衬底处理系统以及衬底搬送方法技术方案

本发明专利技术涉及衬底处理系统以及衬底搬送方法。衬底处理系统（１００）具有主搬送线（２０）和副搬送线（３０），该主搬送线（２０）在系统的整体中进行晶片（Ｗ）的搬送，该副搬送线（３０）进行光刻处理部（１ａ）内的晶片（Ｗ）的搬送。在光刻处理部（１ａ）中，抗蚀剂涂敷处理装置（２）和显影处理装置（５）被分离配置，第一曝光处理装置（３ａ）和第一ＰＥＢ处理装置（４ａ）、第二曝光处理装置（３ｂ）和第二ＰＥＢ处理装置（４ｂ）相邻配置。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及对半导体晶片等的被处理村底进行包括光刻工序的处 理的。
技术介绍
在半导体器件的制造工艺中，为了在半导体晶片(以下有时记为晶 片，，)上进行图案形成，反复进行光刻工序。在光刻工序中，进行在半 导体晶片表面上形成抗蚀剂膜的抗蚀剂涂敷处理、对涂敷抗蚀剂后的晶 片使用曝光掩模进行曝光的曝光处理和对曝光后的晶片进行显影的显影处理。另外，在曝光处理之前进行曝光前烘焙(PAB)处理、在曝光 处理之后进行曝光后烘焙(Post Exposure Bake: PEB )处理。在半导体制造工艺中，光刻工序在连接到工厂内的自动搬送系统(AMHS Automated Material Handling Systems )的光刻处理部中进行。 以往，光刻处理部如下构成.受工艺上的制约，串联配置抗蚀剂涂敷显 影处理装置，将此作为一个单位在与所述AMHS之间能够交接晶片W(例如特开2000-124124号公报(第0027段、图2等))。在这种以往 的装置布局中，被AMSH进行盒搬送的多张晶片以盒为单位交接到光刻 处理部的抗蚀剂涂敷显影处理装置中。然后，通过抗蚀剂涂敷显影处理 装置从盒中一张一张取出晶片W,进行抗蚀剂涂敷、膝光、显影等一系 列的处理。但是，为了对应于半导体装置中的技术点、即微细化的进展，最近， 正在开发双重曝光等新技术。双重曝光是如下这样的技术对涂敷抗蚀 剂后的晶片例如以预定的线宽进行曝光处理后，通过使掩^t的位置偏移 进行第二次的曝光处理来使线宽微细化，提高分辨率。但是，在双重曝光技术中，如上所述，由于进行两次曝光处理，所以，光刻工序所需要 的时间以单纯计算变为两倍，有可能大幅度降低半导体装置制造的处理 能力(throughput)
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种在以高处理能力实施光刻工序中的各处 理的情况下也能得到高可靠性的。本专利技术第 一观点提供一种对被处理衬底进行包括光刻工序的处理衬底处理系统，其特征在于具备第一自动衬底搬送线，在对被处理衬底单独进行处理的多个 处理部之间进行被处理衬底的搬送；光刻处理部，以能够在与所述第一 自动衬底搬送线之间交接被处理衬底的方式构成，进行所述光刻工序中 的一系列处理；第二自动衬底搬送线，在所述光刻处理部的各处理装置 之间进行被处理衬底的搬送，所述光刻处理部具备抗蚀剂涂敷处理装置，对被处理衬底表面涂 敷抗蚀剂；曝光处理装置，对涂敷在被处理衬底上的抗蚀剂进行曝光处 理；曝光后烘焙处理装置，对曝光后的抗蚀剂进行加热处理；显影处理 装置，对加热处理后的抗蚀剂进行显影处理，所述抗蚀剂涂敷处理装置、所述曝光后烘焙处理装置和所述显影处 理装置以分别能够在与所述第二自动衬底搬送线之间交接被处理衬底 的方式分离配置，所述曝光处理装置以经由所述曝光后烘焙处理装置在与所述第二 自动衬底搬送线之间进行被处理衬底的交接的方式，与所述曝光后烘焙 处理装置相邻配置。在该情况下，优选所述抗蚀剂涂敷处理装置、所述 曝光后烘焙处理装置和所述显影处理装置分别具备用于在与所述第二 自动衬底搬送线之间交接被处理衬底的单独的衬底交接端口 。本专利技术第二观点提供一种衬底处理系统，对被处理衬底进行包括光 刻工序的处理，其特征在于具备第一自动衬底搬送线，在对被处理衬底单独进行处理的多个 处理部之间进行被处理衬底的搬送；光刻处理部，以能够在与所述第一 自动衬底搬送线之间交接被处理衬底的方式构成，进行所述光刻工序中 的一系列处理；第二自动衬底搬送线，在所迷光刻处理部的各处理装置 之间进行被处理衬底的搬送，所述光刻处理部再备:.抗蚀剂涂敷处理装置，对被处理衬底表面涂 敷抗蚀剂；曝光处理装置，对涂敷在被处理衬底上的抗蚀剂进行曝光处 理；曝光后烘焙处理装置，对曝光处理后的抗蚀剂进行加热处理；显影 处理装置，与所述曝光后烘焙处理装置相邻配置，对加热处理后的抗蚀8剂进行显影处理，所述抗蚀剂涂敷处理装置和所述显影处理装置以分别能够与所述 第二自动衬底搬送线之间交接被处環衬底的方式分离配置，所述曝光处理装置以经由所述曝光后烘焙处理装置以及所述显影处理装置在与所 述第二自动衬底搬送线之间进行被处理衬底的交接的方式，与所述曝光后烘焙处理装置相邻配置。在该情况下，优选所述抗蚀剂涂敷处理装置 以及所述显影处理装置分别具有用于在与所述第二自动衬底搬送线之 间交接被处理衬底的单独的衬底交接端口 。在所述第 一观点以及第二观点的所述衬底处理系统中，优选所述第 二自动衬底搬送线是从所述第一 自动衬底搬送线独立的循环式的衬底 搬送线。另外，优选具备第一自动衬底搬送装置，在所述第一自动衬底搬 送线上移动，并在与所述各处理部之间进行被处理衬底的交接；第二自 动衬底搬送装置，在所述第二自动衬底搬送线上移动，在所述光刻处理 部的各处理装置之间进行被处理衬疼的交接。在该情况下，所述笫一 自动衬底搬送装置以及所述第二自动衬底搬 送装置可以是将多张被处理衬底容纳在容器中进行并搬送的容器搬送 装置，或者，所述第一自动衬底搬送装置是将多张被处理衬底容纳在容 器中进行并搬送的容器搬送装置，所述第二自动衬底搬送装置是一张一 张地搬送被处理衬底的片材搬送装置也可以。另外，优选具备第一控制部，控制所迷第一自动衬底搬送线上的 被处理衬底的搬送；第二控制部，控制所述第二自动村底搬送线上的被 处理衬底的搬送。另外，优选以所述曝光处理装置的设置数量相对于所述抗蚀剂涂敷 处理装置的设置数量为1: 2的比率的方式配置。在该情况下，所述光 刻处理部是通过双重曝光技术进行图案形成的处理部。本专利技术第三观点提供一种衬底搬送方法，在对被处理衬底进行包括 光刻工序的衬底处理系统中搬送被处理衬底，其中，所述衬底处理系统具备第一自动衬底搬送线，在对被处理衬底单 独进行处理的多个处理部之间进行被处理衬底的搬送；循环式的第二自 动衬底搬送线，以能够在与所述第一 自动衬底搬送线之间交接被处理村 底，专用于进行所述光刻工序中的 一 系列处理的光刻处理部，所述光刻处理部具备抗蚀剂涂敷处理装置，对被处理衬底表面涂 敷抗蚀剂；曝光处理装置，对涂敷在被处理衬底上的抗蚀剂进行曝光处 理；曝光后烘焙处理装置，对曝光处理后的抗蚀剂进行加热处理；显影 处理装置，对加热处理后的抗蚀剂进行显影处理，在所述光刻处理部中，利用所述第二自动衬底搬送线在各处理装置 之间进行被处理衬底的搬送，并且，所述抗蚀剂涂敷处理装置、所述曝 光后烘焙处理装置和所述显影处理装置分别在与所述第二自动衬底搬 送线之间直接交接被处理衬底，所述曝光处理装置经由被相邻配置的所 述爆光后烘焙处理装置在与所迷第二自动衬底搬送线之间进行被处理 衬底的交接。本专利技术第四观点提供一种衬底搬送方法，在对被处理衬底进行包括 光刻工序的衬底处理系统中搬送被处理衬底，其中，所述衬底处理系统具备第一自动衬底搬送线，在对被处理衬底单 独进行处理的多个处理部之间,进行被处理衬底的搬送；循环式的第二自 动衬底搬送线，以能够在与所述第 一 自动衬底搬送线之间交接被处理衬 底的方式构成，专用于进行所述光刻工序中的一系列处理的光刻处理 部，所述光刻处理部具备抗蚀剂涂敷处理装置，对被处理衬底表面涂 敷抗蚀剂；曝光处理装置，对涂敷在被处理畔底上的抗蚀剂进行曝光处 理；曝光后烘焙处理装置，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种衬底处理系统，对被处理衬底进行包括光刻工序的处理，其特征在于，　具备：第一自动衬底搬送线，在对被处理衬底单独进行处理的多个处理部之间进行被处理衬底的搬送；光刻处理部，以能够在与所述第一自动衬底搬送线之间交接被处理衬底的方式构成，进行所述光刻工序中的一系列处理；第二自动衬底搬送线，在所述光刻处理部的各处理装置之间进行被处理衬底的搬送，　所述光刻处理部具备：抗蚀剂涂敷处理装置，对被处理衬底表面涂敷抗蚀剂；曝光处理装置，对涂敷在被处理衬底上的抗蚀剂进行曝光处理；曝光后烘焙处理装置，对曝光处理后的抗蚀剂进行加热处理；显影处理装置，对加热处理后的抗蚀剂进行显影处理，　所述抗蚀剂涂敷处理装置、所述曝光后烘焙处理装置和所述显影处理装置以分别能够在与所述第二自动衬底搬送线之间交接被处理衬底的方式分离配置，所述曝光处理装置以经由所述曝光后烘焙处理装置在与所述第二自动衬底搬送线之间进行被处理衬底的交接的方式，与所述曝光后烘焙处理装置相邻配置。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】JP 2006-6-15 165621/20061. 一种衬底处理系统，对被处理衬底进行包括光刻工序的处理，其特征在于，具备第一自动衬底搬送线，在对被处理衬底单独进行处理的多个处理部之间进行被处理衬底的搬送；光刻处理部，以能够在与所述第一自动衬底搬送线之间交接被处理衬底的方式构成，进行所述光刻工序中的一系列处理；第二自动衬底搬送线，在所述光刻处理部的各处理装置之间进行被处理衬底的搬送，所述光刻处理部具备抗蚀剂涂敷处理装置，对被处理衬底表面涂敷抗蚀剂；曝光处理装置，对涂敷在被处理衬底上的抗蚀剂进行曝光处理；曝光后烘焙处理装置，对曝光处理后的抗蚀剂进行加热处理；显影处理装置，对加热处理后的抗蚀剂进行显影处理，所述抗蚀剂涂敷处理装置、所述曝光后烘焙处理装置和所述显影处理装置以分别能够在与所述第二自动衬底搬送线之间交接被处理衬底的方式分离配置，所述曝光处理装置以经由所述曝光后烘焙处理装置在与所述第二自动衬底搬送线之间进行被处理衬底的交接的方式，与所述曝光后烘焙处理装置相邻配置。2. 如权利要求1所述的衬底处理系统，其中， 所述抗蚀剂涂敷处理装置、所述曝光后烘焙处理装置和所述显影处理装置分别具备用于在与所述第二自动衬底搬送线之间交接被处理衬 底的单独的衬底交接端口。3. 如权利要求1所述的衬底处理系统，其中，所述第二自动衬底搬送线是从所述第 一 自动衬底搬送线独立的循 环式的衬底搬送线。4. 如权利要求1所述的衬底处理系统，其中，具备第一自动衬底搬送装置，在所述第一自动衬底搬送线上移动， 在与所述各处理部之间进行被处理衬底的交接；第二自动衬底搬送装 置，在所述第二自动衬底搬送线上移动，在所述光刻处理部的各处理装 置之间进行被处理衬底的交接。5. 如权利要求4所述的衬底处理系统，其中，所述第一 自动衬底搬送装置以及所述第二自动衬底搬送装置是将多张被处理衬底容纳在容器中进行搬送的容器搬送装置。6. 如权利要求4所述的衬底处理系统，其中，所述第 一 自动衬底搬送装置是将多张被处理衬底容纳在容器中进 行搬送的容器搬送装置，所述第二自动衬底搬送装置是一张一张地搬送 被处理衬底的片材搬送装置。7. 如权利要求1所述的衬底处理系统，其中，具备第一控制部，控制所述第一自动衬底搬送线上的被处理衬底 的搬送；第二控制部，控制所述第二自动衬底搬送线上的被处理衬底的 搬送。8. 如权利要求1所述的衬底处理系统，其中， 以所述曝光处理装置的设置数量相对于所述抗蚀剂涂敷处理装置的设置数量为1: 2的比率的方式配置。9. 如权利要求1所述的衬底处理系统，其中， 所述光刻处理部是通过双重曝光技术进行图案形成的处理部。10. —种衬底处理系统，对被处理衬底进行包括光刻工序的处理， 其特征在于具备第一自动衬底搬送线，在对被处理衬底单独进行处理的多个 处理部之间进行被处理衬底的搬送；光刻处理部，以能够在与所述第一 自动衬底搬送线之间交接被处理衬底的方式构成，进行所述光刻工序中 的一系列处理；第二自动衬底搬送线，在所述光刻处理部的各处理装置 之间进行被处理衬底的搬送，所述光刻处理部具备抗蚀剂涂敷处理装置，对被处理衬底表面涂 敷抗蚀剂；曝光处理装置，对涂敷在被处理衬底上的抗蚀剂进行膝光处 理；曝光后烘焙处理装置，对曝光处理后的抗蚀剂进行加热处理；显影 处理装置，与所述咏光后烘焙处理装置相邻配置，对加热处理后的抗蚀 剂进行显影处理，所述抗蚀剂涂敷处理装置和所述显影处理装置以分别能够在与所 述第二自动衬底搬送线之间交接被处理衬底的方式分离配置，所述曝光处理装置以经由所述曝光后烘焙处理装置以及所述显影处理装置在与 所述第二自动衬底搬送线之间进行被处理衬底的交接的方式，与所述曝 光后烘焙处理装置相邻配置。11. 如权利要求10所述的衬底处理系统，其中，所述抗蚀剂涂敷处理装置以及所迷显影处理装置分别具有...

【专利技术属性】
技术研发人员：山本雄一，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]