【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及用于进行元件布图的布图设计装置、布图设计方法及布图设计程序。
技术介绍
在半导体集成电路的布图设计中，通过将包含在该半导体集成电路中的半导体元件作为元件单元来形成，根据电路图形成包含该元件单元的单元块，从而进行半导体集成电路的布图。图16表示典型的半导体集成电路的设计流程图。在步骤S100的系统设计步骤中，确定电路规格、工艺及芯片尺寸等系统的基本设想。在步骤S102的电路设计步骤中，确定具体的电路结构、各种常数。在步骤S104的单元块布图设计步骤中，在用于电路的每个元件中进行元件单元的布图，然后，将这些元件单元组合，进行单元块的布图。在步骤S106的整体布图设计中，通过适当配置单元块来进行集成电路整体的布图。在步骤S108的掩模生成步骤中，根据集成电路的布图，形成对应于工艺的掩模。在步骤S110的制造步骤中，使用掩模执行实际的工艺，制造半导体集成元件。在上述单元块布图设计步骤S104中，布图设计者参照电路设计步骤S102中获得的电路图，同时使用CAD等图面输入支持装置，通过输入构成元件的电极、绝缘层、掺杂区域等的坐标，进行元件单元的布图。此时，为...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种布图设计方法，用于进行使单元电阻连接从而构成电阻元件的布图，其特征在于，该方法包括参数取得步骤，取得规定单元电阻的电阻值、连接类型、并联配置数及串联配置数的参数；以及元件单元生成步骤，根据规定所述电阻值的参数来确定单元电阻的基本结构，根据规定所述连接类型、所述并联配置数及所述串联配置数的参数来配置并连接所述单元电阻的基本结构，进行电阻元件的布图。2.如权利要求1所述的布图设计方法，其特征在于，在所述参数取得步骤中，还取得规定微调电阻值的参数；在所述元件单元生成步骤中，还根据规定所述微调电阻值的参数来变更所述单元电阻的基本结构的电极间隔，进行电阻元件的布图。3.如权利要求1或2所述的布图设计方法，其特征在于，在所述参数取得步骤中，还取得规定微调连接类型、微调并联配置数及微调串联配置数的参数；在所述元件单元生成步骤中，还根据规定所述微调连接类型、所述微调并联配置数及所述微调串联配置数的参数来变更所述单元电阻的基本结构的配置和连接，进行电阻元件的布图。4.一种布图设计装置，用于进行使单元电阻连接从而构成电阻元件的布图，其特征在于，该装置包括参数取得部件，取得规定单元电阻的电阻值、连接类型、并联配置数及串联配置数的参数；以及元件单元生成部件，根据所述参数取得部件取得的规定所述电阻值的参数来确定单元电阻的基本结构，根据所述参数取得部件取得的规定所述连接类型、所述并联配置数及所述串联配置数的参数来配置并连接所述单元电阻的基本结构，进行电阻元件的布图。5.如权利要求4所述的布图设计装置，其特征在于，所述参数取得部件还取得规定...
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