基板处理装置的处理室净化方法、基板处理装置和基板处理方法制造方法及图纸

每次净化在处理室内容纳被处理基板，对所述被处理基板实施规定的处理的基板处理装置的处理室时，交替实施在处理室内形成包含氧元素的气体的等离子体的工序和在处理室内形成包含氮元素的气体的等离子体的工序。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及例如在半导体装置的制造工艺中使用的、。
技术介绍
例如，随着半导体装置中的电路结构的微小化，半导体装置的制造工艺中使用的基板处理装置中容纳半导体基板的处理室要求极高的清洁度。因此，例如在专利文献1中，公开有将通过酸清洗可以容易去除表面上粘附的污染物质的硅结晶体配置在处理室内与等离子体接触的部分，由此提高在处理室内的等离子体暴露区域的清洁度的技术。另外，在专利文献2中，将包含含有氮的化合物和含有氟的化合物的清洁气体导入到堆积装置的处理室内而产生等离子体，并将处理室内的残留物作为挥发性生成物去除的技术。进一步，在专利文献3中，公开有将气体导入到处理室内进行等离子体化，并通过该等离子体的溅射蚀刻，从设置在处理室内的陶瓷部件去除污染物质的技术。但是，上述这种现有技术中因含有氟的化合物这种腐蚀性气体而引起处理室内的金属部件的腐蚀和处理室内的溅射造成的部件损坏和溅射后的污染物质重新附着等，不能满足近年要求的清洁度。例如，半导体装置的栅极氧化膜的形成工序是左右晶体管的特性的重要工序，由于铁(Fe)、铜(Cu)等的金属污染物质对晶体管的特性带来很大的恶劣影响，所以要求可以得到比现有技术高的清洁度的污染去除技术。另一方面，作为处理室的净化的其他方法，还考虑对大气开放，并进行由纯水或溶剂进行的擦拭处理，但是如上所述，在清洁度的要求水平高的情况下，有由大气开放引起的污染物质的带入等的影响，反而清洁度降低的悬念。另外，为了进行大气开放，需要处理室的分解和重新组装这样的烦杂、长时间的操作，还有基板处理装置的工作效率显著降低的技术问题。专利文献1日本专利特开2002-353206号公报专利文献2日本专利特开平9-232299号公报专利文献3日本专利特开平11-3878号公报
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种可以迅速清洁容纳被处理基板的处理室而不会使基板处理装置的工作效率降低的基板处理装置的处理室净化方法。本专利技术的另一目的在于提供一种在如等离子体处理装置抬升时等那样的，处理室内部的污染度较高的情况下，在较短时间中将容纳被处理基板的处理室净化到可进行作为目的的基板处理的水平的基板处理装置的处理室净化方法。本专利技术的又一目的在于提供一种不会产生由使用腐蚀性物质引起的处理室内的腐蚀的基板处理装置的处理室净化方法。本专利技术的另外的目的在于提供一种不会产生由处理室内的污染物质的溅射和重新附着等引起的污染，可净化处理室内的基板处理装置的处理室净化方法。本专利技术的又一目的在于提供一种可进行以上的处理室净化的基板处理装置。本专利技术的另一目的在于提供一种包括以上的处理室净化工序的基板处理。根据本专利技术的第一观点，提供一种基板处理装置的处理室净化方法，其在处理室内容纳被处理基板，并对上述被处理基板实施规定的处理，使得在上述处理室内形成包含氧的气体的等离子体的工序和在上述处理室内形成包含氮的气体的等离子体的工序交替实施至少一个循环。根据本专利技术的第二观点，提供一种可通过计算机读取的记录介质，在处理室内容纳被处理基板，并对上述被处理基板实施规定的处理的基板处理装置中，计算机包含控制上述基板处理装置的软件，使得在上述处理室内形成包含氧的气体的等离子体的工序和在上述处理室内形成包含氮的气体的等离子体的工序交替实施来净化上述处理室。根据本专利技术的第三观点，提供一种基板处理装置，包括处理室，容纳被处理基板；处理机构，在上述处理室内对上述被处理基板实施规定的处理；等离子体形成机构，用于在上述处理室内形成净化其内部的等离子体；和控制机构，控制上述等离子体形成机构，上述控制机构控制上述等离子体形成机构，使得在上述处理室内形成包含氧的气体的等离子体的工序和在上述处理室内形成包含氮的气体的等离子体的工序交替实施至少一个循环。根据本专利技术的第四观点，提供一种基板处理方法，包括在处理室内，使在包含氧的气体的等离子体的形成和包含氮的气体的等离子体的形成交替实施至少一个循环来净化处理室的工序；之后，在上述处理室内，至少进行一次包含氧的气体的等离子体的形成或包含氮的气体的等离子体的形成来时效处理(seasoning清洁)处理室的工序；之后，将被处理基板导入上述处理室内，并对被处理基板实施规定的处理。根据本专利技术，在对基板实施规定的处理的处理装置，例如进行等离子体处理的处理装置的抬升时，和在作为目的的处理前后等的定时中，通过由In-situ进行在处理室内交替反复形成氧等离子体和氮等离子体的处理室净化处理，例如与仅通过氧等离子体或仅通过氮等离子体等的单独等离子体进行净化的情况，和基于处理室的大气开放的净化方法等相比，可以在短时间可靠达到高净化度。因此，可以将容纳被处理基板的基板处理装置的处理室净化到目的的净化度，而不会使基板处理装置的工作效率和生产率降低。另外，如基板处理装置的抬升时等那样，在处理室内部的污染度较高的情况下，也可以在较短时间内将容纳被处理基板的处理室可靠地净化到可进行目的基板处理的水平。进一步，由于使用了氧等离子体和氮等离子体等的等离子体，所以可以获到高净化度，而不会产生由使用腐蚀性物质引起的处理室内的腐蚀。另外，通过使处理室净化时的等离子体处理为低电子温度等离子体，可以进一步净化处理室，而不会产生对处理室内的部件的溅射损坏和基于溅射的污染，由污染源造成的污染物质的重新附着等引起的污染。在本专利技术中，优选净化时的等离子体是低电子温度等离子体。所谓低电子温度等离子体是指电子温度是0.5eV～3eV左右的等离子体。另外，优选这时的低电子温度等离子体的电子温度是2eV以下。作为电子温度可以使用通过均方速度定义的温度。另外，更优选腔室内壁附近的电子温度为2eV以下。优选等离子体通过具有多个狭缝的平面天线向上述处理室内导入微波来形成。由此，实现了期望的低电子温度等离子体。另外，作为处理装置中进行的规定的处理，优选是低电子温度等离子体处理。此外，该处理优选是氮化处理或氧化处理。进一步，优选包含上述氧的气体是氧气，优选包含上述氮的气体是氮气。附图说明图1是表示实施本专利技术的一个实施方式的处理室净化方法的等离子体处理装置的一例的截面图。图2是表示作为本专利技术的一个实施方式的等离子体处理装置的控制部的结构的一例的框图。图3是表示作为本专利技术的一个实施方式的处理室净化方法的一例的定时图。图4是表示作为本专利技术的一个实施方式的处理室净化方法的另一例的定时图。图5是表示实际进行本专利技术的处理室净化方法的情况下的污染度的曲线。图6是表示实际进行本专利技术的处理室净化方法的情况下的污染度的曲线。图7是表示为进行比较，仅通过氮等离子体来进行处理室的净化的情况下的污染度的曲线。图8是表示为进行比较，仅通过氮等离子体来进行处理室的净化的情况下的污染度的曲线。图9A是表示使氮等离子体处理时的压力为126.7Pa，实际进行本专利技术的处理室净化方法的情况下的净化处理前后的污染度的曲线。图9B是表示使氮等离子体处理时的压力为66.7Pa，实际进行本专利技术的处理室净化方法的情况下的净化处理前后的污染度的曲线。具体实施例方式下面，参照附图具体说明本专利技术的实施方式。图1是表示实施作为本专利技术的一个实施方式的基板处理装置的处理室净化方法的等离子体处理装置的一例的截面图，图2是表示本实施方式的等离子体处理装置的控制部的结构的一例的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基板处理装置的处理室净化方法，在处理室内容纳被处理基板，并对所述被处理基板实施规定的处理，其特征在于：使得在所述处理室内形成包含氧的气体的等离子体的工序和在所述处理室内形成包含氮的气体的等离子体的工序交替实施至少一个循环。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：石塚修一，佐佐木胜，高桥哲朗，前川浩治，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]