静电吸附电极和处理装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供防止在静电吸附电极的气体流路中的异常放电，并且即便万一在气体流路中发生异常放电时也可以容易地进行修理的静电吸附电极。静电吸盘（５）具有由相互可以分离的第１基材（３０）和第２基材（３１）构成的组合构造。分别在第１基材（３０）上的介电性材料膜（８）内埋入电极（６ａ），在第２基材（３１）上的介电性材料膜（８）内埋入电极（６ｂ）。在组合第１基材（３０）和第２基材（３１）的状态中，在两者之间以包围第１基材（３０）周围的方式形成间隙，该间隙作为供给传热气体的气体供给缝隙（９ｃ）起作用。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及静电吸附电极和处理装置，详细地说，涉及在平板显示器(FPD)等的制造过程中，用于载置玻璃基板等的基板的静电吸附电极和备有该静电吸附电极的处理装置。
技术介绍
在FPD的制造过程中，对作为被处理体的玻璃基板进行干蚀刻和溅射、CVD(Chemical Vapor Deposition(化学气相淀积法))等的等离子处理。例如，在腔室内配置一对平行平板电极(上部和下部电极)，将玻璃基板载置在作为下部电极起作用的支持器(基板载置台)上后，将处理气体导入腔室内，并且在至少一方的电极上加上高频功率，在电极间形成高频电场，由该高频电场形成处理气体的等离子体，对玻璃基板施加等离子处理。这时，通过设置在支持器上的静电吸附电极，利用例如库伦力，能够吸附固定玻璃基板。可是，为了促进对玻璃基板的传热，向玻璃基板的背面侧供给He等的传热气体(例如，专利文献1、专利文献2)。经过从支持器侧贯通上述静电吸附电极形成的气体流路，将传热气体导入到支持器表面和载置在那里的玻璃基板背面的间隙中。在该气体流路中，以不露出由Al等构成的支持器的材质的方式对表面施加防蚀铝处理(阳极氧化处理)等。日本特开平9-252047号专利公报(图1等)日本特开平6-342843号专利公报(图4等)
技术实现思路
在下部电极也是按照从支持器贯通静电吸附电极的方式形成的气体流路中，如果防蚀铝处理不充分则在它的一部分中容易产生异常放电的情形。现实中，大部分异常放电发生在静电吸附电极的气体流路中。并且，当在静电吸附电极的气体流路内发生异常放电时和当使用中每次消耗一点防蚀铝，绝缘性降低时，存在着因为空穴内部的修理事实上很困难，所以必须交换整个静电吸附电极那样的问题。本专利技术就是鉴于上述实情提出的，本专利技术提供防止在静电吸附电极的气体流路中的异常放电，并且即便万一在气体流路中发生异常放电时也可以容易地进行修理的静电吸附电极。为了解决上述课题，在本专利技术的第1观点中，本专利技术提供一种静电吸附电极，其特征在于，由相互可以分离的多个基材构成，具有载置被处理体的载置面，在至少两个基材的间隙中，形成达到上述载置面，且向被处理体的背面供给传热媒体的传热媒体流路。在上述第1观点的静电吸附电极中，也可以至少由绝缘材料覆盖形成上述传热媒体流路的上述基材的表面。并且，上述传热媒体流路也可以是对铅垂方向具有角度地形成的。并且，也可以由上述传热媒体流路将上述载置面分割成与载置的被处理体的中央部对应的中央载置区域和与周边部对应的周边载置区域。这时，上述被分割的各个载置面可以是静电吸附面，也可以具有独立的静电吸附功能。并且，也可以在上述中央载置区域中形成多个凸部。或者，也可以在上述中央载置区域中形成多条沟。进一步，也可以在上述周边载置区域中形成台阶部。在本专利技术的第2观点中，提供具有上述第1观点的静电吸附电极的处理装置。该处理装置也可以用于平板显示器的制造。如果根据本专利技术，则因为由相互可以分离的多个基材构成静电吸附电极，并且在至少两个基材的间隙中，形成向被处理体的背面供给传热媒体的传热媒体流路，所以能够提高传热媒体流路的传导性，得到高的传热效率。并且，因为由相互可以分离的多个基材形成静电吸附电极，在它们之间形成流路，所以例如通过溶射能够容易地实现流路的绝缘，确实地防止异常放电。并且，即便万一发生异常放电，也可以在短时间内并且低成本地进行修理。进一步，通过由多个基材构成静电吸附电极，只要交换某个基材就能够任意变更电极表面样式。从而，容易找到在由静电吸附电极表面的样式依赖关系产生的蚀刻处理等中的处理不均匀性的对策。附图说明图1是表示与本专利技术的一个实施方式有关的等离子体蚀刻装置的概略构成的剖面图。图2是静电吸盘的平面图。图3是图2的A-A′线箭头方向看的剖面图。图4是表示分离第1基材和第2基材的状态的图。图5是提供给放电防止部件的说明的模式图，(a)是立体图，(b)是剖面图。图6是与别的实施方式有关的静电吸盘的平面图。图7是与另一个别的实施方式有关的静电吸盘的平面图。标号说明1处理装置(等离子体蚀刻装置)；2腔室(处理室)；3绝缘板；4基座；5静电吸盘；6电极；8介电性材料膜；11喷射头(气体供给部件)；20排气装置；30第1基材；31第2基材；32陶瓷溶射膜；33O环；34螺旋线屏蔽环；35防止放电部件；50凸部。具体实施例方式下面，我们一面参照附图，一面说明本专利技术的优选实施方式。图1是表示备有作为与本专利技术的一个实施方式有关的静电吸附电极的静电吸盘的处理装置的一个例子的等离子体蚀刻装置的剖面图。如图1所示，等离子体蚀刻装置1形成作为对做成矩形的被处理体的FPD用玻璃基板等的基板G进行蚀刻的电容耦合型平行平板等离子体蚀刻装置的构成。这里，作为FPD，例示了液晶显示器(LCD)、发光二极管(LED)显示器、电致发光(Electro Luminescence；EL)显示器、荧光显示管(Vacuum Fluorescent Display；VFD(真空荧光显示管))、等离子体显示面板(PDP)等。此外，本专利技术的处理装置不只限定于等离子体蚀刻装置。该等离子体蚀刻装置1例如具有成型为由表面经过防蚀铝处理(阳极氧化处理)的铝构成的方筒形状的腔室2。在该腔室2内的底部设置由绝缘材料构成的方柱状的绝缘板3，在该绝缘板3上设置用于载置基板G的基座4。作为基板载置台的基座4具有支持器基材4a、和设置在支持器基材4a上面的静电夹盘5。在支持器基材4a的外周，形成绝缘膜7，并且，在静电夹盘5的上面，设置陶瓷溶射膜等的介电性材料膜8。静电夹盘5从直流电源26经过馈电线27将直流电压加在埋设在介电性材料膜8中的电极6，例如由库伦力静电吸附基板G。此外，我们将在后面述说静电夹盘5的详细构造。在上述绝缘板3和支持器基材4a，进一步上述静电夹盘5中，形成贯通它们的气体通路9。经过该气体通路9将传热气体，例如He气等供给作为被处理体的基板G的背面。即，供给气体通路9的传热气体，经过在支持器基材4a和静电夹盘5的交界上形成的气体集中处9a一旦在水平方向扩散后，通过在静电夹盘5内形成的气体供给连通孔9b、气体供给缝隙9c，从静电夹盘5的表面喷出到基板G的背面。通过这样做，将基座4的冷热传达到基板G，使基板G维持在预定的温度。在支持器基材4a的内部，设置冷媒室10。经过冷媒导入管10a将例如氟系液体等的冷媒导入该冷媒室10中，又经过冷媒排出管10b排出进行循环，从而能够经过上述传热气体将它的冷热传给基板G。在上述基座4的上方，与该基座4平行对置地设置作为上部电极起作用的喷射头11。将喷射头11支持在腔室2的上部，在它的内部具有内部空间12，并且形成将处理气体喷出到基座4的对置面上的多个喷出孔13。该喷射头11接地，与基座4一起构成一对平行平板电极。在喷射头11的上面设置气体导入口14，处理气体供给管15与该气体导入口14连接，处理气体供给源18，经过阀门16和质量流控制器17，与该处理气体供给管15连接。从处理气体供给源18供给用于蚀刻的处理气体。作为处理气体，例如能够用卤素系的气体、O2气、Ar气等，通常用于该领域的气体。在上述腔室2的侧壁下部连接着排气管19，排气装置20与该排气管19连接。排气装置20备有涡轮分子泵等的真空泵本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种静电吸附电极，其特征在于，由相互可以分离的多个基材构成，具有载置被处理体的载置面，在至少两个基材的间隙中，形成达到所述载置面且向被处理体的背面供给传热媒体的传热媒体流路。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：林圣，南雅人，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]