【技术实现步骤摘要】
本专利技术是有关于一半导体元件及其制造方法，且特别是有关于对栅极介电结构进行激光退火的制程方法和所形成的半导体元件。
技术介绍
随着晶体管尺寸持续的微缩，栅极介电结构厚度变的越来越薄，且甚至接近20埃或是更薄的厚度，在如此小的尺寸中，从栅极介电层隧道至位于其下的沟道区的杂质会显著的增加栅极到沟道的漏电流，且增加能量消耗，因此，栅极介电结构需要有高密度和少孔隙。高介电材料一般用于金属氧化物半导体MOSFET元件的栅极介电结构，然而，高介电材料具有密度较传统热成长、低介电氧化硅低的缺点，回火以增加材料密度和改进电特性是为一种改进高介电材料密度的方法。在一般已知的技术方法中，栅极介电结构的回火是采用快速热退火(rapid thermal annealing，以下可简称RTA)，或是炉管退火，而两者均需制程温度约700℃以上，且因为晶圆在高温维持一段长时间，传统的快速热退火或是炉管退火具有形成结块(agglomeration)、高热预算成本和高杂质扩散的缺点。现今，激光热回火(laser thermal annealing，以下可简称LTA)已为半导体制程所使用，在此...
【技术保护点】
一种半导体元件的制造方法，其特征在于，所述半导体元件的制造方法包括：提供一半导体基底，具有一表面；形成一栅极介电层，于该半导体基底的该表面上；对该栅极介电层进行一激光瞬间退火制程；及在该激光瞬间退火制程之后， 图形化该栅极介电层，以形成一栅极介电结构。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：姚亮吉，杨铭和，陈世昌，梁孟松，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]
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