集成电路的布图设计装置、布图设计方法制造方法及图纸

一种布图设计方法，用于进行使单元电阻连接从而构成电阻元件的布图，其特征在于，该方法包括：　　　　参数取得步骤，取得规定单元电阻的电阻值、连接类型、并联配置数及串联配置数的参数；以及　　　　元件单元生成步骤，根据规定所述电阻值的参数来确定单元电阻的基本结构，根据规定所述连接类型、所述并联配置数及所述串联配置数的参数来配置并连接所述单元电阻的基本结构，进行电阻元件的布图。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及用于进行元件布图的布图设计装置、布图设计方法及布图设计程序。
技术介绍
在半导体集成电路的布图设计中，通过将包含在该半导体集成电路中的半导体元件作为元件单元来形成，根据电路图形成包含该元件单元的单元块，从而进行半导体集成电路的布图。图16表示典型的半导体集成电路的设计流程图。在步骤S100的系统设计步骤中，确定电路规格、工艺及芯片尺寸等系统的基本设想。在步骤S102的电路设计步骤中，确定具体的电路结构、各种常数。在步骤S104的单元块布图设计步骤中，在用于电路的每个元件中进行元件单元的布图，然后，将这些元件单元组合，进行单元块的布图。在步骤S106的整体布图设计中，通过适当配置单元块来进行集成电路整体的布图。在步骤S108的掩模生成步骤中，根据集成电路的布图，形成对应于工艺的掩模。在步骤S110的制造步骤中，使用掩模执行实际的工艺，制造半导体集成元件。在上述单元块布图设计步骤S104中，布图设计者参照电路设计步骤S102中获得的电路图，同时使用CAD等图面输入支持装置，通过输入构成元件的电极、绝缘层、掺杂区域等的坐标，进行元件单元的布图。此时，为了减轻布图设计者的负担，使用称为标准方式的设计方法。在标准方式中，将频繁使用的标准的元件单元的布图作为数据库保持在存储装置中，根据需要，通过从数据库中选择元件单元，可进行单元块的布图(例如，(日本)特开平5-218202号公报)。专利文献1特开平5-218202号公报但是，在定制的元件多的模拟集成电路等中，所使用元件的构成要素的大小、形状及配置的变更较多，不能将元件单元的布图标准化，难以使用单元数据库。因此，对于元件单元的各构成要素，需要逐一输入坐标数据并进行元件单元的布图。而且，在将元件单元组合进行单元块的布图时，有时需要变更元件单元的自身布图。再有，因电路设计的重新考虑，有时也需要变更元件单元。此时，布图设计者需要对于元件单元的各构成要素再输入坐标数据，存在布图作业十分繁杂的问题。而且，产生坐标数据的输入错误的危险也大。此外，在包含电容元件和电阻元件的元件单元的集成电路中，在布图设计后，为了调整集成电路整体的延迟时间，大多需要对电容值或电阻值进行微调，需要再输入电容元件或电阻元件的各构成要素的坐标。这种情况下，也存在加重布图设计者负担，开发时间加长的问题。此外，随着电容值和电阻值的微调整，在变更电容元件和电阻元件的结构时，需要重新制作用于制造工艺的大部分掩模，对制造工艺的影响大，导致制造成本的增大。而且，随着元件单元的调整，电路的整体布图受到影响，常常需要再次从最初开始进行布图作业。而且，在布图设计后，电路设计者或系统设计者不能容易地确认其结果是否合适。因此，在电路设计者和布图设计者之间难以进行设计的配合，成为延长开发时间的原因。
技术实现思路
鉴于上述现有技术的问题，为了解决至少一个上述课题，本专利技术的目的在于提供可以减轻元件的布图作业负担的布图设计装置、布图设计方法及布图设计程序。解决上述课题的本专利技术是一种布图设计方法，用于进行使单元电阻连接从而构成电阻元件的布图，其特征在于，该方法包括参数取得步骤，取得规定单元电阻的电阻值、连接类型、并联配置数及串联配置数的参数；以及元件单元生成步骤，根据规定所述电阻值的参数来确定单元电阻的基本结构，根据规定所述连接类型、所述并联配置数及所述串联配置数的参数来配置并连接所述单元电阻的基本结构，进行电阻元件的布图。而且，最好是在所述参数取得步骤中，还取得规定微调电阻值的参数；在所述元件单元生成步骤中，还根据规定所述微调电阻值的参数来变更所述单元电阻的基本结构的电极间隔，进行电阻元件的布图。而且，最好是在所述参数取得步骤中，还取得规定微调连接类型、微调并联配置数及微调串联配置数的参数；在所述元件单元生成步骤中，还根据规定所述微调连接类型、所述微调并联配置数及所述微调串联配置数的参数来变更所述单元电阻的基本结构的配置和连接，进行电阻元件的布图。解决上述课题的本专利技术的另一方式是一种布图设计装置，用于进行使单元电阻连接从而构成电阻元件的布图，其特征在于，该装置包括参数取得部件，取得规定单元电阻的电阻值、连接类型、并联配置数及串联配置数的参数；以及元件单元生成部件，根据所述参数取得部件取得的规定所述电阻值的参数来确定单元电阻的基本结构，根据所述参数取得部件取得的规定所述连接类型、所述并联配置数及所述串联配置数的参数来配置并连接所述单元电阻的基本结构，进行电阻元件的布图。而且，最好是所述参数取得部件还取得规定微调电阻值的参数；所述元件单元生成部件还根据所述参数取得部件取得的规定微调电阻值的参数来变更所述单元电阻的基本结构的电极间隔，进行电阻元件的布图。最好是所述参数取得部件还取得规定微调连接类型、微调并联配置数及微调串联配置数的参数；所述元件单元生成部件还根据所述参数取得部件取得的规定所述微调连接类型、所述微调并联配置数和所述微调串联配置数的参数来变更所述单元电阻的基本结构的配置及连接，进行电阻元件的布图。解决上述课题的本专利技术的另一方式是一种布图设计程序，用于进行使单元电阻连接从而构成电阻元件的布图，其特征在于，使计算机执行包含以下步骤的处理参数取得步骤，取得规定单元电阻的电阻值、连接类型、并联配置数及串联配置数的参数；以及元件单元生成步骤，根据规定所述电阻值的参数来确定单元电阻的基本结构，根据规定所述连接类型、所述并联配置数及所述串联配置数的参数来配置并连接所述单元电阻的基本结构，进行电阻元件的布图。而且，最好是在所述参数取得步骤中，还取得规定微调电阻值的参数；在所述元件单元生成步骤中，还根据规定所述微调电阻值的参数来变更所述单元电阻的基本结构的电极间隔，进行电阻元件的布图。而且，最好是在所述参数取得步骤中，还取得规定微调连接类型、微调并联配置数及微调串联配置数的参数；在所述元件单元生成步骤中，还根据规定所述微调连接类型、所述微调并联配置数及所述微调串联配置数的参数来变更所述单元电阻的基本结构的配置和连接，进行电阻元件的布图。附图说明图1是本专利技术实施方式的布图设计装置的结构方框图。图2是表示本专利技术实施方式的布图设计方法的流程图。图3是表示本专利技术实施方式的晶体管的基本结构例。图4是表示本专利技术实施方式中参数的设定输入画面。图5说明本专利技术实施方式的元件单元的自动生成。图6说明本专利技术实施方式是元件单元的自动生成。图7说明本专利技术实施方式是元件单元的自动生成。图8表示本专利技术实施方式的元件单元的生成结果的显示画面。图9表示本专利技术的变形例1的电容元件的基本结构例。图10说明本专利技术的变形例1的电容元件的元件单元的自动生成。图11表示本专利技术的变形例2的电阻元件的基本结构例。图12说明本专利技术的变形例2的电阻元件的元件单元的自动生成。图13说明本专利技术的变形例2的电阻元件的元件单元的自动生成。图14说明本专利技术的变形例2的电阻元件的元件单元的自动生成。图15说明本专利技术的变形例2的电阻元件的元件单元的自动生成。图16是表示集成电路的布图设计的流程图。具体实施例方式如图1所示，本专利技术的实施方式的布图设计装置基本上由控制部10、输入部12、输出部14、存储部16及总线18构成。控制部10、输入部12、输出部14及存储部16通过总线18以可进本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种布图设计方法，用于进行使单元电阻连接从而构成电阻元件的布图，其特征在于，该方法包括参数取得步骤，取得规定单元电阻的电阻值、连接类型、并联配置数及串联配置数的参数；以及元件单元生成步骤，根据规定所述电阻值的参数来确定单元电阻的基本结构，根据规定所述连接类型、所述并联配置数及所述串联配置数的参数来配置并连接所述单元电阻的基本结构，进行电阻元件的布图。2.如权利要求1所述的布图设计方法，其特征在于，在所述参数取得步骤中，还取得规定微调电阻值的参数；在所述元件单元生成步骤中，还根据规定所述微调电阻值的参数来变更所述单元电阻的基本结构的电极间隔，进行电阻元件的布图。3.如权利要求1或2所述的布图设计方法，其特征在于，在所述参数取得步骤中，还取得规定微调连接类型、微调并联配置数及微调串联配置数的参数；在所述元件单元生成步骤中，还根据规定所述微调连接类型、所述微调并联配置数及所述微调串联配置数的参数来变更所述单元电阻的基本结构的配置和连接，进行电阻元件的布图。4.一种布图设计装置，用于进行使单元电阻连接从而构成电阻元件的布图，其特征在于，该装置包括参数取得部件，取得规定单元电阻的电阻值、连接类型、并联配置数及串联配置数的参数；以及元件单元生成部件，根据所述参数取得部件取得的规定所述电阻值的参数来确定单元电阻的基本结构，根据所述参数取得部件取得的规定所述连接类型、所述并联配置数及所述串联配置数的参数来配置并连接所述单元电阻的基本结构，进行电阻元件的布图。5.如权利要求4所述的布图设计装置，其特征在于，所述参数取得部件还取得规定...

【专利技术属性】
技术研发人员：岛村哲夫，鹿仓康弘，
申请(专利权)人：三洋电机株式会社，
类型：发明
国别省市：