退火装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种不会发生因热的影响导致发光量下降而引起的光能效率低这样的问题，从而能够保持稳定的性能的退火装置。其具有收纳晶片Ｗ的处理室１；面对晶片Ｗ的面而设置的、具有向晶片Ｗ照射光的多个ＬＥＤ３３的加热源１７ａ、１７ｂ；与加热源１７ａ、１７ｂ对应而设置的、透过来自发光元件３３的光的光透过部件１８ａ、１８ｂ；以支承光透过部件１８ａ、１８ｂ的与处理室１相反侧、直接接触上述加热源１７ａ、１７ｂ的方式设置的由高热传导性材料构成的冷却部件４ａ、４ｂ；通过冷却介质对冷却部件４ａ、４ｂ进行冷却的冷却机构。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及通过向半导体晶片等照射来自LED等的发光元件的光 进行退火的退火装置。
技术介绍
在半导体器件的制造中，对于作为被处理基板的半导体晶片(以 下简称晶片)，存在成膜处理、氧化扩散处理、改质处理、退火处理等 各种热处理，但是，伴随着半导体器件的高速化、高集成化的要求， 特别是离子注入后的退火，为了将扩散抑制在最小限度，需要更加高 速的升降温。作为这种能够高速升降温的退火装置，已经提出一种使 用LED (发光二极管)作为加热源的技术方案(例如，专利文献l)但是，在使用LED作为上述退火装置的加热源的情况下，针对快 速加热，必须产生大量的光能，因此必须高密度地安装LED。但是，众所周知，LED由于热而发光量下降，通过高密度安装LED， 如果LED本身的发热(投入能量中，未作为光提取的部分)等的影响 增大，那么，无法从LED获得充足的发光量。但是，还未能获得有效 地冷却LED稳定地发挥性能的方法。另外，由于这种退火装置使用多个LED，因此，供电机构有变复 杂的倾向，期待更加简易的供电机构。专利文献l:特表2005-536045号公报
技术实现思路
本专利技术鉴于上述问题而产生，其目本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种退火装置，其特征在于，包括：　收容被处理体的处理室；　以面对被处理体的至少一个面的方式设置的、具有对被处理体照射光的多个发光元件的加热源；　与所述加热源对应设置的、透过来自所述发光元件的光的光透过部件；　以支承所述光透过部件的与所述处理室相反侧、直接接触所述加热源的方式设置的由高热传导性材料构成的冷却部件；　通过冷却介质冷却所述冷却部件的冷却机构；　对所述处理室内排气的排气机构；和　向所述处理室内供给处理气体的处理气体供给机构。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：河西繁，宫下大幸，米田昌刚，铃木智博，田中澄，野村正道，清水美和，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]