立式热处理装置及其使用方法制造方法及图纸

本发明专利技术的立式热处理装置，其特征在于，包括如下部分：收容被处理体的处理容器；包围所述被处理体的周围而设置，加热所述处理容器，并具有急速冷却功能的主加热器；在所述处理容器的上部弯曲形成的排气口部；用于加热所述排气口部的辅助加热器；用于在所述主加热器急速冷却时使所述辅助加热器从所述排气口部撤开的移动装置；和用于使所述排气口部周围的环境强制排气的强制排气装置。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种。
技术介绍
在半导体装置的制造中，为了对作为被处理体的例如半导体晶片进行氧化、扩散、化学气相沉积(Chemical Vapor DepositionCVD)等各种处理，而使用各种热处理装置。作为热处理装置之一，使用一次可以对多个被处理体进行热处理的立式热处理装置。立式热处理装置通常包括收容被处理体的石英制处理容器；设置成包围处理容器的周围来加热处理容器并具有急速冷却功能的主加热器；为了连接排气管而在处理容器的上部弯曲形成的排气口部；和为了加热排气口部而设置的辅助加热器(参照例如日本特开2003-209063号公报)。在处理容器的下部形成有开口部，设置有可以密封该开口部并可升降(开闭)的盖体。在盖体的上部设置有搭载保持多级被处理体的石英制晶舟。对于上述立式热处理装置来说，与具有双重管结构且具有大热容量的处理容器的热处理装置相比，其处理容器的热容量较小，因此可以急速升温和急速降温。从而，可以期待在某种程度上提高生产能力。另外，由于通过辅助加热器加热排气口部，因此可以抑制处理气体成分附着在排气口部内表面而成膜。然而，上述立式热处理装置中，当热处理(加工)结束，从晶舟本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种立式热处理装置，其特征在于，包括：收容被处理体的处理容器；包围所述被处理体的周围而设置的、加热所述处理容器并具有急速冷却功能的主加热器；在所述处理容器的上部弯曲形成的排气口部；用于加热所述排气口部的辅助加 热器；用于在所述主加热器急速冷却时使所述辅助加热器从所述排气口部退避的移动装置；和用于使所述排气口部周围的环境强制排气的强制排气装置。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：中嶋亘，及川拓也，井上久司，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]