【技术实现步骤摘要】
本专利技术是关于一种具有静电吸附机能的装置，其使用于半导体装置或液晶面板制造、检查等步骤中。
技术介绍
自以往，在半导体装置的制造步骤中，对半导体晶圆的加热，是使用卷绕了金属线的加热器。但是，使用该加热器时，由于会对半导体晶圆造成金属污染，近年来，遂有文献揭示使用陶瓷制一体型晶圆加热装置，其将陶瓷薄膜作为发热体使用(例如，参照专利文献1特开平4-124076号公报)。其中，在分子束磊晶或CVD、喷镀等方法中，是使用由不会从基体内释放出气体，且高纯度、耐热冲撃性优异的热分解氮化硼(PBN)与热分解石墨(PG)所制成的复合陶瓷加热器，作为晶圆的有效加热方法(参照专利文献2特开昭63-241921号公报)，该等加热器比起习知的钽线加热器而言，较容易装设，且不会产生热变形、断线、短路等故障，使用上较方便，而且因为是面状加热器的关系，故亦具有比较容易获得平均受热的优点。当加热该半导体晶圆时，为了在加热器上固定半导体晶圆，会在减压环境下使用静电吸附装置，随着处理程序的高温化，该静电吸附装置的所选用的材质逐渐从树脂转变成陶瓷(参照专利文献3特开昭52-67353号公报，专利...
【技术保护点】
一种静电吸附装置，其用来吸附半导体晶圆、玻璃基板等被吸附物，其特征为：形成一绝缘层，其覆盖着形成于支持基板一面上的静电吸附用电极，且成为吸附该被吸附物的吸附面；该绝缘层是由含有碳，且含有自硅、铝、钇以及钛选出１种或２种以上的 元素，且维氏硬度在Ｈｖ５０～１０００的热分解氮化硼所构成。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：狩野正树，山村和市，
申请(专利权)人：信越化学工业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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