【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
技术介绍
1、本披露内容涉及衬底加工。在一个实施例中，本披露内容提供了一种加工用于形成微电子器件的衬底的新颖方法。
2、微电子器件是微米或更小规模的单独的电子器件和部件或其集合。单独的微电子器件可以包括电子部件，如晶体管、电容器、电感器、电阻器、二极管等，这些电子部件可以根据设计被连接以形成组合。可以通过整合由绝缘体隔离的竖直导体和横向导体的多层互连网络来形成连接。这些组合可以形成共同执行复杂功能(如数据存储与检索、计算、信号处理和电子图像捕获或其组合)的电子电路系统。有时被称为微芯片的集成电路(ic)是这种器件的示例。ic用于工业、军事和消费者应用的许多电子系统中。
3、通常，微电子器件在衬底(如半导体晶圆)上形成，并作为衬底上堆叠的图案化材料层(例如，半导体、绝缘体和导体)的一部分来生产。通常，衬底加工涉及使用各种工艺工具的一系列工艺步骤，以通过有序地使用各种各样的工艺工具来形成、注入、处理、图案化和刻蚀各种工艺层。随着加工技术的创新，最小特征尺寸已经被周期性地减小以增加微电子器件中部件的堆积密度。更多的部...
【技术保护点】
1.一种表征用于制造半导体晶圆的制作工艺的方法，该制作工艺包括至少一个工艺步骤，该至少一个工艺步骤与多个工艺变量相关联，该方法包括：
2.如权利要求1所述的方法，进一步包括利用该至少一个工艺步骤的工艺模型来计算该生产半导体晶圆的建模指纹。
3.如权利要求2所述的方法，进一步包括：
4.如权利要求3所述的方法，其中，通过将所计算出的差异与工艺模型灵敏度进行比较来检测该故障工艺变量，以帮助确定特定工艺变量是否是故障工艺变量。
5.如权利要求4所述的方法，其中，利用概率确定来识别该特定工艺变量。
6.如权利要求5所...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种表征用于制造半导体晶圆的制作工艺的方法，该制作工艺包括至少一个工艺步骤，该至少一个工艺步骤与多个工艺变量相关联，该方法包括：
2.如权利要求1所述的方法，进一步包括利用该至少一个工艺步骤的工艺模型来计算该生产半导体晶圆的建模指纹。
3.如权利要求2所述的方法，进一步包括：
4.如权利要求3所述的方法，其中，通过将所计算出的差异与工艺模型灵敏度进行比较来检测该故障工艺变量，以帮助确定特定工艺变量是否是故障工艺变量。
5.如权利要求4所述的方法，其中，利用概率确定来识别该特定工艺变量。
6.如权利要求5所述的方法，其中，通过对通过将所计算出的差异与该工艺模型灵敏度进行比较而获得的多个工艺模型项进行分析来识别该特定工艺变量，从而识别出超过预定故障概率水平的工艺变量。
7.一种表征用于制造半导体晶圆的制作工艺的方法，该制作工艺包括多个工艺步骤，该多个工艺步骤中的至少第一工艺步骤与多个工艺变量相关联，该方法包括：
8.如权利要求7所述的方法，进一步包括利用该多个工艺步骤中的第一工艺步骤的工艺模型来计算该生产半导体晶圆的建模指纹。
9.如权利要求8所述的方法，进一步包括：
10.如权利要求8所述的方法，进一步包括：
11.如权利要求10所述的方法，其中，通过将所计算出的差异与该工艺模型的变量灵敏度水平进行比较来检测该故障...
【专利技术属性】
技术研发人员：纳森·伊普，梅根·伍利，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：
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