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相变化存储器件及其形成方法技术
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文档序号:3236252
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本发明公开一种存储器件,包括:存储元件阵列,其形成于半导体晶片上;字线平行阵列,其沿着第一方向延伸、并将每一存储元件连接至数据来源;以及位线平行阵列,其沿着第二方向延伸、并将每一存储元件连接至数据来源,第二方向与第一方向形成锐角。每一位线与...
该专利属于旺宏电子股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过旺宏电子股份有限公司授权不得商用。
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