用于操纵和传送计量光束的器件和方法技术

一种光刻投影装置，配有一种用于操纵和传送至少一部分辐射的计量光束的器件。该器件包括第一和第二光楔，其中第二光楔和第一光楔具有相对于彼此的相对位置。至少一部分计量光束沿入射光轴在第一光楔的第一主要表面处进入该器件，穿过第一和第二光楔，并在第二光楔的第二主要表面处射出。第一和第二光楔安排为通过改变第一和第二光楔的相对位置使至少一部分计量光束相对于入射光轴旋转如／或平移。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及如权利要求1前序部分限定的一种光刻投影装置。本专利技术还涉及如权利要求12前序部分所述的一种用于操纵和传送至少一部分辐射的计量光束的器件。另外，本专利技术涉及如权利要求14前序部分提出的一种器件制造方法。
技术介绍
本专利技术发现一种光刻投影装置领域中的优选应用，该光刻投影装置包括用于提供辐射投射光束的辐射系统，用于支撑构图装置的支撑结构，所述构图装置用于根据所需的图案对投射光束进行构图，用于保持基底的基底台，用于将带图案的光束投射到基底的目标部分上的投射系统。这里使用的术语“构图装置”应广义地解释为能够给入射的辐射光束赋予带图案的截面的装置，其中所述图案与要在基底的目标部分上形成的图案一致；本文中也使用术语“光阀”。一般地，所述图案与在目标部分中形成的器件如集成电路或者其它器件的特定功能层相对应(如下文)。这种构图装置的示例包括■掩模。掩模的概念在光刻中是公知的，它包括如二进制型、交替相移型、和衰减相移型的掩模类型，以及各种混合掩模类型。这种掩模在辐射光束中的布置使入射到掩模上的辐射能够根据掩模上的图案而选择性地被透射(在透射掩模的情况下)或者被反射(在反射掩模的情况下)。在使用掩模的情况下，支撑结构一般是一个掩模台，它能够保证掩模被保持在入射辐射束中的所需位置，并且如果需要该台会相对光束移动。■可编程反射镜阵列。这种装置的一个例子是具有一粘弹性控制层和一反射表面的矩阵可寻址表面。这种装置的理论基础是(例如)反射表面的寻址区域将入射光反射为衍射光，而非寻址区域将入射光反射为非衍射光。用一个适当的滤光器，从反射的光束中滤除所述非衍射光，只保留衍射光；按照这种方式，光束根据矩阵可寻址表面的定址图案而产生图案。可编程反射镜阵列的另一实施例利用微小反射镜的矩阵排列，通过使用适当的局部电场，或者通过使用压电致动器装置，使得每个反射镜能够独立地关于一轴倾斜。再者，反射镜是矩阵可寻址的，由此已寻址反射镜以不同的方向将入射的辐射光束反射到未寻址反射镜上；按照这种方式，根据矩阵可寻址反射镜的定址图案对反射光束进行构图。可以用适当的电子装置进行该所需的矩阵定址。在上述两种情况中，构图装置可包括一个或者多个可编程反射镜阵列。关于如这里提到的反射镜阵列的更多信息可以从例如美国专利US5,296,891、美国专利US5,523,193、PCT专利申请WO 98/38597和WO 98/33096中获得，这些文献在这里引入作为参照。在可编程反射镜阵列的情况中，所述支撑结构可以是框架或者工作台，例如所述结构根据需要可以是固定的或者是可移动的。■可编程LCD阵列，例如由美国专利US 5,229,872给出的这种结构，它在这里引入作为参照。如上所述，在这种情况下支撑结构可以是框架或者工作台，例如所述结构根据需要可以是固定的或者是可移动的。为简单起见，本文的其余部分在一定的情况下具体以掩模和掩模台为例；可是，在这样的例子中所讨论的一般原理应适用于上述更宽范围的构图装置。光刻投影装置可以用于例如集成电路(IC)的制造。在这种情况下，构图装置可产生对应于IC一个单独层的电路图案，该图案可以成像在已涂敷辐射敏感材料(抗蚀剂)层的基底(硅晶片)的目标部分上(例如包括一个或者多个管芯(die))。一般的，单一的晶片将包含相邻目标部分的整个网格，该相邻目标部分由投影系统逐个相继辐射。在目前采用掩模台上的掩模进行构图的装置中，有两种不同类型的机器。一类光刻投影装置是，通过将全部掩模图案一次曝光在目标部分上而辐射每一目标部分；这种装置通常称作晶片步进器或步进重复装置。另一种装置(通常称作步进-扫描装置)通过在投射光束下沿给定的参考方向(“扫描”方向)依次扫描掩模图案并同时沿与该方向平行或者反平行的方向同步扫描基底台来辐射每一目标部分；因为一般来说，投影系统有一个放大系数M(通常＜1)，因此对基底台的扫描速度V是对掩模台扫描速度的M倍。关于如这里描述的光刻装置的更多信息可以从例如美国专利US6,046,792中获得，该文献这里作为参考引入。在用光刻投影装置的制造方法中，(例如在掩模中的)图案成像在至少部分由一层辐射敏感材料(抗蚀剂)覆盖的基底上。在这种成像步骤之前，可以对基底进行各种处理，如打底，涂敷抗蚀剂和弱烘烤。在曝光后，可以对基底进行其它的处理，如曝光后烘烤(PEB)，显影，强烘烤和测量/检查成像特征。以这一系列工艺为基础，对例如IC的器件的单层形成图案。这种图案层然后可进行任何不同的处理，如蚀刻、离子注入(掺杂)、镀金属、氧化、化学-机械抛光等完成一单层所需的所有处理。如果需要多层，那么对每一新层重复全部步骤或者其变化。最终，在基底(晶片)上出现器件阵列。然后采用例如切割或者锯割技术将这些器件彼此分开，单个器件可以安装在载体上，与管脚等连接。关于这些处理的进一步信息可从例如Peter van Zant的“微芯片制造半导体加工实践入门(Microchip FabricationA Practical Guide toSemiconductor Processing)”一书(第三版，McGraw Hill PublishingCo.，1997，ISBN 0-07-067250-4)中获得，这里作为参考引入。为了简单起见，投影系统在下文称为“镜头”；可是，该术语应广义地解释为包含各种类型的投影系统，包括例如折射光学装置，反射光学装置，和反折射系统。照射系统还可以包括根据这些设计类型中任一设计的操作部件，该操作部件用于引导、成形或者控制辐射投射光束，这种部件在下文还可共同地或者单独地称作“镜头”。另外，光刻装置可以具有两个或者多个基底台(和/或两个或者多个掩模台)。在这种“多级式”器件中，可以并行使用这些附加台，或者可以在一个或者多个台上进行准备步骤，而一个或者多个其它台用于曝光。例如在美国专利US5,969,441和WO98/40791中描述的二级充刻装置，这里作为参考引入。在光刻投影装置中，各种干涉仪(通常)共用相同的光源，如激光器，所述激光器产生激光投射束。应该注意，为了将构图装置的图案投射到基底上，这种共用的激光投射束并没有涉及如上所述的投射束。共用的激光投射束在这里进一步称为计量光束。为了在整个光刻投影装置中共用计量光束，将计量光束传送通过该装置到达每个干涉仪。为了防止二阶测量误差和干涉仪范围内的损失(以及因此导致在使用光刻投影装置时的不精确性)，使计量光束与测量物体(例如，工作台)精确对准(以μrad(弧度)的数量级)是很重要的。在光束对准之后，校准干涉仪系统。确定所有相关参数(涉及光束的角位置和横向位置)，并认为其是很稳定的。在两次校准之间，用于传送能够影响对准参数的计量光束的部件(特别是光束折弯操纵器)的稳定性是非常重要的。例如，如果在操作过程中对准参数改变(例如，因漂移而引起)，那么可能影响光刻投影装置的精度。因此，传送部件的稳定性是与干涉仪系统的测量精度有关的一个重要问题。计量光束的传送和操纵通常由包括可调节反射镜的装置来进行，所述可调节反射镜能够改变入射到其上的计量光束的指向。利用这种可调节反射镜具有因如下事实引起的缺陷，所述事实为反射镜的旋转和/或倾斜(这两个操作具有固有的不稳定性)会导致光束的不精确定向。因本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种光刻投影装置（１），其特征在于，所述装置包括用于操纵和传送至少一部分辐射的计量光束（ＭＢ）的器件（１００），所述器件（１００）包括第一光楔（２）和第二光楔（３），所述第二光楔（３）和所述第一光楔（２）具有相对于彼此的相对位置，所述至少一部分计量光束（ＭＢ）沿入射光轴（ＯＡ）在所述第一光楔（２）的第一主要表面（２ａ）处进入所述器件（１００），穿过所述第一（２）和第二光楔（３），并在所述第二光楔（３）的第二主要表面（３ａ）处射出，第一和第二光楔（２，３）设置为通过改变所述第一和所述第二光楔（２，３）的所述相对位置使所述至少一部分计量光束（ＭＢ）相对于所述入射光轴（ＯＡ）旋转和／或平移。

【技术特征摘要】
EP 2003-3-6 03075659.71.一种光刻投影装置(1)，其特征在于，所述装置包括用于操纵和传送至少一部分辐射的计量光束(MB)的器件(100)，所述器件(100)包括第一光楔(2)和第二光楔(3)，所述第二光楔(3)和所述第一光楔(2)具有相对于彼此的相对位置，所述至少一部分计量光束(MB)沿入射光轴(OA)在所述第一光楔(2)的第一主要表面(2a)处进入所述器件(100)，穿过所述第一(2)和第二光楔(3)，并在所述第二光楔(3)的第二主要表面(3a)处射出，第一和第二光楔(2，3)设置为通过改变所述第一和所述第二光楔(2，3)的所述相对位置使所述至少一部分计量光束(MB)相对于所述入射光轴(OA)旋转和/或平移。2.根据权利要求1的光刻投影装置，其特征在于，所述器件(100)设置为通过绕所述光轴(OA)将所述第一和第二光楔(2，3)中至少一个旋转一个轴角(β)来完成第一操作。3.根据权利要求1或2的光刻投影装置，其特征在于，所述器件(100)设置为通过沿所述光轴(OA)移动所述第一和第二光楔(2，3)中至少一个来改变它们之间的距离(D)从而完成第二操作。4.根据权利要求1至3中任一项的光刻投影装置，其特征在于，所述器件(100)设置为完成第三操作，其中所述第一和第二光楔(2，3)具有带固定轴角(β)和固定距离(D)的固定的相对位置，所述第一和第二光楔(2，3)作为一个整体绕所述光轴(OA)旋转。5.根据权利要求1至4中任一项的光刻投影装置，其特征在于，所述器件(100)设置为完成第四操作，其中所述第一和第二光楔(2，3)具有带固定轴角(β)和固定距离(D)的固定的相对位置，所述第一和第二光楔(2，3)作为一个整体绕垂直于所述光轴(OA)的旋转轴(RA)旋转。6.一种光刻投影装置(1)，其特征在于，所述装置包括用于操纵和传送至少一部分辐射的计量光束(MB)的器件(100’)，所述器件(100’)包括第一光楔(2)和第二光楔(3)，所述第二光楔(3)的第一和第二主要表面(3a，3b)之一配有反射涂层，所述第二光楔(3)和所述第一光楔(2)具有相对于彼此的相对位置，所述至少一部分计量光束(MB)沿入射光轴(OA)在所述第一光楔(2)的第一主要表面(2a)处进入所述器件(100’)，穿过所述第一光楔(2)，并在所述第二光楔(3)的所述第一和第二主要表面(3a，3b)之一处反射，所述第一和第二光楔(2，3)设置为通过改变所述第一和所述第二光楔(2，3)的所述相对位置使所述至少一部分计量光束(MB)相对于所述入射光轴(OA)旋转和/或平移。7.根据权利要求6的光刻投影装置，其特征在于，所述器件(100’)设置为使所述第一和第二光楔(2，3)中至少一个绕所述光轴(OA)旋转一个轴角(β)。8.根据权利要求6的光刻投影装置，其特征在于所述器件(100’)设置为使所述第二光楔(3)绕基本上与所述第二光楔(3)的所述第一主要表面(3a)垂直的旋转轴(RA3)旋转一个角度(β)。9.根据权利要求6至8中任一项的光刻投影装置，其特征在于，所述器件(100’)设置为沿所述光轴(OA)移动所述第一和第二光楔(2，3)中至少一个来改变它们之间的距离(D)。10.根据权利要求6至9中任一项的光刻投影装置，其特...

【专利技术属性】
技术研发人员：EAF范德帕斯奇，MHM比姆斯，EJM尤森，EJJ克里滕特，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：NL[荷兰]