【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体制造工业中的光刻制程，尤其涉及一种利用基于规则的光学近似修正工具寻找集成电路布图设计中目标区域的方法。
技术介绍
集成电路制造工艺分为逻辑工艺和存储器工艺，它们本质上来说是不同的，某些地方甚至是矛盾的。这体现在一些具体方面例如，二者的互连需求不同。存储器区域呈现的图案非常规则，常成块出现，所需的互连比较少。而逻辑模块区域常常散列在芯片各个地方，对互连的要求很高。其次，二者的金属工艺层次也不同。逻辑工艺一般具有4～6层电路结构，其中只有1～2层多晶硅，其余为金属层。而存储器工艺常常需要形成4层以上的多晶硅。由于设计以及工艺上的差别，在同一个集成电路布图设计中存储器区域和逻辑区域明显不同，前者的图案特征紧密(关键尺寸小)，排列有序，而后者的图案特征间距较大(关键尺寸大)，图案不规则。随着集成电路设计规则的不断收缩，目前的集成电路布图设计中的存储器区域容易出现和设计规则相违背的情况。如前所述，逻辑区域由于图案特征间有较大间距，并不会有违反设计规则的情况出现。只有存储器区域，例如，一个SRAM(静态随机存取存储器)区域，因其本身的图案特征密集，比较...
【技术保护点】
一种寻找集成电路布图设计中目标区域的方法，所述目标区域具有关键尺寸ｂ，非目标区域具有关键尺寸ａ，ａ＞ｂ，这种方法包括下列步骤：１）将集成电路布图中的图案特征每边向外扩大距离ｎ，（ｂ／２）＜ｎ＜（ａ／２）；２）将经过扩大得到的 集成电路布图中的图案特征每边向内缩小距离ｎ；３）将上述步骤处理后得到的集成电路布图与原始的集成电路布图进行“异或”逻辑运算，得到仅留下图案特征有变化区域的集成电路布图；４）用颜色标记上述步骤得到的集成电路布图中所述图案特征有 变化的区域，将此标记后的集成电路布图覆盖至原始布图上；被所述颜色标记...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：黄荣瑞，洪齐元，邓泽希，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]
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