用于实现均匀等离子处理的阶梯式上部电极制造技术

本发明专利技术公开了一种等离子放射电极，该等离子放射电极具有正面，该正面具有：中心部分，包括喷出用于产生等离子的处理气体的出气孔；以及外围部分，大致围绕出气孔。外围部分至少具有一个用于控制电极产生的等离子密度的阶梯。该电极可以用作诸如等离子蚀刻设备的平行板等离子处理设备内的接地上部电极。可以改变阶梯和位于下部电极上的相应边缘环的几何特征图形，以在圆片表面上获得要求的蚀刻速率分布。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术 一般地涉及利用高能辐照或等离子进行蚀刻的方法，更具 体地说，本专利技术涉及一种在集成半导体电路制造过程中用于控制圆片 边缘的蚀刻速率的方法和设备。
技术介绍
自二十世纪六十年代中叶以来，集成半导体电路逐渐成为大多数 电子系统的主要部件。这些小型化的电子器件可以含有成千个晶体管 以及构成微型计算机中央处理单元的内存和逻辑子系统的其它电路。 这些计算机芯片的低成本、高可靠性以及运行速度使得它们成为现代 数字电子学的无所不在的特征。集成电路芯片的制造过程通常以被称为"圆片"的、高纯度、单 晶半导体材料村底的薄、抛光片开始。对每个圆片进行一系列物理处理步骤和化学处理步骤，以在圆片上成型各种电路结构。在制造过程 中，利用各种技术，在圆片上沉积各种薄膜，例如利用热氧化法产生 二氧化硅薄膜，利用化学汽相沉积法产生硅薄膜、二氧化硅薄膜以及 硝酸硅薄膜，利用溅镀或其它技术产生其它金属薄膜。在半导体圆片上沉积薄膜后，通过利用被称为掺杂的方法，将选 择的杂质植入半导体晶格产生半导体的唯一电特性。然后，可以对掺 杂硅圆片喷涂一薄层被称为"抗蚀剂"的光敏材料或辐射敏感材料。然 后，可以利用被称为本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于等离子反应室的簇射喷头电极，所述电极包括：大致为平面的中心部分；多个出气孔，位于电极的中心部分，处理气体通过该出气孔可以从电极外露表面送出；以及阶梯，从电极外露表面凸出，该阶梯被成型为分离部件并被接合到电极外 露表面上，该阶梯位于电极的外围部分，而且至少部分围绕电极的中心部分延伸，该阶梯的内表面与大致为平面的中心部分形成钝角，该阶梯控制在电极外露表面附近产生的等离子的局部密度。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：拉金德尔德辛德萨，穆昆德斯利尼瓦桑，艾伦爱普勒，埃里克兰兹，
申请(专利权)人：兰姆研究公司，
类型：发明
国别省市：US[]