基板处理系统以及基板处理方法技术方案

提供一种能够抑制成本和体积的增加、抑制成品率和生产能力的降低的基板处理系统以及基板处理方法。在具有对多个基板进行单片式处理的第１装置（５０）和第２装置（６０），在进行了以所述第１装置（５０）进行的第１处理工序后进行以所述第２装置（６０）进行的第２处理工序，在所述第２处理工序后，进行以所述第１装置（５０）进行的第３处理工序的基板处理系统（１００）中，作为基板输送的控制机构，所述第１装置具有第１控制机构（３０），并且所述第２装置具有第２控制机构（４０），所述第１控制机构（３０）或第２控制机构（４０）通过通信取得与另一方装置中的处理时间相关的信息，依据取得的信息对第１装置（５０）与第２装置（６０）之间的基板输送进行控制。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及在由多个处理装置构成的在线装置上对多个基板进行单片式处理的。
技术介绍
在例如半导体等电子元器件的制造工序中的光刻工序中，是将作为对晶片等基板进行抗蚀液(以下称作抗蚀剂)的涂布和显影处理的单元装置的抗蚀剂涂布显影装置、以及、对涂布抗蚀剂后的基板进行曝光处理的曝光机组合起来进行在线处理的。具体地说，如图9的示意图所示，首先在抗蚀剂涂布显影装置200中，作为主要工序，对基板进行清洗处理→脱水烘焙→粘附(疏水化)处理→抗蚀剂涂布→预烘焙等(一系列工序)的第1处理工序P1。其次，将基板输送到曝光机201中进行第2处理工序P2即曝光处理。进行曝光处理后，将基板再次输送到抗蚀剂涂布显影装置200中，在其中进行显影前烘焙→显影→后烘焙等(一系列工序)的第3处理工序P3，在抗蚀剂层上形成既定的电路图案。此外，在进行上述在线处理时，将多个晶片作为一个批次，针对每一批次确定处理条件(以下称作处理处理法)。另外，将针对每一批次进行一系列处理的单位称作流程作业(PJ)。关于这种光刻工序中进行的在线处理，记载在专利文献1中。专利文献1特开2000-235949号公报。但是，如前所述，光刻工序是将抗蚀剂涂布显影装置与曝光机组合起来进行在线处理的，而从生产能力和生产率的观点来说，如何进一步提高其组合效率成为今后的重要课题之一。这是由于，如果抗蚀剂涂布显影装置与曝光机的彼此的装置之间的输送处理不能够在不发生滞留的情况下完成，则有可能导致抗蚀剂的酸反应的进展状况在每一片晶片上各不相同。这会影响图案的线条宽度等，其结果将导致成品率降低。但是，按照现有的组合方法，出现上述问题的可能性较大。例如，过去在以图9所示的抗蚀剂涂布显影装置200与曝光机201进行在线处理时，存在着从某一流程作业转换到与其处理条件不同的流程作业所需要的时间过长的问题。作为一个例子，图10是过去在顺序进行处理条件不同的流程作业A与流程作业B的场合，从抗蚀剂涂布显影装置200向曝光机201进行输送的流程图。下面，结合该流程图进行说明。首先，顺序将在第1处理工序P1进行了预烘焙的流程作业A的晶片从抗蚀剂涂布显影装置200送入曝光机201(图10的步骤S51)。在流程作业A的所有晶片输送到曝光机201中之后，抗蚀剂涂布显影装置200在向曝光机201输送流程作业B的晶片之前存在着一个待机时间。即，对于曝光后在第3处理工序P3中进行的后曝光烘焙(PEB)处理，必须在进行处理之前根据处理条件预先进行温度设定，而在该设定时间期间不能进行处理。因此，抗蚀剂涂布显影装置200在该设定时间(例如40秒)期间待机而不向进行流程作业B的曝光机201输送晶片(图10的步骤S 52)。抗蚀剂涂布显影装置200在经过步骤S52的待机后，再将流程作业B的先头的晶片送入曝光机201(图10的步骤S53)，接下来例如进行30秒的旨在进行流程作业B的第2处理工序P2的预调整处理(图10的步骤S54)。即，这30秒是曝光机201进行调整所需要的时间。之后，在曝光机201中的预调整处理结束后，将流程作业B的晶片顺序送入曝光机201(图10的步骤S55)。如上所述，按照图10所示的以往的流程，流程作业A与流程作业B之间的时间间隔是步骤S2和步骤S4加在一起的很长的约70秒。这个问题是由于不是将抗蚀剂涂布显影装置200和曝光机201作为一体进行控制，而是对各个装置的动作单独进行控制而产生的。即，上述40秒是抗蚀剂涂布显影装置200在从曝光机201中送出晶片后延长必要时间送入晶片的时间，而上述30秒是曝光机本身进行调整所需要的时间。因此，流程作业进行转换所需要的时间是二者之和，其结果将导致生产能力降低。此外，按照现有的组合方法，由于抗蚀剂涂布显影装置200与曝光机201的处理周期时间不同，因而无法使到第3处理工序P3中的后曝光烘焙(PEB)之前的时间、即后曝光延迟(PED)保持一定。其结果，因晶片的不同而后曝光延迟(PED)不同，因此，有可能导致抗蚀剂的酸反应因晶片的不同而不同，无法使电路图案的线条宽度均等，导致成品率降低。作为另一个例子，图11展示的是过去从将晶片从抗蚀剂涂布显影装置200送入曝光机201到进行曝光处理后的后曝光烘焙(PEB)为止的流程图。下面，结合该流程进行说明。首先，抗蚀剂涂布显影装置200根据曝光机201处理一片晶片需要的时间、即第2处理工序P2的处理周期时间(例如40秒)，将晶片顺序送入曝光机201(图11的步骤S61)。抗蚀剂涂布显影装置200每经过上述处理周期时间(40秒)便从曝光机201接受一片晶片(图11的步骤S62)。之后，抗蚀剂涂布显影装置200对依次接受的晶片进行第3处理工序P3。即，对晶片进行显影前烘焙、显影处理、后曝光烘焙(PEB)等(图11的步骤S63)。在这里，例如第3处理工序P3的(PEB)中的处理周期时间为60秒，则(PEB)需要比曝光机201中的处理周期时间更长的处理时间。因此，在抗蚀剂涂布显影装置200中，对于从曝光机201持续输送过来的晶片，来不及以(PEB)进行处理，将在(PEB)处理之前发生晶片的滞留。其结果，不仅生产能力降低，而且因晶片的不同而到(PEB)之前的时间也不同。对于上述问题，以往的应对措施是在抗蚀剂涂布显影装置200中设置作为暂时存放曝光后的晶片用的硬件的外部缓冲器。但是，采取这样的措施，会带来硬件的成本和体积增加并且因增加输送臂的工序而导致生产能力降低等问题。
技术实现思路
本专利技术是鉴于上述情况而提出的，其目的是，提供一种作为具有第1装置和第2装置，通过所述第1装置与第2装置的组合对多个基板进行单片式处理的基板处理系统，能够抑制成本和体积的增加，抑制成品率和生产能力的降低的。为实现上述任务，本专利技术所涉及的基板处理系统具有对多个基板进行单片式处理的第1装置和第2装置，在进行以所述第1装置进行的第1处理工序后进行以所述第2装置进行的第2处理工序，在所述第2处理工序后，进行以所述第1装置进行的第3处理工序，其特征是，所述第1装置具有对基板的输送进行控制的第1控制机构、以及用来与外部进行通信的第1通信机构，所述第2装置具有对基板的输送进行控制的第2控制机构、以及用来与外部进行通信的第2通信机构，所述第1控制机构或第2控制机构，通过所述第1通信机构或第2通信机构取得与另一方装置中的处理时间相关的信息，依据所取得的信息对第1装置与第2装置之间的基板输送进行控制。按照上述构成，第1装置和第2装置各自能够掌握另一方装置中的处理时间，并能够在进行在线处理的基础上将该信息用在旨在提高组合效率的输送控制上。此外，最好是，具有对所述第1装置与第2装置的动作进行控制的总体控制机构，所述总体控制机构通过所述第1通信机构或第2通信机构将与一方装置中的处理时间相关的信息告知另一方装置的所述第1控制机构或第2控制机构。按照上述构成，能够向第1装置和第2装置高效率地提供与各装置中的处理时间相关的信息。此外，最好是，在对处理内容不同的第1基板组和第2基板组连续进行处理时，所述第1控制机构将所述第3处理工序中进行第2基板组的处理准备所需要的第1设定时间告知所述第2控制机构，所述第2控制机构对所述第1控制机构所告知的第1设定时间、与所述第2处理工序中进行第本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基板处理系统，具有对多个基板进行单片式处理的第１装置和第２装置，在进行以所述第１装置进行的第１处理工序后进行以所述第２装置进行的第２处理工序，在所述第２处理工序后，进行以所述第１装置进行的第３处理工序，其特征是，所述第１装置具有 对基板的输送进行控制的第１控制机构、以及用来与外部进行通信的第１通信机构，所述第２装置具有对基板的输送进行控制的第２控制机构、以及用来与外部进行通信的第２通信机构，所述第１控制机构或第２控制机构通过所述第１通信机构或第２通信 机构取得与另一方装置中的处理时间相关的信息，依据所取得的信息对第１装置与第２装置之间的基板输送进行控制。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：金子知广，宫田亮，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]