气体供给装置、半导体制造装置和气体供给装置用部件制造方法及图纸

本发明专利技术提供与现有技术比较，能够减少由气体供给装置产生金属杂质的可能性，实现提高生产率的气体供给装置，半导体制造装置和气体供给装置用部件。气体供给装置１的连接用座体２２由耐腐蚀性座体部件２２ａ和金属制座体部件２２ｂ构成，其中耐腐蚀性座体部件２２ａ，由对气体具有耐腐蚀性的陶瓷或贵金属构成、并且构成与气体接触的接触气体部；金属制座体部件２２ｂ，具有用于嵌合耐腐蚀性座体部件２２ａ的嵌合孔２８、并且保护所述耐腐蚀性座体部件２２ａ。

【技术实现步骤摘要】
气体供给装置、半导体制造装置和气体供给装置用部件
5 本专利技术涉及从气体供给源将气体供给处理被处理的处理腔内的气 体供给装置，使用该气体供给装置的半导体制造装置和气体供给装置 用部件。
技术介绍
io 从现有技术公知的是，在对半导体晶片或LCD等被处理物进行所希望的处理的半导体制造装置中，从气体供给源向对被处理物进行处 理的处理腔室内供给规定的气体，进行成膜处理或蚀刻处理等(参照 专利文献l)。另外，作为在上述的半导体制造装置等中使用的气体供给装置， 15 公知的是构成为，用于控制气体供给的多个气体控制机构，例如气体 流量控制机构(质量流量控制器等)、阀机构、气体压力控制机构等， 在连接这些气体控制机构的同时通过形成气体流路的气体流路部(例 如流路座体)连接的结构，并且这些气体控制机构和气体流路部由不 锈钢构成(例如，参照专利文献2)。 20 专利文献l:特开2007-165479号公报专利文献2:特开2006-132598号公报在上述的半导体制造装置等中，存在使用氯类气体或氟类气体等 腐蚀性高的气体的情况，在使用利用不锈钢的气体供给装置的情况下， 存在不锈钢被腐蚀，铁或镍等不锈钢中包含的物质在处理腔室内等漏25 出的情况。例如，存在在进行多晶硅的成膜的成膜装置中，在用于除去堆积 在处理腔室内的多晶硅的清扫时，作为清扫气体使用氟类气体的情况。 在这种情况下，产生清扫时铁或镍等金属杂质(金属污染物)从气体 供给装置进入处理腔室内，清扫结束后，在开始成膜处理时，这些金30 属杂质侵入形成的膜内的问题。由于这样，在清扫结束后，不将半导体晶片搬入处理腔室内，或 将模拟晶片搬入处理腔室内，进行成膜处理，进行在处理腔室的内壁 部分上形成多晶硅等的薄膜的所谓预涂层之后，搬入正规的半导体晶 片进行成膜处理。即，在这种方法中，通过将金属杂质封锁在预涂层 5 膜内，在正规的半导体晶片成膜时，防止金属杂质混入半导体晶片中。然而，利用上述现有的技术，进行预涂层需要时间和成本，另外， 由于形成预涂层，至进行下一次清扫的期间縮短，产生使生产降低的 问题。10
技术实现思路
本专利技术是为了解决上述现有问题而完成，其目的是提供与现有技 术相比，能够减小由气体供给装置产生金属杂质的可能性，能够提高 生产率的气体供给装置，半导体制造装置和气体供给装置用部件。15 权力要求1的气体供给装置，其包括用于控制气体供给的多个气体控制机构、和连接这些气体控制机构相互之间的形成气体流路的气 体流路部，该气体供给装置用于向处理被处理物用的处理腔室内供给 来自气体供给源的气体，其特征在于作为上述气体控制机构，至少 具有用于控制气体流量的气体流量控制机构和用于控制气体的供20 给，停止的阀机构，上述气体控制机构和上述气体流路部的至少一部 分由耐腐蚀性座体部件和金属制座体部件构成，其中，上述耐腐蚀性 座体部件，由对上述气体具有耐腐蚀性的陶瓷或贵金属构成、并且构 成与上述气体接触的接触气体部的至少一部分；上述金属制座体部件， 具有用于嵌合上述耐腐蚀性座体部件的嵌合孔、并且保护上述耐腐蚀25 性座体部件的周围。权利要求2的气体供给装置的特征在于，在权力要求1的上述气 体供给装置中，上述耐腐蚀性座体由玻璃状碳或者蓝宝石构成。权利要求3的气体供给装置的特征在于，在权力要求1或2上述的气体供给装置中，作为上述气体控制机构，还具有用于控制气体压30 力的压力控制机构。权力要求4的半导体制造装置，其包括用于向处理被处理物用的处理腔室内供给来自气体供给源的气体的气体供给装置，其特征在于-上述气体供给装置，包括用于控制气体供给的多个气体控制机构、和 连接这些气体控制机构相互之间的形成气体流路的气体流路部，并且， 作为上述气体控制机构，至少具有用于控制气体流量的气体流量控制 5 机构、和用于控制气体的供给，停止的阀机构，上述气体控制机构和 上述气体流路部的至少一部分由耐腐蚀性座体部件和金属制座体部件 构成，其中，上述耐腐蚀性座体部件，由对上述气体具有耐腐蚀性的 陶瓷或贵金属构成、并且构成与上述气体接触的接触气体部的至少一 部分；上述金属制座体部件，具有用于嵌合上述耐腐蚀性座体部件的 10 嵌合孔、并且保护上述耐腐蚀性座体部件的周围。权力要求5的半导体制造装置的特征在于，在权利要求4上述的 半导体制造装置中，上述耐腐蚀性座体由玻璃状碳或蓝宝石构成。权力要求6的半导体制造装置的特征在于，在权利要求4或5上 述的半导体制造装置中，作为上述气体控制机构，还具有用于控制气15 体压力的压力控制机构。权力要求7的气体供给装置用部件，其用于构成供给气体的气体 供给装置的气体流路的一部分，其特征在于，具备耐腐蚀性座体部件，其由对上述气体具有耐腐蚀性的陶瓷或贵金属构成、并且构成与上述气体接触的接触气体部的至少一部分；和金属制座体部件，其具20有用于嵌合上述耐腐蚀性座体部件的嵌合孔、并且保护上述耐腐蚀性座体部件的周围。权力要求8的气体供给装置用部件的特征在于，在权利要求7上 述的气体供给装置用部件中，上述耐腐蚀性座体由玻璃状碳或蓝宝石 构成。25 采用本专利技术，能够提供与现有技术比较减少由气体供给装置产生金属杂质的可能性，实现提高生产率的气体供给装置，半导体制造装 置和气体供给装置用部件。附图说明30 图1为示意性地表示本专利技术的一个实施方式的气体供给装置的结构的图。图2为表示图1的气体供给装置的主要结构的图。图3为示意性表示本专利技术的一个实施方式的半导体制造装置的结 构的图。符号说明5 W——半导体晶片，1——气体供给装置，2——手动阔，3——压力控制机构(调节器)，4——压力传感器，5——止回阀，6a、 6b—— 开闭阀，7——质量流量控制器，8——金属过滤器，20——气体供给 管路连接用座体，21——装置侧管路连接用座体，22——连接用座体, 22a——耐腐蚀性座体部件，22b——金属制座体部件，23——连接管 io 路，24——基台。具体实施例方式以下，参照附图，详细说明本专利技术的实施方式。图1是示意性地表示本专利技术的实施方式的气体供给装置的结构的15图。在图1所示的气体供给装置1中，作为气体控制机构，从气体供给方向的上游侧依次设置有手动阀2、压力控制机构(调节器regulator) 3、压力检测用的压力传感器4，止回阀5，开闭阀6a、 6b，作为流量 控制机构的质量流量控制器7，金属过滤器8。另外，在气体供给装置1的气体入口 (图1中的左侧)端部设置20 有用于连接来自气体供给源的气体供给管路的气体供给管路连接用座 体(block) 20。在该气体供给管路连接用座体20的管路连接口 20 a 内插入有过滤器20b。另一方面，在气体供给装置1的气体出口侧(图 1中右侧)端部设置有用于连接设置在半导体制造装置中的装置侧管路 的装置侧管路连接用座体21。25 另外，在气体供给管路连接用座体20和装置侧管路连接用座体21之间，设置有用于连接多个(在图1所示的实施方式中为7个)上述 各气体控制机构彼此之间、形成气体流路的连接用座体22。并且，在 连接用座体22间的一部分上，设置有用于以所希望的间隔连接相邻的 连接用座体22之间的连接管路23。通过上述气体供给管路连接用座体30 20、装置侧管路本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种气体供给装置，其包括用于控制气体供给的多个气体控制机构、和连接这些气体控制机构相互之间的形成气体流路的气体流路部，该气体供给装置用于向处理被处理物用的处理腔室内供给来自气体供给源的气体，其特征在于：　作为所述气体控制机构，至少具有 用于控制气体流量的气体流量控制机构和用于控制气体的供给.停止的阀机构，　所述气体控制机构和所述气体流路部的至少一部分由耐腐蚀性座体部件和金属制座体部件构成，其中　所述耐腐蚀性座体部件，由对所述气体具有耐腐蚀性的陶瓷或贵金属构成、 并且构成与所述气体接触的接触气体部的至少一部分；　所述金属制座体部件，具有用于嵌合所述耐腐蚀性座体部件的嵌合孔、并且保护所述耐腐蚀性座体部件的周围。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：守谷修司，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]