本发明目的在于降低Ｓｒ↓［２］（Ｔａ↓［１－ｘ］Ｎｂ↓［ｘ］）Ｏ↓［７］（０≤ｘ≤１）的铁电膜的介电常数并且增大矫顽电场。本发明是一种铁电膜的制造方法，具有膜形成工序和加热工序，在膜形成工序中，在处理室的至少目标物周边的内侧表面由与目标...

本发明的成膜装置（１０）包括被处理气体加压、产生等离子体的等离子体产生室（１４）；容纳基板并在基板上形成膜的成膜室（２０）；和具有多个孔且分离等离子体产生室（１４）与成膜室（２０）的分离板（１７）。分离板（１７）的孔的直径是使得等离子体...

在形成于基板上的Ｃｕ扩散阻止膜上形成Ｃｕ膜的薄膜沉积方法中，在Ｃｕ扩散阻止膜上形成接触膜，该接触膜提供Ｃｕ膜对Ｃｕ扩散阻止膜的附着。将超临界态介质中溶解有前体的加工介质供应给基板，以使Ｃｕ膜在接触膜上形成。

本发明提供一种在反应室内、在被处理基板上形成氧氮化硅膜的半导体处理用的成膜方法，其包含：在不装载被处理基板的状态下，对反应室内的部件实施预处理的工序；接着，在反应室内，在被处理基板上形成氧氮化硅膜的工序。预处理将含有氮化气体或氧氮化气体...

本发明描述了一种用于在等离子体处理系统中刻蚀衬底上的高ｋ介电层的方法。高ｋ介电层可以例如包括ＨｆＯ↓［２］。该方法包括提升衬底温度到超过２００Ｃ（即，一般为４００Ｃ的量级）；引入包括含卤素气体的处理气体；从处理气体激发等离子体；以及将衬...

本发明中，将衬底的硅化镍膜表面清洁化后，由使用Ｔｉ化合物气体的ＣＶＤ进行膜厚２ｎｍ以上、不满１０ｎｍ的Ｔｉ膜的成膜，氮化该Ｔｉ膜，再在氮化后的Ｔｉ膜上使用Ｔｉ化合物气体以及含有Ｎ及Ｈ的气体通过ＣＶＤ进行ＴｉＮ膜的成膜。

本发明涉及一种气体处理装置，包括：支承被处理基板的载置台（５）、处理容器（２）、后混合型喷淋头（４０）和具有向喷淋头供给原料气体的原料气体流路和向喷淋头供给氧化性气体的氧化性气体流路的气体供给机构（６０）。喷淋头具有：与载置台上的被处理...

在形成例如氮化硅膜时，在成膜处理后，利用与该成膜处理对应的清洗方案对反应容器内进行清洗处理，以除去导致气体或颗粒产生的粘附在反应容器内的膜的表层部，从而减少气体或颗粒的产生。使多片晶片Ｗ保持在晶舟２５中、将其搬入反应容器２内，以进行使用...

本发明提供一种能减少操作员的工时的基板处理装置的检查方法。在基板处理装置的清扫时期，主计算机对基板处理装置指示禁止向该基板处理装置内输送制品用基板，基板处理装置将在规定的检查项目的检查中所使用的检查用基板的种类以及个数，通知给主计算机，...

本发明涉及一种蚀刻方法，当蚀刻具有涂布硅类绝缘膜的叠层绝缘膜时，抑制底膜的破损或劣化。将在氮化钛膜的底膜上叠层ＳＯＧ膜和ＴＥＯＳ膜的基板（Ｗ）容纳在处理室（Ｓ）内，并支撑在基座（１３）上。处理室（Ｓ）内维持为减压氛围，从上部电极（３０）...

在密闭容器（４１）的内部，晶片（Ｗ）通过真空卡盘（４２）以在密闭容器（４１）内面和晶片（Ｗ）之间形成有小的间隙的状态被水平保持。在从流体供给路径（５）端部的流体供给孔（４０）朝向晶片（Ｗ）的表面的中心部供给清洗液的同时，从沿着以晶片（Ｗ...

在重叠喷淋头基座（４１）、气体扩散板（４２）和喷淋平板（４３）而构成，并且通过连通在气体扩散板（４２）的两面上形成的第一气体扩散部（４２ａ）、第二气体扩散部（４２ｂ）以及在喷淋平板（４３）上形成的第一气体扩散空间（４２ｃ）的第一气体排出...

本发明提供一种热处理装置，将被处理体（Ｗ）放置在经由支柱而从处理容器（４）的底部立起并在内部埋入有加热装置（３８）的放置台（３２）的上面，对该被处理体进行规定热处理，其中，在上述放置台的上面、侧面和下面分别设置有具有耐热性的盖部件（７２...

本发明提供一种大气输送室，使得在能够防止由被处理体制造的半导体器件降低质量的同时，还能够提高被处理体处理装置的开工率。输送进行了蚀刻处理的晶片Ｗ的加载模块（１３），包括了在其内部配置在上侧的ＦＦＵ（３４），ＦＦＵ（３４）由风扇单元（３７...

本发明的立式热处理装置，其特征在于，包括如下部分：收容被处理体的处理容器；包围所述被处理体的周围而设置，加热所述处理容器，并具有急速冷却功能的主加热器；在所述处理容器的上部弯曲形成的排气口部；用于加热所述排气口部的辅助加热器；用于在所述...

一种监视处理系统的方法和系统，所述处理系统用于在半导体制造过程期间处理衬底。从所述处理系统获取多次观察的数据（５１０），所述数据包括多个数据参数。从所述数据构建主成分分析（ＰＣＡ）模型，所述模型包括中心化系数（５２０）。从所述处理系统获...

本发明提供一种在处理容器内、在规定的处理温度下、在被处理基板表面形成氧化膜的成膜方法，其包括将上述基板升温至上述规定的处理温度的升温工序，上述升温工序包括在上述基板的温度达到４５０℃的温度之前、将上述基板保持在含氧的气氛中的工序。

本发明提供了一种利用间歇前驱气流工艺在衬底上形成金属层的方法。该方法包括使衬底暴露于还原气中，同时使衬底暴露于金属－羰基前驱气脉冲中。该工艺进行到在衬底上形成期望厚度的金属层。该金属层可以形成在衬底上，或者该金属层可以形成在金属成核层上。

本发明提供了一种利用连续流沉积工艺来沉积具有良好表面形貌的金属层的方法，该方法包括使处理室中的衬底交替暴露于金属－羰基前驱气和还原气中。在暴露于金属－羰基前驱气过程中，通过热分解在衬底上沉积薄金属层，随后使该金属层暴露于还原气中以利于从...

一种采用ＳｉＯ↓［２］膜及ＳｉＯＮ膜作为具有极薄（例如２．５ｎｍ以下）膜厚的绝缘膜、采用多晶硅、非晶硅、ＳｉＧｅ作为电极的具有良好电气特性的电子器件（例如高性能ＭＯＳ型半导体器件）结构的制造方法。在包含氧以及稀有气体的处理气体的存在下，...