构成的，通过靠激发而降低粘结力的粘结片，将半导体晶片粘贴在刚性强的支承板上，在该状态下进行研磨、切割，然后予以激发来降低粘结力后，可以进行半导体芯片的拾取，所以在这些工序中，或在工序间的运送时，可以安全、可靠并且容易地进行半导体芯片的拾取，在半导体芯片上不产生破裂和破碎等的破损、变形。附图说明图1是表示采用本专利技术的半导体晶片的立体图；图2是表示构成本专利技术的支承板一体化工序的立体图；图3是表示半导体晶片和其支承板为一体的状态的立体图；图4是放大表示粘结片的第一例的局部的剖面图；图5是放大表示粘结片的第二例的局部的剖面图；图6是放大表示粘结片的第三例的局部的剖面图；图7是表示构成本专利技术的研磨工序的实施中使用的研磨装置一例的立体图；图8是表示构成本专利技术的切割工序的实施中使用的切割装置一例的立体图；图9是表示切割工序中一方向的通道都被切削状态的立体图；图10是表示通过切割工序通道都被纵横地切削状态的立体图；图11是表示构成本专利技术的分离工序的立体图；图12是以工序表示本专利技术的说明图；图13是表示支承板的第二例的立体图；图14是表示半导体晶片的平面图。具体实施例方式作为用于实施本专利技术的优选方式，下面说明对图1所示的半导体晶片W的背面进行研磨，将通道S纵横地切削(切割)来制造各个半导体芯片C的方法。在图1所示的半导体晶片W中，在由通道S划分的区域的表面上形成电路。如图2所示，在将半导体晶片W翻过来使其背面10朝上的状态下，通过粘结片12，将半导体晶片W的表面粘贴在支承板13上，如图3所示成为一体(支承板一体化工序)。即，将半导体晶片W的表面11粘贴在粘结片12上。粘结片12具有靠激发而粘结力下降的性质，例如是含有通过从表面放出气体而降低粘结力的气体发生剂的粘结片。作为这种情况下的激发，例如使用紫外线。粘结片12可以是如图4所示的粘结片12a那样在两面有具有粘结剂层14、15的粘结性无支承带，也可以是如图5所示的粘结片12b那样在基材16的两面上形成粘结剂层17、18而构成的类型。此外，如图6所示的粘结片12c所示，也可以是仅一层粘结剂层19构成的无支承带。在如图5的粘结片12b那样使用基材16的类型的情况中，在粘结剂层17是靠光而降低粘结力的粘结剂层的情况下，期望基材16是透过或通过光的基材，例如可列举丙烯酸、烯烃、聚碳酸酯、氯乙烯、ABS、聚对苯二甲酸乙二酯(PET)、尼龙、聚氨酯、聚酰亚胺等透明树脂构成的片、具有网格结构的片、打孔的片等。构成粘结片12a、12b、12c的粘结剂层14、17、19含有靠激发而产生气体的气体发生剂，作为这种激发，可列举光、热、超声波等，其中期望是光或热。此外，作为光，可列举紫外线和可见光等。作为气体发生剂，没有特别限定，例如偶氮化合物、叠氮化合物是适用的。作为偶氮化合物，例如可列举2，2’-偶氮双(N-丁基-2-甲基丙酰胺)，2，2’-偶氮双{2-甲基-N-[1，1-双(羟甲基)-2-羟乙基]丙酰胺，2，2’-偶氮双{2-甲基-N-[2-(1-羟丁基)]丙酰胺，2，2’-偶氮双[2-甲基-N-(2-羟乙基)丙酰胺]，2，2’-偶氮双[N-(2-丙烯基)-2-甲基丙酰胺]，2，2’-偶氮双(N-丁基-2-甲基丙酰胺)，2，2’-偶氮双(N-环己基-2-甲基丙酰胺)，2，2’-偶氮双[2-(5-甲基-2-咪唑啉-2-基)丙烷]二氢氯化物，2，2’-偶氮双[2-(2-咪唑啉-2-基)丙烷二氢氯化物，2，2’-偶氮双[2-(2-咪唑啉-2-基)丙烷]硫酸氢酯二水合物，2，2’-偶氮双[2-(3，4，5，6-四氢嘧啶-2-基)丙烷]二氢氯化物，2，2’-偶氮双{2-[1-(2-羟乙基)-2-咪唑啉-2-基]丙烷}二氢氯化物，2，2’-偶氮双[2-(2-咪唑啉-2-基)丙烷]，2，2’-偶氮双(2-甲基丙脒)氢氯化物，2，2’-偶氮双(2-氨基丙烷)二氢氯化物，2，2’-偶氮双[N-(2-羧酰基)-2-甲基丙脒]，2，2’-偶氮双{2-[N-(2-羧乙基)脒]丙烷}，2，2’-偶氮双(2-甲基丙酰胺肟)，二甲基2，2’-偶氮双(2-甲基丙酸酯)，二甲基2，2’-偶氮双异丁酸酯，4，4’-偶氮双(4-氰甲酸)，4，4’-偶氮双(4-氰戊酸)，2，2’-偶氮双(2，4，4-三甲基戊烷)等。在半导体晶片的制造工序中，有一个暴露于高温下的工序。例如，在对半导体晶片的背面进行研磨的研磨工序中，因摩擦热产生高温，所以在这些工序中期望使用热分解温度高的2，2’-偶氮双(N-丁基-2-甲基丙酰胺)，2，2’-偶氮双(N-丁基-2-甲基丙酸胺)，2，2’-偶氮双(N-环本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体芯片的制造方法，该方法用于半导体晶片的分割，将通过通道划分的区域中形成了电路的半导体晶片分割成各个电路的半导体芯片，该方法包括：通过靠激发而粘结力下降的粘结片，在支承板上粘贴半导体晶片的表面，使该半导体晶片的背面露出的支承 板一体化工序；对与该支承板一体的半导体晶片的背面进行研磨的研磨工序；在背面向上保持的状态下对与该研磨工序结束的该支承板一体的半导体晶片进行切割，分割成半导体芯片的切割工序；以及　激发该粘结片来降低粘结力，将该半导体芯 片从该支承板中拆卸的分离工序。

【技术特征摘要】
JP 2002-4-11 109178/20021.一种半导体芯片的制造方法，该方法用于半导体晶片的分割，将通过通道划分的区域中形成了电路的半导体晶片分割成各个电路的半导体芯片，该方法包括通过靠激发而粘结力下降的粘结片，在支承板上粘贴半导体晶片的表面，使该半导体晶片的背面露出的支承板一体化工序；对与该支承板一体的半导体晶片的背面进行研磨的研磨工序；在背面向上保持的状态下对与该研磨工序结束的该支承板一体的半导体晶片进行切割，分割成半导体芯片的切割工序；以及激发该粘结片来降低粘结力，将该半导体芯片从该支承板中拆卸的分离工序。2.如权利要求1所述的半导体芯片的制造方法，其中，在粘结片中含有靠激发产生气体的气体...

【专利技术属性】
技术研发人员：福冈正辉，畠井宗宏，林聪史，大山康彦，檀上滋，北村政彦，矢嶋兴一，
申请(专利权)人：积水化学工业株式会社，株式会社迪思科，
类型：发明
国别省市：JP[日本]