用于邻接在处理元件上的相邻覆层的方法技术

被施加于一个等离子体处理系统的处理元件上的两个或更多个覆层用保护阻挡层或者覆层处理。描述了一种用于邻接在所述处理元件上的两个或更多个覆层的方法。施加第一保护阻挡层之后，对所述第一保护阻挡层的一部分进行处理。然后将第二保护阻挡层施加于一个区域的至少一部分上，该区域即是施加了所述第一保护阻挡层的区域。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种用于在处理元件上形成保护阻挡层的方法，并且更具体地涉及一种用于在处理元件上邻接相邻的保护阻挡层的方法。
技术介绍
在半导体工业中制造集成电路(IC)时，典型地使用等离子体来在等离子体反应器中产生和帮助表面化学反应，这对于从基底上去除材料和在该基底上淀积材料来说是必要的。一般地，通过将电子加热到足以维持与供应的处理气体发生电离碰撞的能量，而在真空条件下在等离子体反应器中形成等离子体。此外，加热的电子可以具有足以维持游离碰撞的能量，并且因此选择在预定条件下(例如，腔室压力、气体流动速率等)的一组特定的气体，以产生适合于所述腔室中进行的特定过程(例如，蚀刻过程，其中从基底上去除材料，或者淀积过程，其中将材料加到了所述基底上)的大量带电的粒种和化学活性粒种。尽管形成大量的带电粒种(离子等)和化学活性粒种是在基底表面完成等离子体处理系统的功能(即，材料蚀刻，材料淀积等)所必须的，但是在处理腔室内部的其它组件表面被暴露在物理和化学活性等离子体中，并且会腐蚀。在等离子体处理系统中暴露组件的腐蚀可能导致等离子体处理性能的逐渐的降级，并且最终导致该系统的完全失效。为了减少由于暴露于处理等离子体而受到的损害，已知的暴露于处理等离子体的等离子体处理系统的组件被覆盖保护阻挡层。例如，由铝制成的组件可以作阳极化处理，以产生氧化铝的表面层，该表面层抗等离子体。在另一个例子中，例如由硅、石英、氧化铝、碳或者碳化硅制成的自耗或者可替换组件可以被插入所述加工腔室中，以保护更有价值的组件的表面，所述更有价值的组件在频繁的替换时会产生更大的成本。另外，希望选择这样的表面材料，所述材料会使有害的污染物、杂质等引入到处理等离子体的风险最小化，并且使引入到在所述基底上形成的器件上的可能最小化。在两种情况下，或者由于保护阻挡层的整体性，或者由于保护阻挡层制造的整体性造成的保护覆层的不可避免的失效，和可替换组件的消耗特性要求频繁地维护等离子体处理系统。该频繁的维护能够产生与等离子体处理停机和新等离子体加工腔室组件的成本，该成本可能过高。
技术实现思路
描述了一种用于在处理元件上形成保护阻挡层的方法。一种用于在处理元件邻接两个或更多个保护阻挡层的方法，包括在所述处理元件上限定一个过渡区域，其中所述过渡区域包括第一保护阻挡层和第二保护阻挡层的重叠部分；将所述第一保护阻挡层施加于所述处理元件的第一区域，所述第一区域包括所述过渡区域；处理所述处理元件的第二区域，以提高所述第二保护阻挡层的附着力，所述第二区域包括所述过渡区域；和施加所述第二保护阻挡层于所述第二区域。用于处理系统的处理元件，包括与所述处理元件上的第一区域结合的第一保护阻挡层；和与所述处理元件上的第二区域结合的第二保护阻挡层，其中所述第一区域和所述第二区域相互重叠以形成一个过渡区域。附图说明结合附图，通过对本专利技术举例的实施例的详细说明，本专利技术的这些和其它优点将变得更加明显和更加容易理解；其中图1表示了根据本专利技术的一个实施例的一个等离子体处理系统的示意简图；图2A表示了如图1所示的等离子体处理系统中的一个处理元件的一部分的放大的横剖视图；图2B表示了如图1所示的等离子体处理系统中的一个处理元件的一部分的另一个放大的横剖视图；图2C表示了如图1所示的等离子体处理系统中的一个处理元件的一部分的另一个放大的横剖视图；图2D表示了如图1所示的等离子体处理系统中的一个处理元件的一部分的另一个放大的横剖视图；图3表示在根据本专利技术的一个实施例的等离子体处理系统中的一个处理元件上形成保护阻挡层的方法。具体实施例方式一个等离子体处理系统1，例如一个能够进行等离子体蚀刻的等离子体处理系统1在图1中进行了表示。所述等离子体处理系统1包括一个加工腔室10、一个上部组件20、一个上壁24、一个用于支撑基底35的基底支座30、和一个联接于用于在所述加工腔室10中提供负压气氛11的一个真空泵(未示出)的吸气管40。加工腔室10能够例如方便在与基底35相邻的处理空间12中形成处理等离子体。所述等离子体处理系统1可以构造成处理各种基底(即，200mm基底，300mm基底，或更大)。在图示的实施例中，上部组件20可以包括盖、气体喷射组件、上部电极阻抗匹配网络(impedance match network)中的至少一个。例如，上壁24可以例如构造成包括一个电极，所述电极具有一个电极板，所述电极板与一个射频(RF)源联接，并且由此形成一个用于所述等离子体处理系统1的上部电极。在另一个变换的实施例中，所述上部组件20包括一个盖和一个上壁24，其中所述上壁24保持在与加工腔室10的电位相等的电位。例如，所述加工腔室10、上部组件20、和上壁24能够电连接到接地电位，并且形成了用于等离子体处理系统1的接地壁。加工腔室10可以例如进一步包括一个淀积罩14，用于保护所述等离子体加工腔室10防止其受到处理空间12中的处理等离子体的影响，并且还包括一个光学观察口16。光学观察口16可以包括一个光学视窗17，所述光学视窗17与一个光学视窗淀积罩18的后侧联接，并且一个光学视窗凸缘19可以构造成将所述光学视窗17联接于所述光学视窗淀积罩18。密封元件，例如O形环，可以设置在所述光学视窗凸缘19和所述光学视窗17之间，设置在光学视窗17和光学视窗淀积罩18之间，设置在光学视窗淀积罩18和加工腔室10之间。光学视窗淀积罩18可以延伸穿过淀积罩14内的一个开口70。所述光学观察口16，例如，可以允许对处理空间12中的处理等离子体的发射光进行监视。基底支座30，可以例如，进一步包括一个竖直移位装置50，所述竖直移位装置50被一个联接于所述基底支座30和所述加工腔室10的波纹管52包围着，所述波纹管构造成将所述竖直移位装置50与所述加工腔室10中的负压气氛11密封隔开。另外，波纹管罩54可以例如联接于基底支座30，并且构造成用于保护所述波纹管52，防止其受到处理等离子体的影响。基底支座30可以另外联接到聚焦环60，并且可选择地，可以联接到罩环56。此外，挡板58可以例如靠近所述基底支座30的外周延伸。基底35可以例如借助于一个自动化基底转移系统通过一个槽阀(slot valve)(未图示)和腔室穿通装置(chamber feedthrough)(未图示)传送到加工腔室10中和从中出来，在该自动化基底转移系统中，所述基底由容纳在基底支座30中的基底顶杆(未图示)接收，并且通过容纳在该基底支座30中的装置机械地传送。一旦基底35由所述基底转移系统接收，该基底将下降到基底支座30的一个上表面上。基底35可以，例如，通过一个静电夹持系统被固定到所述基底支座30上。此外，基底支座30可以，例如，进一步包括一个冷却系统，所述冷却系统包括再循环冷却剂流，后者从基底支座30接收热量并且将该热量传递到热交换系统(未图示)，或者当加热时，将热量从热交换系统传递到基底支座30。此外，例如，可以通过背面气体系统将气体输送到所述基底35背面，以提高基底35和基底支座30之间的气隙热传导。当需要将基底温度控制在较高或者较低温度时可以使用这种系统。在其它实施例中，加热元件，例如电阻加热元件或者热电加热装置/冷却装置可以包括在内。在图1所示的实施例中，基底支座30可本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于在处理元件上邻接至少两个保护阻挡层的方法，包括：在所述处理元件上限定一个过渡区域，其中所述过渡区域包括第一保护阻挡层和第二保护阻挡层的重叠部分；将所述第一保护阻挡层施加于所述处理元件的第一区域，所述第一区域包括所述过 渡区域；处理所述处理元件的第二区域，以提高所述第二保护阻挡层的附着力，所述第二区域包括所述过渡区域；和施加所述第二保护阻挡层于所述第二区域。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：G埃舍尔，MA艾伦，工藤恭久，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]