被处理体的处理装置制造方法及图纸

本发明专利技术是一种被处理体的处理装置，其特征在于，包括：能够将内部抽成真空的处理容器、向上述处理容器内导入规定气体的气体导入单元、设置在上述处理容器内的支撑台、设置在上述支撑台上的用于支撑被处理体的环状支撑部、在上述支撑部的内侧的设置在上述支撑台的上面的多个热电转换元件、和将在被上述支撑部支撑的被处理体的下面、上述支撑台的上面和上述支撑部之间形成的元件收容空间内抽成真空的元件收容空间排气单元。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及对半导体晶片等的被处理体进行退火处理或冷却处理等的各种处理的处理装置。
技术介绍
一般，在制造所希望的半导体器件时，要对半导体晶片反复进行成膜处理、图案蚀刻处理、氧化扩散处理、变质处理和退火处理等的各种热处理。近年，伴随着半导体器件的高密度化、多层化和高集成化，热处理的规格变得越来越严格。特别是，对于各种热处理来说，优选晶片面内的均匀性的提高和膜质的提高。例如，对作为半导体器件的晶体管的沟道层的处理进行说明，一般，在向沟道层内注入杂质原子的离子后，为了使原子结构稳定而进行退火处理。这时，若上述退火处理进行较长时间，则原子结构虽然稳定化，但是杂质原子会扩散至膜厚方向的深处，并穿透下方。为了防止发生这样的现象，上述退火处理必须在极短的时间内进行。更详细地说明就是，为了不在较薄膜厚的沟道层中产生杂质原子的穿透且使原子结构稳定，必须使半导体晶片迅速升温至高温且在退火处理后迅速降温至不生成扩散的低温。为了实现上述的适当的退火处理，现有的处理装置设置有收容加热灯的灯室和用于隔断上述加热灯的辐射热的挡板机构。所以这样的处理装置在高温下进行退火处理后，通过使挡板机构动作隔断来自加热本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种被处理体的处理装置，其特征在于，包括：能够将内部抽成真空的处理容器、向所述处理容器内导入规定气体的气体导入单元、设置在所述处理容器内的支撑台、设置在所述支撑台上用于支撑被处理体的环状支撑部、设置在 所述支撑部内侧的所述支撑台上面的多个热电转换元件、和将在由所述支撑部支撑的被处理体的下面、所述支撑台的上面和所述支撑部之间形成的元件收容空间内抽成真空的元件收容空间排气单元。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：米田昌刚，河西繁，清水正裕，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]