等离子体处理装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种对被处理体（Ｗ）实施规定的等离子体处理的等离子体处理装置，该装置包括：能够抽成真空的处理容器（１２）、保持上述被处理体的被处理体保持单元（２０）、产生高频电压的高频电源（５８）和将经过等离子体化的等离子体化气体供给至上述处理容器内的等离子体气体供给单元（３８）。为了在上述处理容器内产生等离子体，通过配线（６０）使均处于激发电极状态的一对等离子体电极（５６Ａ、５６Ｂ）与上述高频电源的输出侧连接。并且，在上述配线的中途设置有高频匹配单元（７２），进一步使等离子体电极（５６Ａ、５６Ｂ）均不接地。由此，能够增高等离子体密度，并提高等离子体生成效率。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】
一种等离子体处理装置，对被处理体实施规定的等离子体处理，其特征在于：包括：能够抽成真空的处理容器；保持所述被处理体的被处理体保持单元；产生高频电压的高频电源；将经过等离子体化的等离子体化气体供给至所述处理容器 内的等离子体气体供给单元；为了在所述处理容器内产生等离子体，通过配线与所述高频电源的输出侧连接，均处于激发电极状态的一对等离子体电极；和设置在所述配线中途的具有阻抗的高频匹配单元，各等离子体电极不接地。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：阿部寿治，高桥俊树，松浦广行，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]