本发明提供使用等离子体对半导体基板等被处理基板进行处理的等离子体处理装置和等离子体处理方法。在等离子体氧化处理装置（１００）中，在基座（２）的上方，配备有二重板（６０）。上侧板（６１）和下侧板（６２）分别由石英等电介质构成，以规定的间隔...

本发明提供一种不仅能够防止在流体通路内残留的喷镀残渣，而且能够防止发生喷镀残渣导致的污染、防止发生流体通路的孔堵塞的基板载置台、基板载置台的制造方法、基板处理装置、流体供给机构。基板载置台（５）通过粘合形成为圆板状的第一板状部件（５１０...

本发明涉及微波等离子体处理装置，说明了在微波等离子体处理装置中，作为微波透过窗使用的石英玻璃制的顶板的改良。使顶板的与基板Ｗ相面对的面的表面粗糙度为算术平均表面粗糙度Ｒａ的０．２μｍ以下。这样，在微波等离子体处理中，即使顶板暴露在高电子...

本发明是一种等离子体处理装置，包括：处理容器，具有：其中使处理气体成为等离子体的等离子体生成空间，和其中放置基板且基板进行等离子体处理的处理空间；气体供应板，其被设置在处理容器中以将处理容器中的等离子体生成空间和处理空间分开；处理气体供...

本发明提供一种等离子体处理装置，其具有：可以设置成有真空气氛的处理容器；与在所述处理容器内配置在规定位置的被处理基板相对向而环状地配置的第一上部电极；在所述第一上部电极的半径方向内侧以与其电绝缘状态配置的第二上部电极；向所述处理容器内提...

本发明提供一种等离子体处理装置，在对四边形基板进行等离子体处理的平行平板型等离子体处理装置中，能够进行上部电极的温度控制性良好且稳定的处理。该等离子体处理装置包括：具有用于向基板供给上述处理气体的多个气体供给孔，与上述下部电极相对设置的...

本发明提供一种等离子体处理装置和等离子体处理方法以及存储介质。提供能够减少装置的构成要素，抑制装置结构的复杂化，并且总是能够进行稳定的等离子体处理的技术。该等离子体处理装置通过切换开关（５１）使第一高频电源部选择性地与上部电极（３）和下...

本发明提供真空容器、耐压容器和其密封方法，在插入有沿周向被分割的环状中间部件的真空容器中，包括中间部件的分割部件之间的间隙在内，均能够划分中间部件的内外气氛。该真空容器的结构为，包括：由沿着中间部件形成为环状、且为了对该中间部件与上述第...

本发明提供即使当在高温下进行处理时，也能够抑制喷镀膜产生损伤，从而能够防止由于绝缘不良而产生放电等的等离子体处理装置用结构体和等离子体处理装置。在基材（１００）中形成有圆孔（１０１），该圆孔（１０１）内设置有由绝缘性的陶瓷等构成的圆筒状...

本发明提供一种能够保持长时间地抑制在收容室内流动的直流电流值的降低的等离子体处理装置，该等离子体处理装置（１０）包括：收容基板（Ｗ）并对其进行蚀刻处理的收容室（１１）；向该收容室（１１）内的处理空间（ＰＳ）供给高频电力的基座（１２）；向...

本发明提供一种等离子体处理装置、高频电源的校正方法和高频电源。该等离子体处理装置设置有：高频电源（２００），其具有能够将高频电力的电力设定值与偏移值作为数字数据输入的接口单元（２０４），根据电力设定值和偏移值调整目标电力输出值，并从电力...

本发明提供一种等离子体处理装置和等离子体处理方法。在阳极电极和处理容器之间设置有阻抗调整部的等离子体处理装置中，能够容易并适当地调整阻抗调整部的阻抗，从而抑制异常放电。该等离子体处理装置具有：偏压用的高频电源；阻抗调整部；测定上述阻抗调...

本发明提供一种能够在电介质的整个下面均一地生成等离子体的等离子体处理装置和方法。其是一种使微波通过形成于导波管（３５）的下面（３１）的多个缝隙（７０）在被配置在处理室（４）上面的电介质（３２）中传播，利用在电介质表面所形成的电磁场中的电...

本发明提供一种能够减小支承下部电极或上部电极中的至少一方的接地基板和收容容器的内壁之间的电位差的等离子体处理装置。等离子体处理装置（１０）包括：收容玻璃基板（Ｇ）的腔室（１１）；配置在该腔室（１１）内、作为载置玻璃基板（Ｇ）的载置台的下...

本发明描述了一种通过室部件引入处理流体的方法和系统。该室部件包括室元件，所述室元件包括处于所述室元件的供应侧的第一表面和处于所述室元件的处理侧的第二表面，所述处理侧与所述供应侧相反。此外，所述室部件包括螺旋通道，所述螺旋通道穿过所述室元...

本发明提供一种微波导入装置，具备：产生规定频率的微波的微波发生器、将上述微波转换为规定振动模式的模式转换器、朝向规定空间而设置的平面天线构件、连结上述模式转换器和上述平面天线构件并传播上述微波的同轴波导管，其特征是，上述同轴波导管的中心...

本发明提供一种基板处理系统和基板处理装置，能够不产生微粒而使等离子体均匀地分布在收容室内的空间。该基板处理系统（１０）包括三个等离子体处理装置（１３）和相对于各等离子体处理装置（１３）对玻璃基板（Ｇ）进行搬入搬出的搬送室（１１），各等离...

本发明提供一种等离子处理装置，具有处理空间、载置台、顶板、平面天线构件和同轴波导管；该处理空间的顶部有开口，内部可被抽真空；该载置台设置在上述处理空间内，用于载置被处理体；该顶板气密地安装在上述顶部的开口处，由透过微波的电介体形成；该平...

本发明涉及等离子体处理装置、电极温度调整装置和电极温度调整方法。在施加高频电力的上部电极上进一步重叠并施加直流电压的情况下，不仅能够抑制由高频电力的施加引起的上部电极温度的上升，还能够充分地抑制由直流电压的施加引起的上部电极温度的上升。...

本发明的等离子体处理装置具有：容纳被处理基板的腔室；向所述腔室内提供处理气体的气体供给装置；微波导入装置，向所述腔室内导入等离子体生成用的微波，所述微波导入装置具有：输出多个规定输出的微波的微波振荡器；天线部，具有分别传送从所述微波振荡...