【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及元件衬底的制造方法及衬底保持装置。
技术介绍
近几年，半导体装置及液晶显示装置等的制造中使用绝缘性的玻璃(glass)衬底，在该衬底上形成TFT(Thin Film Transistor薄膜晶体管)等电子器件(device)。在衬底上形成电子器件时，例如，使用光刻法(photolithographic method)。在光刻法中，例如，用湿法蚀刻(wet etching)进行构图(patterning)。在湿法蚀刻工序中，在图形(pattern)形成的预定薄膜上形成保护膜(抗蚀剂(resist))。而且，用酸等的药液除去没有保护膜的地方。然后，用冲洗(rinse)液充分除掉多余的酸。这种冲洗液主要使用纯水。即，为了洗去衬底上的药液而进行水洗。衬底上形成的电子器件，往往层叠多个层而构成。因而，要用上述的光刻法进行多次构图，与其相应，要用冲洗液进行多次水洗。这时，由于绝缘性的玻璃衬底和绝缘性的纯水的摩擦，产生静电。有因这种产生的电荷而使在衬底上形成的电子器件发生静电破坏的问题。以前，作为解决这样的问题的方法，例如，在专利文献1中提出了在纯水中导入二氧...
【技术保护点】
一种衬底保持装置，其特征是，具有：保持衬底的卡盘；支撑上述卡盘的卡盘支撑构件，用１０↑［５］Ωｃｍ～１０↑［１０］Ωｃｍ的电阻率值的材料形成上述卡盘的和上述衬底的接触部中电阻率值最低的部分，上述电阻率 值最低的部分通过上述卡盘支撑构件接地。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：阪本弘和，荒木利夫，青木理，森田浩正，
申请(专利权)人：三菱电机株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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