【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术的例示性的实施方式涉及等离子体处理装置和等离子体处理方法。
技术介绍
1、作为用于捕捉在等离子体腔室内产生的颗粒的技术，有专利文献1中公开的等离子体处理装置。
2、现有技术文献
3、专利文献
4、专利文献1：国际公开第2000/025347号
技术实现思路
1、专利技术要解决的技术问题
2、本专利技术提供能够使附着在基片上的颗粒减少的等离子体处理装置。
3、用于解决技术问题的手段
4、在本专利技术的一个例示性的实施方式中，提供一种对基片进行等离子体处理的等离子体处理装置。所述等离子体处理装置包括：腔室；设置在所述腔室内的基片支承部，所述基片支承部具有用于支承基片的区域和设置在所述区域的周围的边缘环，能够在所述边缘环的内侧支承所述基片；用于在所述腔室内生成等离子体的等离子体生成部；升降器，其用于在所述腔室内控制所述基片支承部与所述基片的距离；和控制部，所述控制部能够执行如下控制：利用所述升降器，使所述基片位于与所述基片支承部相距第一距离的第一位置，在所述基片位于所述第一位置的状态下，利用所述等离子体生成部在所述腔室内生成等离子体，在所述腔室内生成了所述等离子体的状态下，利用所述升降器将所述基片从所述第一位置在所述边缘环的内侧载置在所述基片支承部。
5、专利技术效果
6、采用本专利技术的一个例示性的实施方式，能够提供能够使附着在基片上的颗粒减少的等离子体处理装置。
【技术保护点】
1.一种等离子体处理装置，其为对基片进行等离子体处理的等离子体处理装置，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：
3.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：
4.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：
5.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：
6.如权利要求1～5中任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于：
7.如权利要求1～6中任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于：
8.如权利要求1～7中任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于：
9.如权利要求1～8中任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于：
10.如权利要求9所述的等离子体处理装置，其特征在于：
11.一种等离子体处理装置，其为对基片进行等离子体处理的等离子体处理装置，其特征在于，包括：
12.一种等离子体处理方法，其为在等离子体处理装置中对基片进行等离子体处理的等离子体处理方法，其特征在于：
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种等离子体处理装置，其为对基片进行等离子体处理的等离子体处理装置，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：
3.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：
4.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：
5.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：
6.如权利要求1～5中任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于：
7.如权利要求1～6中任一项所述的...
【专利技术属性】
技术研发人员：山村崇志，杨竣翔，滨康孝，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：
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