通过室部件引入处理流体的方法和系统技术方案

本发明专利技术描述了一种通过室部件引入处理流体的方法和系统。该室部件包括室元件，所述室元件包括处于所述室元件的供应侧的第一表面和处于所述室元件的处理侧的第二表面，所述处理侧与所述供应侧相反。此外，所述室部件包括螺旋通道，所述螺旋通道穿过所述室元件从所述供应侧延伸到所述处理侧，所述螺旋通道包括构造来接收处理流体的入口和构造来分配所述处理流体的出口。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及通过室部件引入处理流体的方法和系统，并且更具休而 言，涉及通过室部件将处理流体引入处理系统的方法和系统。
技术介绍
在半导体工业的集成电路(ic)制造中，通常使用等离子体来在处理 室中创建和辅助对于从衬底去除材料和在衬底上沉积材料所必需的表面化 学。 一般来说，在真空条件下通过在电场的存在下将电子加热到足以维持 与被供应的处理气体的电离碰撞的能量，在处理室内形成等离子体。而 且，经加热的电子可以具有足以维持解离碰撞的能量，因此，在预定条件 (例如，室压、气体流率等)下的一组特定气体被选择来产生适于在室内 执行的特定工艺(例如，将材料从衬底去除的刻蚀工艺或者将材料添加到 衬底的沉积工艺)的带电物质和化学活性物质。在半导体制造中，存在多种用于创建等离子体的技术，包括但不限于，电容耦合等离子体(CCP) 系统、电感耦合等离子体(ICP)系统、电子回旋共振(ECR)等离子系 统、螺旋波等离子体系统、表面波等离子体系统、狭缝平面天线(SPA) 等离子体系统等。等离子体由被工艺的处理气体与以射频(RF)或微波光 谱频率传播的电磁(EM)场的相互作用来形成。所有这些系统的共同之 处本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种室部件，其被构造来耦合到处理室，所述室部件包括：　　　　室元件，所述室元件包括处于所述室元件的供应侧的第一表面和处于所述室元件的处理侧的第二表面，所述处理侧与所述供应侧相反；以及　　　　螺旋通道，所述螺旋通道穿过所述室元件从所述供应侧延伸到所述处理侧，所述螺旋通道包括构造来接收处理流体的入口和构造来分配所述处理流体的出口。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：陈立，麦里特法克，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]