用于对被处理基板实施半导体处理的系统和方法技术方案

一种半导体处理的系统（１０）包含测定部（４０）、信息处理部（５１）以及控制部（５２）。测定部（４０）测定实施过半导体处理的被处理基板（Ｗ）上的试验对象膜的特性。信息处理部（５１）根据试验对象膜上的多个位置的由测定部（４０）测定的特性的值，算出使特性的面内均匀性提高所必要的被处理基板（Ｗ）的位置修正量。控制部（５２）在为了进行半导体处理而将接下来的被处理基板（Ｗ）通过移载装置（３０）向支持部件（１７）移载时，根据位置修正量控制移载装置（３０）的驱动部（３０Ａ、３２Ａ）。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及用于对被处理基板实施半导体处理的系统以及方法。另外，在此，半导体处理是指为了通过在半导体晶片和LCD基板等的被处理基板上按照规定的图案形成半导体层、绝缘层、导电层等，在该被处理基板上制造包含半导体装置和与半导体装置相连接的配线、电极等的构造物而实施的各种处理。
技术介绍
在半导体处理中，作为一次对多枚半导体晶片进行氧化、扩散、退火、成膜等的热处理的分批式处理装置已知有立式热处理装置。在立式热处理装置中，将晶片沿着垂直方向留出间隔而排列支持在被称为晶片载置架的支持部件上，将该支持部件搬入立式的处理室内。然后，通过配置在处理室周围的加热机构一边加热一边进行热处理。例如，在成膜处理中，在反应管(处理室)内收容了保持被处理基板的载置架的状态下，将反应管内设置到规定的减压氛围。另外，从下方将规定的处理气体，例如成膜用气体，引入反应管内。再通过被设置在反应管周围的筒状加热器加热到规定的温度。由此，在被处理基板上进行成膜。在进行这样的成膜处理时，通常有在被处理基板上形成的膜厚在中央部分和周边部分不同的倾向。具体地说，例如有被处理基板的中央部分的膜厚比周边部分的膜厚小的倾向。所以，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种对被处理基板进行半导体处理的系统，其特征在于，具有：　　　　收纳所述被处理基板的处理室；　　　　在所述被处理室内支持所述被处理基板的支持部件；　　　　将所述处理室内排气的排气系统；　　　　向所述处理室内供给处理气体的供给系统；　　　　将所述被处理基板移载到所述支持部件上的移载装置；　　　　驱动所述移载装置的驱动部；　　　　测定实施过所述半导体处理的所述被处理基板上的试验对象膜的特性的测定部；　　　　在所述试验对象膜上的多个位置上，根据由所述测定部测定的所述特性的值，算出使所述特性的面内均匀性提高所必要的所述被处理基板的位置修正量的信息处理部；和　　　　在为了进行所述半导体处理而将接下来的被...

【技术特征摘要】
JP 2001-7-26 225781/20011.一种对被处理基板进行半导体处理的系统，其特征在于，具有收纳所述被处理基板的处理室；在所述被处理室内支持所述被处理基板的支持部件；将所述处理室内排气的排气系统；向所述处理室内供给处理气体的供给系统；将所述被处理基板移载到所述支持部件上的移载装置；驱动所述移载装置的驱动部；测定实施过所述半导体处理的所述被处理基板上的试验对象膜的特性的测定部；在所述试验对象膜上的多个位置上，根据由所述测定部测定的所述特性的值，算出使所述特性的面内均匀性提高所必要的所述被处理基板的位置修正量的信息处理部；和在为了进行所述半导体处理而将接下来的被处理基板由所述移载装置向所述支持部件移载时，根据所述位置修正量控制所述驱动部的控制部。2.如权利要求1所述的系统，其特征在于，所述半导体处理为成膜处理，所述特性为在所述被处理基板上形成的膜的膜厚或膜质。3.如权利要求1所述的系统，其特征在于，还具备将经过多次试验处理而通过所述信息处理部得到的数据作为试验数据按照时间序列记忆的试验数据记忆部，所述信息处理部是在所述位置修正量在第n次试验处理时使用的情况下，为了算出所述位置修正量而使用第(n-1)次以及第(n-2)次试验处理的数据。4.如权利要求1所述的系统，其特征在于，所述信息处理部与所述试验对象膜的所述特性相关，用由所述测定部测定的位置的实测值，通过插值处理形成未由所述测定部测定的位置上的预测值，根据所述实测值以及所述预测值算出所述位置修正量。5.如权利要求1所述的系统，其特征在于，还具备在所述半导体处理中使所述支持部件转动的转动部件。6.如权利要求1所述的系统，其特征在于，还包含所述支持部件，具备将属于实质上具有同一个轮廓尺寸的基板组的多个被处理基板在上下方向按间隔支持的载置架；所述系统，具备为了将所述载置架在所述处理室外的移载作业位置和所述处理室内的位置之间搬运的载置架搬运机构；所述移载装置将所述多个被处理基板移载到在所述移载作业位置处的所述载置架上。7.如权利要求1所述的系统，其特征在于，所述信息处理部在根据由所述测定部测定的所述试验对象膜上的所述特性的分布，求得所述处理室的处理中心的同时，由所述被处理基板的几何中心相对于所述处理中心的偏移量算出所述位置修正量。8.如权利要求7所述的系统，其特征在于，还具备将经过多次试验处理而通过所述信息处理部得到的数据作为试验数据按照时间序列记忆的试验数据记忆部，所述信息处理部是在所述位置修正量在第n次的试验处理中使用的情况下，将在第(n-1)次以及第(n-2)次的试验处理中使用的位置修正量以及所得到的偏移量导入到计算在第n次的试验处理中使用的所述位置修正量的式中。9.如权利要求8所述的系统，其特征在于，所述式子为Txn=Txn-1-Dxn-1{(Dxn-2-Dxn-1)/(Txn-2-Txn-1)}]]>Tyn=Tyn-1-Dyn-1{(Dyn-2-Dyn-1)/(Tyn-2-Tyn-1)}]]>在这里，Txn、Txn-1以及Txn-2表示第n次、第(n-1)次以及第(n-2)次的试验处理中使用的X轴方向的位置修正量，Dxn-1以及Dxn-2表示第(n-1)次以及第(n-2)次的试验处理中得到的所述X轴方向的偏移量，Tyn、Tyn-1以及Tyn-2表示第n次、第(n-1)次以及第(n-2)次的试验处理中使用的与所述X轴方向垂直的Y轴方向的位置修正量，Dyn-1以及Dyn-2表示第(n-1)次以及第(n-2)次的试验处理中得到的所述Y轴方向的偏移量。10.如权利要求1所述的系统，其特征在于，还具备将表示所述支持部件上的所述被处理基板的位置的变化量与相对于所述位置的变化量而预测的所述特性的变化量的关系的基准数据加以记忆的基准数据记忆部，所述信息处理部根据所述基准数据和所述被处理基板的至少在周边部的多个位置上的所述特性的值，按照所述特性值的差在允许范围内的方式算出所述位置修正量。11.如权利要求10所述的系统，其特征在于，所述信息处理部根据所述基准数据和通过所述被处理基板的几何中心而且在相互交叉的在第一以及第二方向延伸的直线上的多个位置上的所述特性的值，按照在所述第一以及第二方向上所述特性的值在相对于所述几何中心在允许范围内成为对称的方式算出所述位置修正量。12.如权利要求11所述的系统，其特征在于，所述基准数据在所述位置修正量被用于第n次的试验处理时，根据第(n-1)次的试验处理的数据而更新。13.一种用于对被处理基板进行半导体处理的方法，其特征在于，具备通过由驱动部驱动的移载装置，将所述被处理基板移载到支持部件上的工序；在处理室内在将所述被处理基板支持在所述支持部件上的状态下，对所述被处理基板实施所述半导体处理的工序；...

【专利技术属性】
技术研发人员：坂本浩一，户根川大和，藤田武彦，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]