本发明专利技术提供一种载置装置，该载置装置能够提高装配后的顶板的平面度，并且能够抑制顶板的平面度由于从低温区域至高温区域的温度变化而恶化，由此能够缩短被处理体的升降温时间。本发明专利技术的晶片夹具（１０Ａ）包括顶板（１１）、由与顶板（１１）一体化的冷却套管（１２）和面加热器（１３）构成的温度调节体（１４）、以及通过绝热环（１５）与温度调节体（１４）一体化的绝热板（１６），顶板（１１）由陶瓷形成，顶板（１１）、冷却套管（１２）和面加热器（１３）在除去各自的外周边部以外的部分，互相通过第三螺栓（１８Ｃ）紧固，顶板（１１）的外周边部未被紧固，冷却套管（１２）与绝热环（１５）通过第二螺栓（１８Ｂ）紧固。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及在对晶片等被处理体进行处理时、载置被处理体并将其调节至规定温度的载置装置，更详细地说，涉及能够提高温度调节功能和实现轻量化的载置装置。
技术介绍
以往的载置装置，例如如图5所示，包括顶板1、由与该顶板一体化的冷却套管2和面加热器3构成的温度调节体4、和通过绝热环5与该温度调节体4一体化的绝热板6，用顶板1的上面吸附保持晶片(未图示)，利用温度调节体4将晶片调节至规定的温度，对晶片进行规定的处理。顶板1与冷却套管2和面加热器3，通过在绝热环5的内侧(除去中心)在圆周方向上空出规定间隔、呈同心圆状排列的多个螺栓7A紧固，一体化为温度调节体4。另外，冷却套管2和面加热器3的各自的中心，通过螺栓7B互相紧固。另外，绝热环5通过螺栓7C相对于顶板1和冷却套管2紧固，并且，通过螺栓7D与绝热板6紧固。此外，在图5中，8为绝缘片。顶板1例如由铝、铜等热传导性好的金属形成。在顶板1的表面进行金、镍等的镀层，防止顶板1的氧化。另外，在冷却套管2的内部形成有制冷剂流通的流路2A，利用制冷剂将晶片冷却至规定的温度。面加热器3通过冷却套管2和顶板1，将晶片加热至规定的温度。另外，在温度调节体4和绝热板6之间，由绝热环5形成间隙，通过该间隙进行绝热。载置装置被构成为将晶片吸附保持在顶板1上，根据检查温度，在从-数10℃左右的低温区域直至+150℃左右的高温区域，对晶片进行温度调节。因此，要求载置装置作为整体难以热变形，而且热容量小、热传导性优异，并且还要求装置本身的轻量化。另外，为了使顶板1与晶片之间的密着性和热传导性良好，要求提高顶板1的平面度。然而，在以往的载置装置的情况下，对顶板1进行表面加工，以得到载置面的平面度，但因为表面加工时内部应力在顶板1中蓄积，所以最多只能得到5μm左右的平面度。另外，因为顶板1由金属制成，容易变形，所以，当冷却套管2的平面度差时，由于冷却套管2的影响，顶板1的平面度会降低。另外，顶板1和冷却套管2的除了中心部以外的整个表面通过螺栓7A、7C互相紧固，而且由互相不同的金属形成，因此，各自的热膨胀率不同，顶板1在例如+25～+150℃的温度范围内热变形，判明其平面度从5μm降低至10μm左右。因此，为了减轻冷却套管2的影响，可考虑将顶板1加厚，但在这种情况下，热容量将增大与顶板1增厚的部分相应的大小，晶片的升降温时间变长，并且，顶板1本身变重。另外，顶板1在装配时与冷却套管2和绝热环5紧固固定，因此，判明装配后的顶板1由于冷却套管2和绝热环3的影响，平面度变差。此外，在专利文献1中已提出利用使Si含浸在SiC中的陶瓷形成的晶片夹具(wafer chuck)，在专利文献2，3中，已提出使用与专利文献1同样的陶瓷的真空夹具。特开平05-036818特开2005-072039特开2005-066710
技术实现思路
本专利技术为了解决上述问题而做出，其目的是提供一种载置装置，该载置装置能够提高装配后的表面板的平面度，并且能够抑制表面板的平面度由于从低温区域至高温区域的温度变化而恶化，由此能够提高热传导性、缩短被处理体的升降温时间，而且能够实现轻量化。本专利技术的第一方面的载置装置，包括表面板、与该表面板一体化的温度调节体、和通过绝热环与该温度调节体一体化的底板，由上述表面板保持的被处理体的温度能够调整，其特征在于上述表面板由陶瓷形成，上述表面板和上述温度调节体，在除去各自的外周边部以外的部分，互相通过紧固部件紧固，上述表面板的外周边部未被紧固，上述温度调节体的外周边部与上述绝热环通过另外的紧固部件紧固。另外，本专利技术的第二方面的载置装置，其特征在于，在第一方面所述的专利技术中，上述紧固部件相对于上述表面板和上述温度调节体呈同心圆状排列有多个。另外，本专利技术的第三方面的载置装置，包括表面板、与该表面板一体化的温度调节体、和通过绝热环与该温度调节体一体化的底板，由上述表面板保持的被处理体的温度能够调整，其特征在于上述表面板由陶瓷形成，上述表面板和上述温度调节体在各自的中心部通过紧固部件紧固，上述温度调节体由上述表面板和上述绝热环夹持。另外，本专利技术的第四方面的载置装置，其特征在于，在第三方面所述的专利技术中，上述表面板和上述绝热环，在圆周方向上隔开规定间隔的多个位置，利用另外的紧固部件，通过上述温度调节体而被紧固。另外，本专利技术的第五方面的载置装置，其特征在于，在第一方面～第四方面中任一方面所述的专利技术中，上述表面板和上述绝热环在上述紧固部的各自的热膨胀实质上相同。另外，本专利技术的第六方面的载置装置，其特征在于，在第一方面～第五方面中任一方面所述的专利技术中，在上述底板上安装有包围上述表面板、上述温度调节体和上述绝热环的保温用板环，在该保温用板环与上述表面板、上述温度调节体和上述绝热环的外周面之间形成有间隙。另外，本专利技术的第七方面的载置装置，其特征在于，在第六方面所述的专利技术中，上述保温用板环的两面分别形成为镜面状。另外，本专利技术的第八方面的载置装置，其特征在于，在第六方面或第七方面所述的专利技术中，上述保温用板环由热传导率为17W/(m·K)以下的材料形成。另外，本专利技术的第九方面的载置装置，其特征在于，在第一方面～第八方面中任一方面所述的专利技术中，在上述表面板与上述温度调节体之间设置有绝缘片。另外，本专利技术的第十方面的载置装置，其特征在于，在第一方面～第九方面中任一方面所述的专利技术中，上述温度调节体由冷却体和/或加热体构成。另外，本专利技术的第十一方面的载置装置，其特征在于，在第一方面～第十方面中任一方面所述的专利技术中，上述陶瓷为碳化硅和硅的复合材料。根据本专利技术，本专利技术为了解决上述问题而做出，能够提供一种载置装置，该载置装置能够提高装配后的表面板的平面度，并且能够抑制表面板的平面度由于从低温区域至高温区域的温度变化而恶化，由此能够提高热传导性、缩短被处理体的升降温时间，而且能够实现轻量化。附图说明图1为表示应用本专利技术的载置装置的检查装置的内部的正视图。图2为表示图1所示的载置装置的截面图。图3为表示本专利技术的载置装置的另一个实施方式的截面图。图4为表示本专利技术的载置装置的又一个实施方式的截面图。图5为表示以往的载置装置的一个例子的截面图。符号说明10载置装置11顶板(表面板)12冷却套管(冷却体)13面加热器(加热体)14温度调节体15绝热环16绝热板18A 第一螺栓(紧固部件)18B 第二螺栓(另外的紧固部件)18C 第三螺栓(紧固部件)19保温用板环具体实施方式以下，根据图1～图4所示的实施方式，对本专利技术进行说明。图1为表示应用本专利技术的载置装置的检查装置的内部的正视图，图2为表示图1所示的载置装置的截面图，图3为表示本专利技术的载置装置的另一个实施方式的截面图，图4为表示本专利技术的载置装置的又一个实施方式的截面图。第一实施方式首先，对应用本实施方式的载置装置的检查装置进行说明。该检查装置，例如如图1所示，包括搬送晶片W的负载室L、对从负载室L搬送的晶片W进行电气特性检查的探针室P、和控制装置(未图示)，在控制装置的控制下，将晶片W从负载室L搬送至探针室P，在探针室P内进行晶片W的电气特性检查后，使晶片W返回至原位置。如图1所示，探针室P包括载置晶片W、并且能够对其进行温度调节的载置装置(晶片夹具)10；使晶片夹具(wafer本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种载置装置，包括表面板、与该表面板一体化的温度调节体、和通过绝热环与该温度调节体一体化的底板，由所述表面板保持的被处理体的温度能够调整，其特征在于：所述表面板由陶瓷形成，所述表面板和所述温度调节体，在除去各自的外周边部以外的部分， 互相通过紧固部件紧固，所述表面板的外周边部未被紧固，所述温度调节体的外周边部与所述绝热环通过另外的紧固部件紧固。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：赤池由多加，长坂旨俊，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。