等离子体处理装置和方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种能够在电介质的整个下面均一地生成等离子体的等离子体处理装置和方法。其是一种使微波通过形成于导波管（３５）的下面（３１）的多个缝隙（７０）在被配置在处理室（４）上面的电介质（３２）中传播，利用在电介质表面所形成的电磁场中的电场能量，使被供给到处理室（４）内的处理气体等离子体化，对基板（Ｇ）实施等离子体处理的等离子体处理装置（１），在电介质（３２）下面形成深度各异的多个凹部（８０ａ～８０ｇ）。通过使各个凹部（８０ａ～８０ｇ）的深度各异，来控制在电介质（３２）下面的等离子体的生成。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及生成等离子休从而对基板实施成膜等处理的等离子体 处理装置和方法。
技术介绍
例如在LCD装置等制造工序中，使用利用微波在处理室内生成等 离子体，对LCD基板实施CVD处理和蚀刻处理等的装置。作为这样 的等离子体处理装置，已知有在处理室的上方平行排列多根导波管的 装置(例如，参照专利文献l、 2)。在该导波管的下面，多个缝隙等间 隔并列开口，而且，沿着导波管的下面设置有平板状的电介质。使微 波通过缝隙传播到电介质的表面，利用微波的能量(电磁场)使被供 给到处理室内的处理气体等离子体化。另外，公开了为了使在电介质 下面所生成的等离子体均一化，在电介质的下面形成有凹凸(例如， 参照专利文献3)。可是，随着基板等的大型化，处理装置也增大，由此，被配置在 处理室上面的电介质也大型化。但是，就目前的情况来看，在大型化 的电介质的整个下面生成均一的等离子体非常困难，而且不能有效地 进行稳定的等离子体处理。特别是在电介质的下面，在离缝隙近的位 置与远离缝隙的位置，等离子体的生成强度容易不同。另外，虽然使 用例如铝制的梁等支承部件来支承电介质，但在电介质的周边部，因 从支承部件反射的反本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种等离子体处理装置，用于对基板实施等离子体处理，其特征在于：构成为使微波通过形成于导波管下面的多个缝隙在被配置在处理室上面的电介质中传播，利用在电介质表面所形成的电磁场中的电场能量，使被供给到处理室内的处理气体等离子体化， 在所述电介质的下面形成１个或者多个凹部，该凹部的深度根据与缝隙的距离而发生变化。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：堀口贵弘，冈信介，平山昌树，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，国立大学法人东北大学，
类型：发明
国别省市：JP[日本]