本发明提供一种能够使具有加热、冷却双重功能的系统简化，并明显抑制故障、同时降低电力消耗的冷却加热装置和载置装置。本发明的载置装置包括晶片卡盘和冷却加热装置。冷却加热装置包括对第二冷却液循环路的冷却液进行冷却、加热的斯特林热力发动机。斯特...

本发明提供一种等离子体成膜方法和等离子体成膜装置，相对于在气密处理容器（１）内被载置的基板（Ｗ），通过在径向线隙缝天线（４）中导入微波而使之发生等离子体。设定条件如下：处理容器内的压力是７．３２Ｐａ以上８．６５Ｐａ以下，微波电力是２００...

本发明提供一种载置装置，该载置装置能够提高装配后的顶板的平面度，并且能够抑制顶板的平面度由于从低温区域至高温区域的温度变化而恶化，由此能够缩短被处理体的升降温时间。本发明的晶片夹具（１０Ａ）包括顶板（１１）、由与顶板（１１）一体化的冷却...

本发明提供一种等离子体处理方法及等离子体处理装置，能够自动判定基板的种类，自动选择与所判定基板类别对应的终点检测设定，由此，能够在不限定基板类别的情况下进行正确的终点检测。预先求得与多种晶片类别对应而设定的晶片类别数据与光学数据的相关关...

本发明提供一种能够确保由ＳｉＣ系膜构成的蚀刻终止层相对于Ｌｏｗ－ｋ膜的蚀刻选择性，并且能够在防止底切的同时进行蚀刻的等离子体蚀刻方法。是对于在基板上依次形成有配线层、由ＳｉＣ系材料构成的蚀刻阻挡膜、低介电常数（Ｌｏｗ－ｋ）膜及蚀刻掩模的...

本发明提供一种能够提高用于在腐蚀性气体气氛中进行等离子体蚀刻加工的腔室内的暴露于等离子体气氛的部位、构件和部件的耐久性，能够提高在腐蚀性气体气氛中、在部件等的表面上形成的膜的耐等离子体腐蚀性，而且，即使在高的等离子体输出下也能够防止产生...

本发明涉及一种因为可在抗蚀剂再流平处理中，高精度控制已软化抗蚀剂的流动方向和流动面积，所以可用于布图形成、液晶显示装置用ＴＦＴ元件的制造的技术。实施再流平处理的抗蚀剂（１０３）面临目标区域（Ｓ↓［１］）侧的下端部（Ｊ）比下层膜（１０２）...

本发明提供一种与现有技术相比，能抑制在高熔点金属膜的基底膜上产生毛糙的等离子体蚀刻方法、等离子体蚀刻装置、计算机存储介质以及存储处理方案的存储介质。通过掩模层（１０３）对被处理基板（１０）的高熔点金属膜（１０２）进行等离子体蚀刻的方法，...

提供一种将基板检查单元装入时占有面积小而可避免不利的布置的涂敷、显影装置。将包括多个处理单元以及搬送机构（Ａ３）、（Ａ４）的涂敷膜形成部（Ｂ３）、包括多个处理单元（３１）以及搬送机构（Ａ１）的显影处理部（Ｂ１）上下重叠地配置在处理模块（...

本发明提供了一种处理装置的改良后处理容器的构造，该处理装置在金属制的筒体状处理容器内采用处理气体对被加热的半导体晶片等被处理体进行处理。处理容器（３４）由在上下方向层积并相互连结的多个块体（８０、８２、８４）而构成。邻接块体之间设置有真...

本发明提供一种成膜方法，其特征在于，包括：在内部配置有由含有金属氧化物的陶瓷构成的载置台的处理容器内，导入含有无机硅烷气体的处理气体，在包含上述载置台表面的上述处理容器内壁上，预涂敷含有硅的非金属薄膜的工序；将被处理基板装载到已预涂敷有...

本发明的目的是使半导体装置的Ｃｕ扩散防止膜与Ｃｕ配线之间的密接性良好，并提高半导体装置的可靠性。为此，在本发明中的成膜方法是在被处理基板上形成Ｃｕ膜的成膜方法，其特征在于，包括：在形成于被处理基板上的Ｃｕ扩散防止膜上形成密接膜的第一工序...

本发明涉提供一种半导体装置的制造方法，由积层体制造所述半导体装置，所述层积体具有：半导体衬底；高电介质膜，在所述半导体衬底上形成；以及ＳｉＣ系膜，在所述高电介质膜的上层形成，具有防反射功能和硬掩膜功能。本发明的半导体装置的制造方法包括：...

本发明提供一种半导体装置的制造方法。在利用含有Ｆ的气体对作为被蚀刻膜的含有Ｓｉ的低介电常数膜进行蚀刻后、直至将蚀刻掩模除去的期间，即使含有Ｓｉ的低介电常数膜的被蚀刻部分暴露于ＮＨ↓［３］系气体，也能够使损伤恢复，从而能够制造电气特性和可...

本发明提供一种基板处理方法，其是具有在内部保持被处理基板的处理容器、将第一处理气体供给所述处理容器且包含流量调整单元的第一气体供给单元、和将第二处理气体供给所述处理容器的第二供给单元的基板处理装置的基板处理方法，其特征在于：其反复进行将...

本发明提供一种能够实现基板处理系统小型化的基板收入装置。基板处理系统１具备的大致呈箱状的盒模块２包括：间接与对晶片Ｗ实施处理的加工模块５相连接，配置在顶棚部，并且连接有收容保持有多片晶片Ｗ的盒８的容器３的端口９；控制盒模块２的内部空间和...

本发明涉及涂敷以及显影装置、涂敷以及显影方法和存储介质，提供一种能够抑制在对基板进行处理的各模块间进行基板输送的输送机构的输送速度，抑制基板的输送精度下降的涂敷及显影装置。其中，设置了多个的各抗蚀剂膜形成块的抗蚀剂膜形成用输送单元相互独...

提供一种容器交换系统，在防止基板处理装置开工率降低的同时，还能够防止半导体器件生产量减少。容器交换系统（２４）包括配置在具有ＦＯＵＰ载置台（１４）的加载组件（１５）上方的ＦＯＵＰ搬送装置（１９），ＦＯＵＰ搬送装置（１９）包括沿着导轨（１...

本发明提供一种能够有效地除去氧化物层以及有机物层的基板处理装置。基板处理装置（１０）的第三工艺单元（３６）具备框体状的处理室容器（腔室）（５０）、氮气供给系统（１９０）和臭氧气体供给系统（１９１）。臭氧气体供给系统（１９１）具有臭氧气体...

本发明涉及半导体处理用的成膜方法，该成膜方法是向容纳被处理基板的处理容器内供给成膜用的第一处理气体和与第一处理气体反应的第二处理气体，通过ＣＶＤ在被处理基板上形成薄膜的方法。此成膜方法交叉的包括第一至第四工序。在第一工序中，向处理区域供...