用于真空处理装置的静电吸盘、具有该静电吸盘的真空处理装置、及其制造方法制造方法及图纸

一种用于真空处理装置的静电吸盘，其包括：一个具有突起的主基板；一个形成于该主基板上的绝缘层；一个用于通过施加电能产生静电力的形成于该绝缘层上的静电层；以及一个形成于该静电层上的介电层。这些突起可以具有各种形状，并且制造方法被简化和稳定化。此外，该静电吸盘有利于适应于大型基板。

【技术实现步骤摘要】

技术介绍
1.专利
本专利技术涉及一种真空处理装置，更具体地说，涉及一种用于真空处理装置的静电吸盘。2.相关现有技术描述一种真空处理装置在真空状态中通过使用物理反应或化学反应(例如等离子现象)对基板(例如用于液晶(LCD)显示面板、半导体等的玻璃)实施蚀刻处理或沉积处理应用。该真空处理装置包括一个在基板上进行蚀刻处理或沉积处理的真空处理腔室、一个用于将所传送的基板从负荷锁定装置传送到真空处理腔室、并用于接收已经在真空处理腔室中进行了真空处理的基板的传递腔室，等。该真空处理装置在传送或真空处理该基板时，通过使用一个静电吸盘将基板吸住。该静电吸盘是一种用于通过使用静电力吸住基板的装置。附图说明图1中所示的静电吸盘在韩国专利申请公开案第10-2002-0070340号中公开。如图1所示，该常规的用于真空处理装置的静电吸盘10包括一个主基板11、一个形成于主基板11上的绝缘层12、一个形成于绝缘层12上并用于通过施加直流电(DC)17产生静电力的电极层13、以及一个形成于电极层13上的绝缘层14。该附图标记12a表示一个用于增加主基板11和绝缘层12之间的粘合力的内涂层，即，一个中间层。在该用于静电处理装置的常规静电吸盘10中，极板16布置在绝缘层16上，并且在向该静电吸盘10供应直流电17时，所产生的静电力吸住该安装在绝缘层14上的基板16。然而，该常规的用于真空处理装置的静电吸盘10具有一个光滑面，并且可能会在基板16和静电吸盘10之间产生微小的间隙。这些基板16和静电吸盘10之间的间隙导致杂质残留在其中，并且阻止了该基板16被完全吸住。也就是说，在常规的用于真空处理装置的静电吸盘10中，由于基板16和静电吸盘10之间的间隙，基板16上的温度分布是不均匀的，从而在向基板16实施蚀刻处理或沉积处理时导致劣质结果。为了解决该问题，韩国专利申请公开案第10-2002-0066198号公开了在其表面具有多个突起的静电吸盘。韩国专利申请公开案第10-2002-0066198号公开了一种在其表面具有多个突起28的静电吸盘20，形成陶瓷形式的突起28被热喷涂在静电吸盘20的表面上，即，通过使用掩模29形成在绝缘层14上。该静电吸盘20使得形成于该绝缘层14上的突起28与基板16点接触，从而使得基板16能够具有均匀的温度分布并且可以在基板16上实施优良的蚀刻或沉积处理。由于基板(例如用于LCD面板的玻璃)变得越来越大，因而也要求用于吸住该基板的静电吸盘具有更大的尺寸。在通过使用更大的掩模、通过使用热喷涂在用于真空处理大型基板的静电吸盘的表面上形成突起的情形中，该掩模可能由于其尺寸太大而变形。由于难以制造更大的均匀的掩模以及难以均匀地在上面涂布绝缘层，因此也就难以均匀地形成突起。此外，在用于制造静电吸盘的常规方法中，需要一个用于在静电吸盘的表面形成突起的额外处理，必须制造一个具有开口的额外的掩模，当基板变得更大时掩模的数目增加，并且难以制造该掩模。此外，需要用于通过使用该掩模形成突起的额外的涂布处理，因而也就增加了制造的时间和劣势。此外，需要高昂的制造成本、并且难以形成均匀的突起。专利技术简述因此，本专利技术的一个目的在于提供一种无论其尺寸大小均能够实现均匀的突起的用于真空处理装置的静电吸盘，以及具有该静电吸盘的真空处理装置，及其制造方法。本专利技术的另一个目的在于提供一种能够实现具有各种形状的突起、简化并稳定制造方法、并有利于适应大型基板的用于真空处理装置的静电吸盘，具有该静电吸盘的真空处理装置，及其制造方法。为了实现这些及其他优点并与本专利技术的目的相一致，如本文所具体实施和广泛描述的那样，提供了一种用于真空处理装置的静电吸盘，其包括一个具有突起的主基板；一个形成于该主基板上的绝缘层；一个用于通过施加电能产生静电力的形成于该绝缘层上的静电层；以及一个形成于该静电层上的介电层。该绝缘层和介电层可以分别是由选自Al2O3、ZrO3、AlN和Y2O3的一种制成的。该突起的垂直剖面可以包括多边形(例如方形、梯形等)、圆锥形、或曲面形。可以形成突起以便介电层与基板点接触。这些突起可以被排列成具有点阵结构，并且从该静电吸盘的一个边倾斜地排列。可以通过机械加工或物理加工，或者可以通过喷砂处理、打磨处理、喷丸硬化处理来形成这些突起。可以在该主基板于该绝缘层之间形成一个用于提高主基板于绝缘层之间的粘合力的中间层。该主基板可以带有一个与外部电源连接并产生等离子反应的下部电极。根据另一个具体实施方式，提供了一种具有静电吸盘的真空处理装置。该真空处理装置在真空状态下对基板实施蚀刻处理或沉积处理。根据又一个具体实施方式，提供了一种制造用于真空处理装置的静电吸盘的方法，其包括在主基板上形成突起；在具有突起的主基板上形成绝缘层；在绝缘层上形成静电层；以及在静电层上形成介电层。在形成突起的步骤中，在主基板上形成多个第一切槽，然后形成多个与第一切槽交叉的第二切槽。在用于真空处理装置的静电吸盘及其制造方法中，无论静电吸盘的大小如何，都可以均匀地形成突起，并且这些突起可以具有各种形状，制造方法得到简化和稳定，并且有利于其适应于大型基板。当结合附图，并从本专利技术的下述详细描述中，本专利技术的上述及其他目的、特征、方面和优点将变得更明显。附图简述附示说明了本专利技术的具体实施方案并和说明书一起用于解释本专利技术的原理，这些附图用于提供对本专利技术的更好的理解并且被包括在本申请中并构成说明书的一部分。在附图中图1为根据常规技术的用于真空处理装置的静电吸盘的一个具体实施方式的剖视图。图2A为根据常规技术的用于真空处理装置的静电吸盘的另一个具体实施方式的局部剖视图。图2B为用于说明图2A的静电吸盘的制造方法的局部剖视图。图3为本专利技术的真空处理装置的真空处理腔室的剖视图。图4为安装在图3的真空处理腔室中的静电吸盘的局部剖视图。图5A至5D为图4的静电吸盘的改变的实例的剖视图。图6A为形成于图4的静电吸盘的表面上的突起的一种排列的平面图。图6B为形成于图4的静电吸盘的表面上的突起的另一种排列的平面图。图7A至7D为用于制造本专利技术的静电吸盘的方法的剖视图。图8A至8B为用于在本专利技术的静电吸盘的主基板上形成突起的方法的剖视图。图8C为沿图8B的’C-C’线的局部剖视图。专利技术详述现在将详细地参照本专利技术的优选的具体实施方式，其实例如附图所示。在下文中，将参照附图对用于真空处理装置的静电吸盘及其制造方法进行更详细的说明。本专利技术的真空处理装置包括一个用于对基板160实施蚀刻处理或沉积处理的真空处理腔室1、一个用于将所转移的基板160从负荷锁定装置(图中未示出)转移到真空处理腔室1中并接收已经在真空处理腔室1中经过真空处理的基板160的传递腔室(图中未示出)。负荷锁定装置从外部接收基板160并从而将基板160转移到传递腔室中，或者将已经在传递腔室中经过处理的基板160转移到外部。传递腔室从负荷锁定装置接收基板160并从而将基板160转移到真空处理腔室1中，或者接收已经在真空处理腔室1中经过处理的基板160并从而将该基板转移到负荷锁定装置中。真空处理腔室1从传递腔室接收基板160，然后将基板160定位在基座32a上，从而通过在真空状态中通过使用等离子反应等对基板160实施蚀刻处理或沉积处理对基板160进行真本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于真空处理装置的静电吸盘，其包括：一个具有突起的主基板；一个形成于该主基板上的绝缘层；一个用于通过施加电能产生静电力的形成于该绝缘层上的静电层；以及一个形成于该静电层上的介电层。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：车勋，严用铎，
申请(专利权)人：IPS有限公司，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]