【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及非易失性存储结构，并尤其涉及使用相变化存储元件的存储阵列。
技术介绍
以相变化为基础的存储材料被广泛地运用于读写光盘以及非易失性存储阵列中。这些材料包括有至少两种固态相，包括如大部分为非晶态的固态相，以及大体上为结晶态的固态相。激光脉冲用于读写光盘中，以在二种相中切换，并读取此种材料在相变化后的光学性质。如硫属化物及类似材料的这些相变化存储材料，可通过施加其幅度适用于集成电路中的电流，而引起晶相变化。一般而言，非晶态的特征为其电阻高于结晶态，此电阻值可轻易测量得到而用以作为指示。这种特性则引发使用可编程电阻材料以形成非易失性存储器电路等兴趣，此电路可用于随机存取读写。从非晶态转变至结晶态一般为低电流步骤。从结晶态转变至非晶态(以下指称为重置(reset))一般为高电流步骤，其包括短暂的高电流密度脉冲以融化或破坏结晶结构，其后此相变化材料会快速冷却，抑制相变化的过程，使得至少部份相变化结构得以维持在非晶态。理想状态下，引起相变化材料从结晶态转变至非晶态的重置电流幅度应越低越好。欲降低重置所需的重置电流幅度，可通过减低在存储器中的相变化材料元件的尺寸...
【技术保护点】
一种存储器件，包括：存储元件阵列，其形成于半导体晶片上；字线平行阵列，其沿着第一方向延伸、并将每一存储元件连接至数据来源；位线平行阵列，其沿着第二方向延伸、并将每一存储元件连接至数据来源，该第二方向与该第一方向形成锐 角；以及其中每一该位线与每一该存储元件之间的连结为相变化元素，该相变化元素由具有至少二固态相的存储材料所形成。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：龙翔澜，刘瑞琛，陈逸舟，陈士弘，
申请(专利权)人：旺宏电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]
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