等离子体处理装置和等离子体处理方法制造方法及图纸

一种等离子体处理装置，对配置在处理容器内的硅基板，使用等离子体进行氮化处理，其特征在于：在等离子体产生部和所述硅基板之间配置具有开口部的隔板。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及使用等离子体氮化处理或者氧化处理硅基板的。
技术介绍
在使用了等离子体的硅基板的氮化处理时，例如，向微波激励后的氩气或氪气等的稀有气体等离子体中导入氮气或氮气和氢气、或NH3气体等的包含氮元素的气体。由此，产生N自由基(radical)或NH自由基，而将硅氧化膜表面转换为氮化膜。另外，还存在通过微波等离子体来直接氮化硅基板表面的方法。若根据现有的装置和方法，则因入射到硅氧化模(硅基板)上的离子，有基底膜(Si、SiO2)或成膜的膜(SiN)受到损害的问题。因膜的损害，存在产生了基板劣化、漏电流增大、因界面特性的劣化造成的晶体管特性的劣化等问题的情况。另外，作为其他问题，有因向硅氧化膜和硅氮化膜的界面的氧元素的扩散，硅氮化膜的膜厚增加到必要以上的问题。
技术实现思路
本专利技术鉴于上述情况而作出，第一目的是提供一种可以有效抑制硅基板(硅氧化膜)和氮化膜的劣化的。第二目的是提供一种可以有效抑制硅氮化膜的膜厚增大的。为了实现上述目的，本专利技术的第一方式的等离子体处理装置在等离子体产生部和硅基板之间配置具有开口部的隔板。这样，通过在处理容器内配置隔板，缓和了到达硅基板上的离子本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

【专利技术属性】
技术研发人员：中西敏雄，西田辰夫，尾崎成则，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：