半导体处理设备制造技术

一种等离子体处理室，包括表面暴露在处理室内部空间的粉浆浇注部件。粉浆浇注部件包括其内所含的游离硅和表面的保护层，该保护层保护硅免受处理室内部空间中的等离子体轰击。粉浆浇注部件可由粉浆浇注碳化硅制成，表面涂有ＣＶＤ碳化硅。粉浆浇注部件包括处理室的一个或多个部件，例如晶片通道衬垫（２１）、一整片或多个瓷片构成的衬套（２０）、等离子体挡板（２２）、喷淋头、绝缘元件等等。在采用等离子体刻蚀如氧化硅之类的绝缘体材料时，粉浆浇注部件减少了等离子体处理时的颗粒污染和处理偏差。（*该技术在2020年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体处理设备，特别是改善了在对半导体衬底进行离子刻蚀之类的处理中对处理偏差的控制.
技术介绍
在半导体处理领域，通过向真空室中提供刻蚀或沉积气体、并向气体施加RF场从而将气体激发到等离子体状态，真空处理室通常被用于在衬底上刻蚀或是化学气相沉积物质。在美国专利No.4,340,462；No.4,948,458；No.5,200,232和No.5,820,723中公开了平行板、变压器耦合等离子体(TCPTM)和电子回旋共振(ECR)反应器及其组件的例子。在这些反应器和设备中，由于等离子体环境的腐蚀特性，为减少颗粒和/或重金属污染，要求这些设备的组件必须表现出高耐蚀性。在处理半导体衬底时，典型地，采用机械夹具或静电夹具(ESC)在真空室中的衬底座上将衬底保持就位。在美国专利No.5,262,029和No.5,838,529中可以看到这些夹具系统及其组件的例子。可以按不同的方式将处理气体提供给真空室，例如通过气嘴、气环、气体分配板等。在美国专利No.5,863,376中可以看到用于感应耦合等离子体反应器及其组件的温控气体分配板。铝和铝合金通常被用于等离子体反应器的壁。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种粉浆浇注部件，用在等离子处理室中，所述粉浆浇注部件包括：游离硅；以及保护层，用于保护硅免受处理室中的等离子体轰击。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：托马斯E维克，
申请(专利权)人：兰姆研究公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]