【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种用于在处理元件上形成保护阻挡层的方法，并且更具体地涉及一种用于在处理元件上邻接相邻的保护阻挡层的方法。
技术介绍
在半导体工业中制造集成电路(IC)时，典型地使用等离子体来在等离子体反应器中产生和帮助表面化学反应，这对于从基底上去除材料和在该基底上淀积材料来说是必要的。一般地，通过将电子加热到足以维持与供应的处理气体发生电离碰撞的能量，而在真空条件下在等离子体反应器中形成等离子体。此外，加热的电子可以具有足以维持游离碰撞的能量，并且因此选择在预定条件下(例如，腔室压力、气体流动速率等)的一组特定的气体，以产生适合于所述腔室中进行的特定过程(例如，蚀刻过程，其中从基底上去除材料，或者淀积过程，其中将材料加到了所述基底上)的大量带电的粒种和化学活性粒种。尽管形成大量的带电粒种(离子等)和化学活性粒种是在基底表面完成等离子体处理系统的功能(即，材料蚀刻，材料淀积等)所必须的，但是在处理腔室内部的其它组件表面被暴露在物理和化学活性等离子体中，并且会腐蚀。在等离子体处理系统中暴露组件的腐蚀可能导致等离子体处理性能的逐渐的降级，并且最终导致该系统的完全失...
【技术保护点】
一种用于在处理元件上邻接至少两个保护阻挡层的方法，包括：在所述处理元件上限定一个过渡区域，其中所述过渡区域包括第一保护阻挡层和第二保护阻挡层的重叠部分；将所述第一保护阻挡层施加于所述处理元件的第一区域，所述第一区域包括所述过 渡区域；处理所述处理元件的第二区域，以提高所述第二保护阻挡层的附着力，所述第二区域包括所述过渡区域；和施加所述第二保护阻挡层于所述第二区域。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：G埃舍尔，MA艾伦，工藤恭久，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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