光刻装置和器件制造方法制造方法及图纸

技术编号:3206329 阅读:148 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
一种光刻装置,其中将位于投影装置(PL)之下的基底表面的局部区域浸入液体中。使用致动器(314)可以改变基底(W)的表面之上的液体供给装置(310)的高度。控制装置将前馈或回馈控制用于基底(W)的表面高度的输入,以将液体供给装置(310)保持在位于基底(W)的表面之上的预定高度。(*该技术在2024年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种光刻投影装置和器件制造方法。
技术介绍
光刻装置是一种施加所需的图案到基底的目标部分之上的装置。光刻投影装置可以用于例如集成电路(ICs)的制造。在这种情况下,构图部件,比如掩膜可产生对应于IC一个单独层的电路图案,该图案可以成像在已涂敷辐射敏感材料(抗蚀剂)层的基底(硅晶片)的目标部分上(例如包括一个或者多个管芯(die))。一般的,单一的基底将包含相邻目标部分的整个网格,该相邻目标部分由投影装置逐个相继辐射。在目前采用投影装置包括步进器,其通过将全部掩模图案一次曝光在目标部分上而辐射每一目标部分;以及所谓的扫描装置,当沿着于给定方向平行或反平行的方向扫描基底时,其通过在投影光束下沿给定的参考方向(“扫描”方向)扫描掩模图案。已经提出将光刻投影装置中的基底浸入具有相对较高的折射率的液体,比如水。从而使液体充满投影装置的最后部件和基底之间的空间。由于曝光辐射在液体中具有较短的波长,这能使对较小的结构特征进行成像(可以认为液体有增大装置的NA的效用,也增大了焦深)。然而,将基底浸入水中或基底和基底台处于液体的环境(比如见US4,509,852,因此将其全部参考结合本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种光刻透射装置,包括:    用于提供辐射投影光束的辐射装置;    用于支撑构图部件的支撑结构,所述构图部件用于根据所需的图案对投影光束进行构图;    用于保持基底的基底台;     用于将带图案的光束投影到基底的目标部分上的投影装置,而且其具有一光轴;以及    液体供给装置,其用于在所述投影装置和所述基底之间的空间中的所述基底上提供浸没液体,其特征在于:    至少一部分所述液体供给装置可自由在所述光轴方向上移动和/或围绕至少一个垂直于光轴的轴旋转。

【技术特征摘要】
EP 2003-5-13 03252955.4;EP 2003-10-22 03256643.21.一种光刻透射装置,包括用于提供辐射投影光束的辐射装置;用于支撑构图部件的支撑结构,所述构图部件用于根据所需的图案对投影光束进行构图;用于保持基底的基底台;用于将带图案的光束投影到基底的目标部分上的投影装置,而且其具有一光轴;以及液体供给装置,其用于在所述投影装置和所述基底之间的空间中的所述基底上提供浸没液体,其特征在于至少一部分所述液体供给装置可自由在所述光轴方向上移动和/或围绕至少一个垂直于光轴的轴旋转。2.依照权利要求1的装置,进一步包括致动装置,其用于调整所述至少一部分液体供给装置相对于基底的高度和/或倾斜度。3.依照权利要求2的装置,进一步包括控制装置,其用于控制所述致动装置,以将至少一部分所述液体供给装置保持在所述基底之上的预定高度。4.依照权利要求3的装置,进一步包括至少一个传感器,其用于测量所述基底的表面之上的至少一部分所述液体供给装置的高度,其中所述控制装置将回馈控制方法用于来自所述至少一个传感器的输入。5.依照权利要求3的装置,进一步包括一测量装置,其用于测量所述基底进入所述投影装置之前所述基底的表面高度,并用于在存储装置中存储所述测量高度,其中所述控制装置将回馈控制用于来自所述存储装置产生的所述测量高度的输入。6.依照权利要求3的装置,进一步包括至少一个传感器,其用于测量在曝光位置所述基底的高度,其中所述控制装置将回馈控制方法用于在曝光位置所述基底的所述高度的输入。7.依照权利要求2到6中任一权利要求所述的装置,其中在无激励状态下,所述致动装置将所述液体供给装置定位到在投影装置的光轴方向上远离所述基底的表面的最大设置。8.依照权利要求2到7中任一权利要求所述的装置,其中所述致动装置连接在所述液体供给装置和基础构架之间,所述基础构架支撑所述基底台和/或参考构架,所述参考构架支撑所述投影装置。9.依照权利要求8的装置,其中支撑元件或其它致动装置连接在所述液体供给装置和所述基础构架和/或参考构架之间,以相对于投影装置在垂直于光轴的平面中保持所述液体供给装置基本稳定。10.依照权利要求2到6中任一权利要求所述的装置,其中所述致动装置是所述液体供给装置的一部分,致动装置包括沿着至少一部分所述投影装置的最后部件和所述基底台之间的所述空间的边界延伸的密封元件;气体密封装置,用于在所述密封元件和所述基底的表面之间形成气体密封;其中,改变所述气体密封的压力,以调整...

【专利技术属性】
技术研发人员:B斯特雷克JJM巴塞曼斯HHM科西ATAM德克森SNL当德斯CA胡根达姆J洛夫ER鲁斯特拉JJSM梅坦斯F范德穆伦JCH穆肯斯GPM范努恩K西蒙BA斯拉赫克A斯特拉艾杰JGC范德图恩M豪克斯
申请(专利权)人:ASML荷兰有限公司
类型:发明
国别省市:NL[荷兰]

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